【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】安定したパルス高周波電力を供給することができる高周波電源装置１を提供する。
【解決手段】高周波電源装置１は、パルス高周波電力の出力電圧を検出して包絡線検波を行い、その検波信号をサンプルホールド部６によりサンプリングし、サンプリング電圧Ｖｓを高周波電力生成部３にフィードバックしてパルス高周波電力Ｐｏｕｔの制御を行う。サンプルホールド部６は、サンプルホールド信号のオン期間中、検波信号Ｐａをサンプリング電圧Ｖｓとして出力し、サンプルホールド信号のオフ期間中、サンプルホールド信号がオンからオフへ切り替るタイミングの検波信号Ｐａの電圧レベルをホールドして、サンプリング電圧Ｖｓとして出力する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合でも、制御対象とする半導体素子を適切に制御することができる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】電圧付与回路１８は、電源電圧Ｖccを所定の閾値電圧Ｖthと比較して、Ｖcc≦Ｖthであれば、プリドライブ回路２のグランド側端子にグランドレベル近傍の電圧である仮想グランド電圧Ｖcpを付与し、Ｖcc＞Ｖthであれば、前記グランド側端子に電源電圧Ｖccとクランプ制御用電圧Ｖgsとの差電圧を付与する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の信号レベルを、設定されるクランプ電圧に応じて精度よく制御するバッファ回路を実現する。
【解決手段】入力信号に応じた信号を出力するバッファ回路であって、入力信号をベース端子に受け取る第１受信トランジスタと、エミッタ端子およびコレクタ端子が第１受信トランジスタの対応する端子に接続され、バッファ回路が出力する信号レベルを制限する第１クランプ電圧をベース端子に受け取る、第１受信トランジスタと同一極性の第１クランプトランジスタと、第１受信トランジスタおよび第１クランプトランジスタに対して共通に設けられ、第１受信トランジスタおよび第１クランプトランジスタに流れるエミッタ電流の総量を規定する第１電流規定部とを備え、第１受信トランジスタのエミッタ電圧に応じた出力信号を出力するバッファ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速い電圧クランプ回路を提供する。
【解決手段】この電圧クランプ回路１は、負のしきい値電圧（−２Ｖ）を有するノーマリーオン型の電界効果トランジスタ８のドレインを入力ノードＮ８に接続し、そのソースを出力ノードＮ９に接続するとともに抵抗素子９を介して接地し、そのゲートに可変直流電源１０の出力電圧（２Ｖ）を与えたものである。抵抗素子９の電圧降下によって出力ノードＮ９の電圧Ｖｏｕｔがクランプ電圧Ｖｃ（＝４Ｖ）よりも高くなると電界効果トランジスタ８がオフするので、出力電圧ＶｏｕｔはＶｃ以下に制限される。したがって、ダイオードなどを用いていた従来の電圧クランプ回路よりも応答速度が速くなる。 （もっと読む）

ある電子機器が説明される。その電子機器は、第１の集積回路（ＩＣ）と第２の集積回路（ＩＣ）とを含む。また、その電子機器は、パラレルデータ信号をシリアルデータ信号に多重化するように構成されたマルチプレクサと、該シリアルデータ信号を該第１のＩＣから該第２のＩＣへ送信するように構成された送信機とを含む。さらに、その電子機器は、該シリアルデータ信号を受信するように構成された受信機を含む。該受信機は、アナログノードの電圧振幅を決められた範囲内にクランプするように構成されたクランプ回路を含む。該クランプはまた、該受信機のバンド幅を拡張するのに役立つ。
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標準的な絶縁セルが、電源アイランド境界において、過渡電圧をクランプする保護装置をも備える集積回路を提供する。
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【課題】コンデンサに充電された電荷の放電タイミングを最適にし、高速信号に対応できるようにした波形改善回路を提供する。
【解決手段】信号線４に伝送されるデジタルの信号Ｓtの波形を改善する波形改善回路１は、信号Ｓtのレベルが所定値を超えたことをレベル検出回路１１Ａが検出すると、その出力電圧Ｖｄに基づいてスイッチ回路１２Ａが導通状態になり、電源電圧Ｖ_Ｂを充電回路１３Ａのコンデンサ１３１に印加してコンデンサ１３１を充電する。信号Ｓtの電圧レベルが、コンデンサ１３１の充電電圧Ｖｃよりも低くなったタイミングでコンデンサ１３１から信号線４へ、放電回路１４Ａのダイオード１４１を介して放電が行われ、アンダーシュートが改善される。 （もっと読む）

