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Fターム[5J042DA01]の内容

論理回路 (4,317) | 目的、効果 (948) | 高集積化・小型化 (158)

Fターム[5J042DA01]に分類される特許

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【課題】所望の論理回路を構成する記憶素子ブロックの総量を減らすことを図る。
【解決手段】N(Nは、2以上の整数)本のアドレス線と、N本のデータ線と、複数の記憶部であって、各記憶部は、前記N本のアドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、前記ワード線とデータ線に接続し、真理値表を構成するデータをそれぞれ記憶し、前記ワード線から入力される前記ワード選択信号により、前記データを前記データ線に入出力する複数の記憶素子を有する、複数の記憶部と、を備え、前記記憶部のN本のアドレス線は、前記記憶部の他のN個の記憶部のデータ線に、それぞれ接続するとともに、前記記憶部のN本のデータ線は、前記記憶部の他のN個の記憶部のアドレス線に、それぞれ接続する半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】FPGA内部回路を動的に書き換えた後の制御に待ち時間を発生させないFPGA内部回路変更方法および画像形成装置を提供する。
【解決手段】画像形成装置は、複数のコネクタから受信された信号を検知する検知手段と、検知手段による信号の検知をASICに通知する信号検知通知手段と、信号検知通知手段による信号検知通知を受けたASICにより複数のメモリの何れかから読み出された内部回路の書換情報に基づいて一の内部回路が動作中に他の内部回路を書き換える書換手段と、他の内部回路の書換完了をASICに通知する書換完了通知手段と、書換完了通知手段による書換完了通知と同時に出力切替回路及び出力変更回路を切り替える回路切替手段を備える。 (もっと読む)


【課題】素子数が少なく、遅延が小さく、ドライバ能力を有するXORゲート回路を提供する。
【解決手段】論理回路1は、電源電位VPERIとノードn1の間に接続されたトランジスタT1と、電源電位VPERIとノードn2の間に接続されたトランジスタT2と、電源電位VSSとノードn3の間に接続されたトランジスタT3と、電源電位VSSとノードn4の間に接続されたトランジスタT4と、ノードn1とノードn3の間に直列接続されたトランジスタT5,T7と、ノードn1とノードn3の間に直列接続されたトランジスタT9,T11と、ノードn2とノードn4の間に直列接続されたトランジスタT6,T8と、ノードn2とノードn4の間に直列接続されたトランジスタT10,T12とを備える。出力信号Yは、トランジスタT5,T7の接続点及びトランジスタT6,T8の接続点から取り出される。 (もっと読む)


【課題】電流駆動能力がより小さなクロック信号生成回路を適用することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】nチャネル型トランジスタで構成されるスイッチ及び論理回路を有し、スイッチは導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、論理回路は、ブートストラップ回路と、入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、高電源線と出力端子との接続を反転入力端子に入力される信号によって制御し、低電源線と出力端子との接続を入力端子に入力される信号によって制御することによって、入力信号がローレベル電位の場合には、ブートストラップ回路を用いて出力端子の電位を上昇させることにより出力端子から高電源電位を出力し、トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、半導体層を挟んで上下に設けられた一対のゲート電極とを有し、一対のゲート電極の他方はソースと接続される。 (もっと読む)


【課題】電源が遮断されてもデータが保持される新規な論理回路を提供する。また、消費電力を低減できる新規な論理回路を提供する。
【解決手段】2つの出力ノードを比較する比較器と、電荷保持部と、出力ノード電位確定部とを電気的に接続することにより、論理回路を構成する。それにより、電源が遮断されてもデータが保持される論理回路を得ることができる。また、論理回路を構成するトランジスタの総個数を低減させることができる。更に、酸化物半導体を用いたトランジスタとシリコンを用いたトランジスタを積層させることで、論理回路の面積の削減が可能になる。 (もっと読む)


【課題】電源遮断後の起動時間が短く、高集積化及び低消費電力化を図ることが可能であるプログラマブルロジックデバイスを提供する。
【解決手段】入出力ブロックと、論理エレメントを有する複数の論理ブロックと、該複数の論理ブロックを接続する配線とを有するプログラマブルロジックデバイスにおいて、論理エレメントは、コンフィギュレーションデータが保持されたコンフィギュレーションメモリ及び選択回路を有するルックアップテーブルを有する。また、コンフィギュレーションメモリは、酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタと、該トランジスタ及び選択回路の間に設けられた演算回路とを有するメモリ素子を複数有し、入力信号に応じて選択回路によりコンフィギュレーションデータを選択的に切り替えて出力する。 (もっと読む)


