【課題】電力消費量の増大を抑制しつつ、タイミング信号のスキューを低減する。
【解決手段】主クロック分配回路は、タイミング信号を複数の主タイミング信号に分岐して分配する。副クロック分配回路は、タイミング信号の分配が指示された場合にはタイミング信号を複数の副タイミング信号に分岐して分配する。最小遅延タイミング信号出力部は、複数の主タイミング信号のいずれかと複数の副タイミング信号のいずれかとのうち先に分配された信号を最小遅延タイミング信号として出力する。同期動作回路は、最小遅延タイミング信号に同期して動作する。測定部は、複数の主タイミング信号のいずれかの遅延のばらつきを示す値を測定する。クロック分配回路制御部は、測定された値の示す前記ばらつきが前記所定値以上であるときに副分配回路に前記タイミング信号の分配を指示する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増やすことなく、スキュー調整及び位相調整を実現する。
【解決手段】本実施形態の本実施形態の位相調整回路１２は、第１クロック信号と第２クロック信号との位相差に応じて動作する。位相調整回路１２は、調整用駆動素子１２０と、駆動素子１２１及び１２２とを備える。調整用駆動素子１２０は、入力信号を駆動させ、調整信号を生成する。駆動素子１２１及び１２２は、第１クロック信号と第２クロック信号との間に位相差が生じた場合、調整信号と並行した同相及び／又は逆相のクロストーク信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズによるデジタル信号の取込エラーを低減すること。
【解決手段】パルス制御信号に応じてスイッチング動作を行なうスイッチング回路１２０と、デジタル信号を取り込むデジタル信号保持回路１１１と、を備え、デジタル信号保持回路１１１は、スイッチング動作による電源ノイズの発生期間におけるデジタル信号の取り込みを回避するためのマスク信号をパルス制御信号から生成するマスク信号生成回路１１４を含み、電源ノイズの発生期間にはデジタル信号を取り込まず、電源ノイズの非発生期間に前記デジタル信号を取り込む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】出力回路のＳＳＮ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｎｏｉｓｅ）の振動ノイズの低減を可能とする半導体装置の提供。
【解決手段】第１及び第２の電源線と、前記第１の電源線ＶＤＤＱと前記第２の電源線ＶＳＳＱとの間に配置された出力回路１２と、前記第１の電源線と前記第２の電源線との間に配置されたノイズキャンセル回路１３とを備え、前記ノイズキャンセル回路１３は、前記出力回路の前記出力ノードの論理レベルへの切り替え時に発生する所定の周期で指数関数的に減衰振動する電源ノイズに対して、前記電源に、前記振動から半周期分遅れ、前記振動と逆向きに減衰振動する電源ノイズを発生し、互いに打ち消し合わせる。 （もっと読む）

【課題】デジタル位相周波数検出器、それを含むデジタル位相固定ループ、及びデジタル位相周波数検出方法を提供すること。
【解決手段】デジタル位相周波数検出器は検出部、位相比較部及びリセット部を含む。検出部は基準信号及びフィードバック入力信号のエッジを検出して基準エッジ信号及びフィードバックエッジ信号を発生する。リセット部は基準エッジ信号及びフィードバックエッジ信号に基づいてリセット信号を発生する。位相比較部は基準エッジ信号及びフィードバックエッジ信号に基づいて第１位相比較信号及び第２位相比較信号を発生し、第１フリップフロップ、第２フリップフロップ、及びラッチブロックを含む。第１フリップフロップは基準エッジ信号を受信するデータ入力端及びフィードバックエッジ信号を受信するクロック入力端を具備し、第２フリップフロップはフィードバックエッジ信号を受信するデータ入力端及び前記基準エッジ信号を受信するクロック入力端を具備する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力動作を実現しつつ信号処理に向けた論理判定時間を格段に削減することができる。
【解決手段】入力電圧と参照電圧とを比較して論理判定結果の出力電圧を発生して差動増幅器を含むコンパレータ回路において、微小電流であるバイアス電流を発生して差動増幅器に供給する電流源と、差動増幅器からの差動電圧を反転して反転信号を出力する第１のインバータ回路と、電流源のバイアス電流を検出し、第１のインバータ回路の貫通電流を検出し、検出したバイアス電流及び検出した貫通電流に基づいて、差動増幅器が論理判定を行わない期間はバイアス電流で差動増幅器を動作させる一方、差動増幅器が論理判定する期間はバイアス電流を増加させてなる適応バイアス電流を用いて差動増幅器を動作させるように適応バイアス電流制御を行うための適応バイアス電流を発生して差動増幅器に供給する適応バイアス電流生成回路とを備える。 （もっと読む）

