【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード４０およびクランプ用スイッチング素子４２を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】ドライブＩＣ２０に端子Ｔ６を介して入力される操作信号ｇ＊＃がオン操作指令に切り替わることで、定電流用スイッチング素子２２をオン操作して、スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートを充電する。スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電期間の初期において、クランプ用スイッチング素子４２をオン状態としておく。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを同一の駆動信号によって駆動する場合、駆動に異常が生じることでそれらの温度同士の乖離が大きくなるものの、これを迅速に検出する手段がないこと。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度を検出する感温ダイオードＳＤａ，ＳＤｂの出力電圧は、端子Ｔ６ａ，Ｔ６ｂに印加される。端子Ｔ６ａ，Ｔ６ｂの電位差は、差動増幅回路５０を介してウィンドウコンパレータ５２に取り込まれる。ウィンドウコンパレータ５２では、これらの差が大きい場合に、異常が生じている旨判断する。 （もっと読む）

【課題】定電流用スイッチング素子２６や放電用スイッチング素子３０に異常が生じると、駆動対象とするスイッチング素子Ｓ＊＃を駆動できないこと。
【解決手段】定電流用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ゲート抵抗体２８を介してスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに接続されている。ゲート抵抗体２８の両端の電圧は、差動増幅回路７０によって出力電圧Ｖｇｉに変換され異常判断部７２に取り込まれる。異常判断部７２では、ゲート抵抗体２８に流れる電流に基づき、定電流用スイッチング素子２６や放電用スイッチング素子３０に異常が生じたか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】より簡便に電力変換器の故障診断を可能とすることを目的としている。
【解決手段】上流側若しくは下流側に変換器用変圧器４が配置された電力変換器２の故障を診断する電力変換器２の故障診断方法である。上記変換器用変圧器４から発生する騒音の騒音スペクトルに、基本周波数ＢＳの奇数倍のピーク周波数が含まれている場合に、上記電力変換器２が故障していると判定する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、電圧制限回路１２３と、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。制御回路１２４は、記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、従来のように、２つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路１２１と電圧制限回路１２３によって、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、特性に応じてＩＧＢＴ１１０ｄを適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、電圧制限回路１２３と、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。コントローラ１２５は、記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報から電圧制限回路制御情報を求める。制御回路１２４は、求めた電圧制限回路制御情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、従来のように、２つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路１２１と電圧制限回路１２３によって、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、特性に応じてＩＧＢＴ１１０ｄを適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ回路を構成する一対のＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードに流れる負荷電流の逆回復を速くする。
【解決手段】ブリッジ回路３は内蔵ダイオード４ａ、５ａを内蔵したＭＯＳＦＥＴ４、５により構成される。ＭＯＳＦＥＴ４、５はスイッチング制御回路６によりゲート駆動回路７、８を介して駆動制御される。負荷電流ＩＬがコイル１からブリッジ回路に向けて流れる状態であって、例えば内蔵ダイオード４ａを介して環流電流を流す状態からＭＯＳＦＥＴ５を介して負荷電流を流す状態への移行期間の終盤にＭＯＳＦＥＴ４をオンして内蔵ダイオード４ａをオフさせ、電流Ｉ１がゼロ相当になったらＭＯＳＦＥＴ４をオフ、ＭＯＳＦＥＴ５をクランプ状態で一定時間オンする。その後、ＭＯＳＦＥＴ５を通常のオン状態に移行させる。 （もっと読む）

【課題】定電流回路をドライブＩＣ２０によって構成することでドライブＩＣ２０の発熱量が大きくなること。
【解決手段】ドライブＩＣ２０は、スイッチング素子Ｓｗ＃をオン状態に切り替えるための電荷をスイッチング素子Ｓｗ＃のゲートに充電する直流電圧源ＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３を備える。これら直流電圧源ＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３の出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の間には、「Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３」の関係がある。直流電圧源ＤＣ１の出力電流を定電流回路ＳＣ１によって一定値に制御しつつゲートを充電した後、直流電圧源ＤＣ２の出力電流を定電流回路ＳＣ２によって一定値に制御しつつゲートを充電し、最後に、直流電圧源ＤＣ３の出力電流を定電流回路ＳＣ３によって一定値に制御しつつゲートを充電する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａには、正常時には流れることがない、所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れる。制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れているとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】より効率的に負荷を駆動できるようにする。
【解決手段】ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧を調整する電圧調整回路２０とＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号のスイッチングスピードを調整するスイッチングスピード調整回路３０を備え、正弦波ＰＷＭ制御モード、過変調ＰＷＭモード、矩形波制御モード等の制御モードに応じて、ＩＧＢＴ５１〜５６の損失が低減されるように、ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧およびスイッチングスピードを加工する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】より効果的に逆起電圧の発生を抑え、過電圧による素子の破壊を防ぐことが可能な保護回路を提供する。
【解決手段】第１の実施形態の保護回路２は、抵抗値可変スイッチ１０，過電流検出部２０，制御電圧印加部３０，容量部４０，制御端子電圧変更部５０および外部端子１１を備える。抵抗値可変スイッチ１０は、制御端子１０ａ，第１端子１０ｂおよび第２端子１０ｃを有する。制御端子電圧変更部５０は、抵抗値可変スイッチ１０の制御端子１０ａと基準電位端子との間に直列的に設けられたスイッチ５１および抵抗器５２を含む。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電源回路における回路素子の破壊を防止することが可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷駆動装置の構成として、電源回路の出力端子と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源回路の出力端子に回生させる逆起電流回生回路と、前記電源回路の出力電圧が予め設定された閾値以上となった場合に、前記第２のスイッチング素子をオンにする回路素子保護回路と、を備えた構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 制御回路部から主回路部へ少ない数のケーブルを用いて、波形をずらすことなくゲート信号を正確に伝送し、電力変換器としての制御性能を劣化を防ぐ。
【解決手段】 実施形態に係る電力変換器制御装置は、複数の電力用半導体素子及び前記複数の電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路から構成される主回路部と、前記ゲート駆動回路に入力されるゲート信号を生成する制御回路部とを備えた電力変換器において、前記制御回路部は、ゲート信号の生成周期毎にゲート信号を符号化する手段と、前記制御回路部から前記主回路部へ、前記生成周期毎にクロック信号を伴わせずにゲート信号を符号伝送する手段とを具備し、前記ゲート駆動回路は、前記生成周期毎にゲート信号を復元し、復元されたゲート信号を前記複数の電力用半導体素子に供給する手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴモジュールを並列接続した構成で、Ｖ_CEを検出して過電流保護（遮断）する場合、配線インダクタンスの影響で、高速で、確実な保護ができない課題がある。
【解決手段】並列接続されたＩＧＢＴモジュール内のＩＧＢＴのＶ_CE検出用のダイオードを各ＩＧＢＴ毎又は複数個に対して1個の割合で接続し、過電流時いずれかのＶ_CEが上昇した場合には並列接続された全てのＩＧＢＴのゲート信号を強制遮断する。 （もっと読む）