【課題】消費電力を抑えることができる、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。また、信頼性の高い、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。さらに集積度の高い、プログラムユニットを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】PLD等のロジックセル間の接続構造を変更する機能を有する半導体回路において、ロジックセル間を接続や切断、あるいはロジックセルへの電源の供給を、オフ電流またはリーク電流が小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラムユニットによって制御する。プログラムユニットにはトランスファーゲート回路を設けてもよい。駆動電圧を下げるため、プログラムユニットには容量素子を設けて、その電位をコンフィギュレーション時と動作期間とで異なるものとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】周辺の回路構成を複雑にすることなく、繰り返しのデータの書き込みの際の劣化を低減することが可能な、不揮発性スイッチとして用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。そしてデータ保持部は、ダーリントン接続された電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを有する電流増幅回路における、電界効果トランジスタのゲートに接続することでデータ保持部の電荷をリークすることなく、導通状態を制御する。 (もっと読む)


【課題】多数決回路を使用した半導体集積回路において、HWの増加をおさえ、且つ、信頼性を向上させる。
【解決手段】多数決回路を使用した半導体集積回路が、組合せ回路に接続される複数の第1のFF(Flip Flop)と、前記第1のFFと同じ入力信号を受け付けることで当該信号を複製する複数の第2のFFとを備える。複数の前記第1のFFの中から何れかの第1のFFを選択する。前記選択された第1のFFと同じ入力信号を、複数の前記第2のFFに接続する。前記選択された前記第1のFFの出力信号と同じ信号を多数決判定手段に接続する。前記FF出力選択手段により接続された前記第1のFFの出力信号と、前記複数の第2のFFの各出力信号と、を受け付け、当該受け付けた各信号に基づいて多数決判定を行う。多数決判定の対象とする第1のFFを任意に変えられる。 (もっと読む)


【課題】スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ技術を用いるソフトウェア・プログラマブル・論理のためのシステム,回路および方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合(MTJ)素子と、MTJ素子に結合されるプログラマブル・ソースと、書込み及び読出し部を備え、前期読出し部は、書込み動作の間中、高インピーダンス状態に設定されるように構成されるMUXドライバを具備し、前記MTJ素子の第一グループを入力プレーンに配列し、第二グループを出力プレーンに配列し、入力プレーンおよび出力プレーンを、各々のMTJデバイスの自由層の相対的な極性に基づいた論理関数を形成するために組み合わせられるプログラマブル・論理アレイを提供する。 (もっと読む)


【課題】高速、不揮発性、低消費電力のメモリ回路を提供する。
【解決手段】一方のソース/ドレインがノード40に接続された第1導電型スピンMOSFET10と、一方のソース/ドレインがノード40に接続された第1導電型スピンMOSFETもしくは第1導電型のMOSFET12と、ノード40にゲート電極が接続され一方のソース/ドレイン電極が出力端子37に接続されたpチャネルスピンMOSFETもしくはpチャネルのMOSFET14と、ノード40にゲート電極が接続され、一方のソース/ドレイン電極が出力端子37に接続されたnチャネルスピンMOSFETもしくはnチャネルのMOSFET16と、出力端子37と、を備え、第3トランジスタ14と第4トランジスタ16はインバータ回路を構成し、第3トランジスタ14および第4トランジスタ16の少なくとも一方がスピンMOSFETであり、出力端子37からインバータ回路が出力される。 (もっと読む)


【課題】 誤動作を防ぐとともに、サイズが小さい不揮発プログラマブルロジックスイッチを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態による不揮発プログラマブルロジックスイッチは、制御ゲートが第1の配線に接続され、第1のソースドレイン端が第2の配線に接続され、電荷を蓄積する膜を有する第1のメモリセルトランジスタと、制御ゲートが前記第1の配線に接続され、第3のソースドレイン端が前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソースドレイン端に接続され、第4のソースドレイン端が第3の配線に接続され、電荷を蓄積する膜を有する第2のメモリセルトランジスタと、前記第1のメモリセルトランジスタの前記第2のソースドレイン端と前記第2のメモリセルトランジスタの前記第3のソースドレイン端にゲート電極が接続されたパストランジスタと、前記パストランジスタのウェルに基板電圧を印加する第1の基板電極を有する。 (もっと読む)


【課題】2相式の非同期式回路の処理速度を向上させると共に、回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】非同期式回路200は、段階的に接続された複数の回路ブロックを備え、夫々の回路ブロックが、演算回路と、該演算回路に対して2相式制御を行う制御回路を有する。モード制御回路230は、1段目の回路ブロックに対して、該回路ブロックが休止相を開始したときに初期化を開始し、最下段の回路ブロックが休止相を開始したときに稼働相を開始し、2段目の回路ブロックに対して、1段目の回路ブロックが初期化を開始したときに稼働相を開始し、1段目の回路ブロックが稼働相を開始したときに初期化を開始するように制御を行う。 (もっと読む)


【課題】論理回路、該論理回路を含む集積回路及び該集積回路の動作方法を提供する。
【解決手段】入力信号の電圧及び電流のうち少なくともいずれか一つによって変更される抵抗レベルを有し、抵抗レベルを記憶する少なくとも1つの可変抵抗素子を含み、少なくとも1つの可変抵抗素子に記憶された抵抗レベルに対応するマルチレベル・データをラッチする論理回路である。 (もっと読む)


