【課題】入力されるデジタル信号のパルス幅を拡張させた後、サンプリング動作が行われるようにすることができる半導体装置のサンプリング回路を提供すること。
【解決手段】本発明のサンプリング回路は、データ信号を受信し、クロック信号を基準としてサンプリングする第１のサンプリング部と、前記データ信号を所定時間の分だけ遅延させた信号を受信し、前記クロック信号を基準としてサンプリングする第２のサンプリング部と、前記第１のサンプリング部および第２のサンプリング部の出力信号を結合してサンプリングデータ信号を出力する出力部とを備える。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのスイッチング用トランジスタにＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴを用いながら、高調波歪を大幅に低減する。
【解決手段】アンテナスイッチの受信分路スルーＭＯＳＦＥＴグループ１３を構成するトランジスタ４４〜４８のドレイン−ゲート間の片方に静電容量素子５４〜５８を付加することにより、ソース−ゲート間とドレイン−ゲート間の電圧振幅が同じでなくなる。その結果、ソース−ドレイン間寄生容量の電圧依存は、電圧の極性に対して非対称となる。この非対称性は、同様の非対称性を有する信号歪を発生させるので、それを基板容量の電圧依存による２次高調波と同等の振幅と逆の位相を持つように設定することにより、２次高調波歪を打ち消すことができ、２次高調波歪を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ホールド動作時の出力電圧の変動を抑制することができるホールド回路を提供する。
【解決方法】ホールド回路１００は、ホールドコンデンサ１４０、オペアンプ１１０、第１ｐＭＯＳ１３０、バッファアンプ１５０、電圧調整回路１２０を備える。オペアンプ１１０の非反転入力端には入力信号の電圧が印加され、反転入力端にはホールドコンデンサ１４０の電圧が印加される。ゲートＧとドレインＤが接続している第１ｐＭＯＳ１３０は、ソースＳからドレインＤへ電流を通す整流素子として機能する。整流素子の入力端はオペアンプ出力端に接続しており、出力端はホールドコンデンサ他端に接続している。電圧調整回路１２０は、オペアンプ出力端と整流素子入力端の間に接続されており、オペアンプ出力端の電圧がバッファアンプ出力端の電圧よりも低い場合に、整流素子入力端の電圧をオペアンプ出力端の電圧よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）

【課題】短時間で出力電圧が昇圧規定電圧に達し、その後は小さいリップル幅を有するチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】チャージポンプ回路１００は、制御部１０と発振回路２０と昇圧部３０とを有する。発振回路２０は、予め定められた周期のパルス信号を出力する。昇圧部３０は、電圧を昇圧するｎ（ｎ≧１）個の昇圧回路を備え、発振回路２０から出力されるパルス信号に応じて電荷量を出力する。制御部１０は、昇圧部３０から出力される電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、昇圧部３０から出力される電圧が規定電圧より大きくなると、昇圧部３０からのパルス信号一周期あたりの供給電荷量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を変更することなく、広い温度範囲でリーク電流を抑えて動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】しきい値電圧が第１電圧である第１トランジスタを含む高ＶＴ部７と、しきい値電圧が第１電圧よりも低い第２電圧である第２トランジスタを含む低ＶＴ部８と、温度を測定し、温度が所定の温度より高い高温状態であるか、温度が所定の温度よりも低い低温状態であるかを判定し、高温状態を示す信号又は低温状態を示す信号を出力する温度検知部６と、高温状態を示す信号、又は低温状態を示す信号を受信し、高温状態を示す信号に基づいて高ＶＴ部７を動作させ、低温状態を示す信号に基づいて低ＶＴ部８を動作させる制御を行う制御部９とを具備する。 （もっと読む）