ブラウンアウト検出回路（１６）は、第１抵抗素子（３８）と、第１トランジスタ（４６）と、第２トランジスタ（５０）と、比較器（４０）とを備える。第１抵抗素子（３８）が、第１電源電圧端子および第２端子に接続される第１端子を有する。第１トランジスタ（４６）は、第１導電性タイプであり、第１抵抗素子（３８）の第２端子に接続される第１電流電極と、制御電極と、第２電流電極とを有する。第２トランジスタ（５０）は、第２導電性タイプであり、第１トランジスタ（４６）の第２電流電極に接続される第１電流電極と、制御電極と、第２電源電圧端子に接続される第２電流電極とを有する。比較器（４０）は、第１抵抗素子（３８）の第１端子に接続される第１入力端子と、第１抵抗素子（３８）の第２端子に接続される第２入力端子と、ブラウンアウト検出信号を供給するための出力端子とを有する。
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【課題】タイミング制約を満たすためにセルの物理的な位置やＲＴＬ（Register Transfer Level）を変更する必要がなく、回路の最適化を短時間に行うことができ、半導体集積回路の設計期間を短縮することができる半導体集積回路の設計方法、設計プログラムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路のネットリストに対して静的タイミング解析を行うことにより、所定のタイミング制約を満たさないタイミングエラーパスを検出し、前記タイミングエラーパスを含む第１の論理ブロックと、フリップフロップを介して前記第１の論理ブロックに接続され、所定のタイミング制約を満たす第２の論理ブロックとを抽出し、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックとの間のフリップフロップが正相／逆相フリップフロップである場合は、当該正相／逆相フリップフロップを逆相／正相フリップフロップに変更する。 （もっと読む）

【課題】複数の回路ブロックを有する半導体集積回路にて、電源ノイズにより発生するクロック信号におけるジッタを低減する。
【解決手段】第１の回路ブロックに供給される第１のクロック信号のクロックパスディレイを測定する遅延測定回路と、第２の回路ブロックの動作による電源電圧の変動時間を測定する時間測定回路と、第２の回路ブロックに供給される第２のクロック信号を遅延させる遅延調整回路と、第１のクロック信号と第２のクロック信号との位相差を測定する位相差測定回路と、遅延調整回路での遅延量を制御する位相制御回路とを備え、第２の回路ブロックの動作周波数が第１の回路ブロックの動作周波数より低い場合には、位相制御回路が、ジッタが最小となる電源ノイズと第１のクロック信号との設定位相差を算出し、位相差測定回路により測定した位相差が設定位相差になるように遅延量を制御する。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチをオンとする際に発生する電源ノイズが許容値を超えないようにし、かつ、内部回路に与える電源電圧の立ち上がり時間を短縮することができるようにした半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】信号処理回路１５に対する電源投入時に、パワースイッチをなすＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４、２２−１〜２２−４のうち、まず、ＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４をオンとする。その後、信号処理回路１５が出力端子２０−１に出力する出力信号ＯＵＴの電圧変化を検出し、電源ノイズがピーク値に達したことが検出されると、ＮＭＯＳトランジスタ２２−１〜２２−４をオンとする。 （もっと読む）

【課題】基板上で接続されたマイコンとＲＯＭ、ＲＡＭのデータのやりとり及びＲＯＭ、ＲＡＭの内容を解析しづらくする。
【解決手段】
基板上で接続されたマイコンとＲＯＭ、ＲＡＭを接続するデータバスに、スイッチング素子１を配置したビット配列入替回路を設け、アドレスバスの一部と、ＲＡＭまたは電気的に書き換え可能なＲＯＭとして実現されるメモリ３の内容を用いて、組み合わせ回路であるビット配列入替スイッチ駆動回路２により各スイッチング素子１のオンオフを決定することにより、データバスのビット配列の入替を行う。 （もっと読む）