【課題】デバイスの小面積化と低消費電力化を実現することが可能なリコンフィギュラブルロジックブロック、並びにこれを用いたプログラマブル論理回路装置、及び、テクノロジマッピング方法を提供する。
【解決手段】最大K入力(x[0]〜x[K−1])のリコンフィギュラブルロジックブロック(K−ALUT)は、m入力(y[0]〜y[m−1]、ただしmはKよりも小さくyはxに属する)の第1ルックアップテーブル1と、n入力(z[0]〜z[n−1]、ただしnはKよりも小さくzはxに属する)の第2ルックアップテーブル2と、p入力(c[0]〜c[p−1]、ただしpはKよりも小さくcはxに属する)の組み合わせ回路3と、組み合わせ回路3の出力に応じて第1ルックアップテーブル1と第2ルックアップテーブル2のいずれか一方を選択するセレクタ4と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電界効果型トランジスタのLSI製造後にしきい電圧の制御が可能で、かつ、回路面積を増大させず、かつ信頼性に優れるという特徴を有する技術を提供する。
【解決手段】シリコン半導体支持基板1の上面に設けられた積層膜(3nm以上4nm以下の第1のシリコン酸化膜2/0.3nm以上2nm以下のシリコン窒化膜3/5nm以上10nm以下の第2のシリコン酸化膜4/3nm以上20nm以下の膜厚)を有するSOI層5と、上記構造に所定の間隔を介して互いに対向して設けられたソース・ドレイン拡散層6と、当該ソース拡散層とドレイン拡散層の間の上記半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜7と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極8を具備してなる電界効果型半導体装置において、シリコン支持基板1から電圧を印加することにより、直接トンネル効果によって電荷をシリコン窒化膜3に一定時間保持してしきい電圧を調整する。 (もっと読む)


【課題】 スイッチアレイの占有面積の縮小を図る。
【解決手段】本実施形態のスイッチアレイは、基板上に設けられる2つのスイッチと、第1の方向に延在する第1及び第2の制御線と、を具備し、スイッチのそれぞれは、メモリセルトランジスタが設けられる第1のアクティブ領域と、パストランジスタが設けられる第2のアクティブ領域と、を含み、アクティブ領域内でトランジスタのチャネル長方向に隣接するメモリセルトランジスタはソース又はドレインを共有し、第1及び第2のアクティブ領域は、トランジスタのチャネル幅方向に互いに隣接している。 (もっと読む)


【課題】少部品点数、簡単な構成、低製造コストの多値バッファー手段を提供する。
【解決手段】電源線V0〜V5の各電位が番号順に高くなり、その全入力端子を入力端子Inに接続した2値NOT手段5個を1つずつ、その電位の高さで隣り同士となる前記電源線2つの各間に接続し、前記2値NOT手段ごとに、その出力端子にノーマリィー・オフのNMOSとPMOSの両ゲートを接続し、そのマイナス側電源線に前記NMOSのソースとバックゲートを接続し、そのPMOS5個の全ドレインを出力端子Outに接続し、その電位の高さで隣り同士となる前記2値NOT手段2つごとに、その低電位側2値NOT手段のPMOSのソースとバックゲートと、その高電位側2値NOT手段のNMOSのドレインを接続し、出力端子Outにその残りのNMOSのドレインを接続し、電源線V5にその残りのPMOSのソースとバックゲートを接続する。 (もっと読む)


【課題】論理回路の冗長性を排除することで、面積効率を高めることが可能なプログラマブル論理回路装置およびその回路決定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プログラマブル論理回路は、構成データによる回路変更および配線スイッチ部による配線の入れ替えにより、一の論理関数を実現するゲート回路を、該一の論理関数とNPN同値類に属する他の論理関数のみを実現するゲート回路と共通させている。この回路変更は、N操作のためのプログラマブルNOTゲートによる入力反転部と、2入力NANDゲートまたは2入力ORゲートが、二分木の木構造で、それぞれの接続線の間にプログラマブルNOTゲートを介在させて接続された基本回路と、N操作のためのプログラマブルNOTゲートによる出力反転部とに、構成データを与えることにより行う。 (もっと読む)


【課題】より小さな規模で論理回路が構成できるようにする。
【解決手段】第1周波数に第1差分周波数を加えた第1入力周波数の第1振動および第1周波数から第1差分周波数を減じた第2入力周波数の第2振動が入力される第1入力部101と、第1周波数と異なる周波数の第2周波数に第2差分周波数を加えた第3入力周波数の第3振動および第2周波数から第2差分周波数を減じた第4入力周波数の第4振動が選択的に入力される第2入力部102と、第1入力部101の振動と第2入力部102の振動との差を出力する周波数変換部103と、設定された少なくとも第1設定周波数を検出して対応する第1出力を出力する周波数検出部104とを少なくとも備える。 (もっと読む)


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