【課題】ツエナーダイオードを用いたクランプ回路においては、動的抵抗によりクランプ電圧が変動し、クランプ波形上にこぶが発生する。また、従来のフィードバック方式のクランプ回路においては、サージ吸収用半導体素子をオフとするための遅延により、パルス幅が短縮したりフィードバックループ動作が不安定になったりする問題があった。平坦な正確なロードダンプサージ試験電圧を再現性良く発生させることは困難だった。
【解決手段】第１の基準電圧と第２の基準電圧が入力されるウィンドコンパレータの出力を、フィードバックループ回路のループ動作基準電圧として使用する。２つの基準電圧よって規定される電圧幅範囲に、ロードダンプサージ波形の検出電圧がフィードバック制御され、平坦なクランプ波形が得られる。ループ動作基準電圧はほぼ一定に保たれるので、広範なサージ電圧、サージ吸収電流の範囲において、ループ動作が安定化する。 （もっと読む）

【課題】ビデオアンプにおける非活性ラインのエミッタフォロアのベースエミッタ逆バイアスを排除する。
【解決手段】モード制御信号２によりスルーモード時には、ダイオード９が活性ライン側（エミッタフォロア13のベース）の電位をＶf だけシフトダウンし、スイッチ10はＶf シフトを非活性ライン側（エミッタフォロア14のベース）に伝達する。また、ローパスフィルタモード選択時には、ダイオード12が活性ライン側（エミッタフォロア14のベース）の電位をＶf だけシフトダウンし、スイッチ11はＶf シフトを非活性ライン側（エミッタフォロア13のベース）に伝達する。これにより、エミッタフォロア14または13のベースとエミッタが同電位になる。 （もっと読む）

クランプ回路（１）は、クランプされている信号線、すなわち、ビクティム線から入力信号（３）を受け取る。クランプ回路（１）は、ビクティム線にクロストークを誘発する可能性のある信号線であるアグレッサ線からアグレッサ信号（５，７）をさらに受け取る。ビクティム線をクランプする出力信号（９）は、入力信号（３）およびアグレッサ信号（５，７）の論理状態に基づいて選択的にイネーブル状態になる。クランプ信号を選択的に供給するのに加えて、クランプ回路（１）はさらに、アグレッサ線とビクティム線に同時に逆の変化が発生するときにビクティム線のスイッチングを加速するので、最悪ケースの遅延を減少させ、信号完全性を改善する利点がある。
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【課題】 トランジスタのベース・エミッタ間の電圧に温度特性の差などによる変動が生じた場合でも適正なクランプ動作が可能なクランプ回路を提供する。
【解決手段】 入力端子Ｔｉからの信号ラインにエミッタが接続されたＮＰＮトランジスタＱ１と、このＮＰＮトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂをオン／オフするＭＯＳＦＥＴＭＰ１を備える。そして、信号ラインの電圧がコンパレータＱ３により閾値より高いと判定されたときはＭＯＳＦＥＴＭＰ１を遮断してＮＰＮトランジスタＱ１をオフにし、クランプ機能を停止する。また、信号ラインの電圧がコンパレータＱ３により閾値より低いと判定されたときはＭＯＳＦＥＴＭＰ１をオンにし、ＮＰＮトランジスタＱ１をオンさせてクランプ電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で安定的に動作する電圧クランプ回路と、高速動作を可能としたスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】 入力電圧が供給される入力端子にソース，ドレイン経路の一方を接続し、ゲートに制限すべき所定電圧を与え、ソース，ドレイン経路の他方と回路の接地電位との間に電流源を設けたＭＯＳＦＥＴを用いて、上記ソース，ドレイン経路の他方から入力電圧に対応したクランプ出力電圧を得る。インダクタに流す電流を制御して上記出力電圧が所定電圧となるようにする第１スイッチ素子と、上記第１スイッチ素子がオフ状態のときに上記インダクタに発生する逆起電圧を所定電位にクランプする第２スイッチ素子を備えたスイッチング電源装置において、デッドタイムを設定する帰還経路に前記電圧クランプ回路を用いる。 （もっと読む）