【課題】デューティ検出信号を高頻度に更新する。
【解決手段】内部クロックＲＣＬＫ，ＦＣＬＫのデューティを検出する複数のデューティ検出部２１０−１〜２１０ｍと、複数のデューティ検出部を互いに異なる位相で動作させる制御部２２０と、複数のデューティ検出部からのデューティ検出信号を選択する出力選択部２３０とを備える。本発明によれば、複数のデューティ検出部が互いに異なる位相で動作することから、各デューティ検出部におけるデューティ検出信号の生成頻度よりも高頻度でデューティ検出信号ＤＣＣＳを出力することが可能となる。このため、本発明によるデューティ検出回路をＤＬＬ回路のクロック調整に使用すれば、ＤＬＬ回路の制御周期を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エラー検出のためのハードウエア上のオーバーヘッド及び時間的オーバーヘッドを小さくでき、且つエラーを発生した論理素子を特定できる半導体集積回路を提供することを第１目的とする。また、ダイナミック回路のリセット時間による時間的オーバーヘッドを隠蔽でき、実効的な演算スループットを向上させる半導体集積回路を提供することを第２目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、論理素子単位でのハンドシェークを実施し、論理素子単位でのエラー発生の検出を行うことで後段の論理素子にエラー伝搬を行わないこととした。さらに、本発明に係る半導体集積回路は、各論理素子内で同一の論理回路を並列に接続し、２相で動作させることとした。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスのマージンを削ることなく、オフセットの補正が可能なラッチ型コンパレータ、及びこれを用いた、オフセットの補正が可能な多値論理の復調回路を提供する
【解決手段】本発明によるラッチ型コンパレータは、クロスカップルされた２つのＣＭＯＳインバータからなるフリップフロップを含み、フリップフロップの４個のトランジスタの各々のソースと電源／接地間には伝達トランジスタを介して抵抗と設定電流可変の定電流源が接続され、フリップフロップの差動出力は各々伝達トランジスタを介して差動入力に接続され、全ての伝達トランジスタのゲートは、差動クロック入力のいずれかに接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短いロッキングタイムを有する多相ＤＬＬ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明のＤＬＬ回路は、 基準クロックを遅延させてＤＬＬクロックを生成するが、制御電圧のレベルに応じて遅延量を調整する遅延手段；制御電圧の初期レベルを制御し、検出イネーブル信号を生成する初期動作制御手段；及び、検出イネーブル信号に応じて前記基準クロック及びＤＬＬクロックの位相を比較して、制御電圧を生成する遅延制御手段を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＴ変動による遅延制御回路の遅延量変動を正しく補正する。
【解決手段】互いに動作条件が異なる第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２と、第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２に同時に入力されたパルス信号Ｐの伝搬速度差を検出する検出回路１２３と、検出回路１２３による検出結果に基づいて選択信号ＳＥＬを生成する設定回路１２４とを備える。選択信号ＳＥＬは、基準信号を遅延させることによって動作タイミング信号を生成する遅延制御回路１３０に供給され、その遅延量は選択信号ＳＥＬによって調整される。これにより、ＰＶＴ変動を見越して遅延制御回路の遅延量を大きく設計しておく必要がなくなるため、パフォーマンスの低下を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発振回路において発振動作が行われているか否かを判定する発振停止検出回路を内蔵した半導体集積回路において、電源電位が立ち上がる際の誤検出を防止する。
【解決手段】この半導体集積回路は、クロック信号又は反転クロック信号がゲートに印加されて交互にオン／オフする複数のトランジスタが直列に接続され、第１の電源電位から正の電荷を移送するトランジスタ列と、複数のトランジスタによって移送される電荷を蓄積する複数のコンデンサと、最終段のコンデンサの端子をプルダウンするプルダウン素子と、最終段のコンデンサの端子の電位がゲートに印加され、第２の電源電位がソースに供給されるＮチャネルＭＯＳトランジスタと、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインをプルアップするプルアップ素子と、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電位に基づいて出力信号を生成する論理回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路におけるクロック信号の供給において、回路全体を通しクロックラインを短縮し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】回路素子のグループ間で回路素子の交換、移動を実行し、当該実行の前後でグループごとに回路素子の位置と中心位置との距離の合計し更に全グループについて合計した値が減少する場合には当該実行後のグループを維持し減少しない場合には当該実行前のグループを維持する最適化を実行する構成である。 （もっと読む）

【課題】入力電圧を昇圧して出力する半導体集積回路における、トランジスタの耐圧が、入力電圧以下に抑えられる昇圧回路を提供する。
【解決手段】コンデンサＣｐは、一方の端子がクロック信号を出力するクロック端子に接続され、他方の端子が整流回路４に接続されている。コンデンサＣｐの他方の端子の最低電圧を第１の電圧にクランプするクランプ回路３を備えている。このクランプ回路３は、第１のＮ型トランジスタＮ１、および第２のＮ型トランジスタＮ２を有している。この第１のＮ型トランジスタＮ１は、ドレインをコンデンサの他方の端子に接続し、ソースを前記第２のＮ型トランジスタＮ２のドレインに接続し、さらに、ゲートを第１の電圧よりも高い第２の電圧Ｖａに接続している。また、第２のＮ型トランジスタＮ２は、ソースを第１の電圧Ｖｐに接続し、ゲートを前記クロック信号の反転信号を出力する反転信号端子に接続している。 （もっと読む）

【課題】冗長な回路、配線を不要とし、回路規模の増大を回避し、デューティを変更可能とするＤＬＬを提供する。
【解決手段】外部信号の第１遷移（Ｒｉｓｅ）を可変に遅延させる第１可変遅延回路（１０Ｒ）と、外部信号の第２遷移（Ｆａｌｌ）を可変に遅延する第２可変遅延回路（１０Ｆ）と、第１可変遅延回路（１０Ｒ）の出力信号と第２可変遅延回路（１０Ｆ）の出力信号とを合成する合成回路（１３）と、合成回路（１３）の出力信号のデューティの変更と検出を行うデューティ変更検出回路（２１）と、デューティ変更検出回路（２１）のデューティ検出結果（ＤＣＣ）に従って第１可変遅延回路（１０Ｒ）又は第２可変遅延回路（１０Ｆ）の遅延を可変させる遅延制御回路（１５Ｒ、１５Ｆ）と、を備える。 （もっと読む）