キャパシタンススイッチング素子（２００）が、トランジスタ（２０５、２１０）によって直列に接続された、第１のキャパシタ（２４０）と第２のキャパシタ（２４５）とを含む。トランジスタのゲートは、一組の抵抗器（２２０、２３０）を介して第１の信号（ｂ０／）によってバイアスをかけられ、ソースおよびドレインは、第２の組の抵抗器（２１５、２２５、２３５）を介して第２の信号（ｂ０）によってバイアスをかけられる。信号はレベルシフトされており、相補的であってよい。素子をオンにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤに設定することができ、第２の信号（ｂ０）をゼロに設定することができる。素子をオフにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤ／２の倍数に設定することができ、第２の信号（ｂ０）をＶＤＤ／２の倍数プラス１（the multiple plus one）に設定することができる。素子が発振器同調回路で使用されるとき、トランジスタの圧力ストレスが低減され、トランジスタを薄酸化物で製作することができる。発振器は、セルラアクセス端末のトランシーバにおいて使用されてもよい。
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【課題】アナログ入力信号をデジタル化することなく、そのアナログ信号形態のままで移動平均による平均化処理を行わせ、これにより、回路の簡単や消費費電力の低減化をはかりつつ、後段でのアナログ信号処理を行いやすくする。
【解決手段】積分回路を形成する演算増幅器１２と、一方の電極端子に入力信号Ｖｉｎが印加されるとともに、他方の電極端子がスイッチング回路ｐｈ１またはｐｈ２を介して基準電位または上記演算増幅器の積分入力に接続される第１の入力容量素子Ｃ１と、一方の電極端子がスイッチング回路ｐｈ３またはｐｈ４を介して上記演算増幅器の積分出力または上記演算増幅器の積分入力に接続されるとともに、他方の電極端子が基準電位に接続される第２の入力容量素子Ｃ２を有し、スイッチング回路ｐｈ１，ｐｈ３とｐｈ２，ｐｈ４は、入力信号Ｖｉｎの周波数域よりも十分に高い周波数でオン／オフさせられるとともに、一方のオフ区間内に他方がオンされ、かつ他方のオフ区間内に一方がオンされる。 （もっと読む）

【課題】 充電回路の動作を安定化させる。
【解決手段】 充電回路（１００）は、第１出力信号を出力するＴｒ制御回路（２４）と、第１出力信号が入力されて動作するトランジスタ（Ｔｒ）及びコンデンサ（Ｃ１）と、その状態を検出し、その結果としての第２出力信号を出力するコンパレータ（２１）と、第２出力信号に基づいて、Ｔｒ制御回路をして前記第１出力信号を出力させるかどうかを決定する第３出力信号をＴｒ制御回路に供給するフリップフロップ（２４）と、を備え、フリップフロップの入出力特性の遷移帯は、Ｔｒ制御回路の入出力特性の遷移帯と重ならない。 （もっと読む）

【課題】電流加算型Ｄ／Ａコンバータに用いられる電流スイッチ回路において、低電源電圧時にしきい値電圧の低いトランジスタを用いた際に課題となるダイナミックレンジの低下を改善し、出力電圧範囲を大きく取る。
【解決手段】電流スイッチ回路１は、差動スイッチ１２を構成する第１及び第２のトランジスタＴｒ１２１、Ｔｒ１２２を有する。しきい値電圧制御回路５は、その出力端子Ｖｂｏｕｔから前記差動スイッチ１２を構成する２個のトランジスタＴｒ１２１、Ｔｒ１２２のサブストレート端子に出力するサブストレート電圧を制御して、前記差動スイッチの２個のトランジスタのしきい値電圧を制御する。従って、電流スイッチ回路１の電源電圧を低減させても、特性劣化を生じることなく、差動スイッチ１２内の２個のトランジスタのしきい値に依存する電流スイッチ回路１の出力電圧範囲を大きく取ることができる。 （もっと読む）

【課題】安定したパルス高周波電力を供給することができる高周波電源装置１を提供する。
【解決手段】高周波電源装置１は、パルス高周波電力の出力電圧を検出して包絡線検波を行い、その検波信号をサンプルホールド部６によりサンプリングし、サンプリング電圧Ｖｓを高周波電力生成部３にフィードバックしてパルス高周波電力Ｐｏｕｔの制御を行う。サンプルホールド部６は、サンプルホールド信号のオン期間中、検波信号Ｐａをサンプリング電圧Ｖｓとして出力し、サンプルホールド信号のオフ期間中、サンプルホールド信号がオンからオフへ切り替るタイミングの検波信号Ｐａの電圧レベルをホールドして、サンプリング電圧Ｖｓとして出力する。 （もっと読む）

【課題】超小型に形成されて容量値および容量変化が非常に微小なセンサ容量素子の容量変化を、高効率かつ高精度に電圧変化に変換させて検出する。
【解決手段】センサ容量素子Ｃｓの静電容量を、スイッチドキャパシタ型負帰還回路を有する演算増幅器１１によって電圧変換するＣＶ変換回路であって、その負帰還回路は、演算増幅器１１の出力端子と反転入力端子間に直列に接続された第１，第２の容量素子Ｃ１，Ｃ２と、その容量素子Ｃ１，Ｃ２の中間接続点ｂに一方の電極端子が接続された第３の容量素子Ｃ３と、この容量素子Ｃ３の他方の電極端子を演算増幅器１１の出力端子または基準電位に接続する切り換えスイッチ回路Ｓｗ１，Ｓｗ２を有し、このスイッチ回路の接続位置によって等価的な帰還容量値を可変設定する。 （もっと読む）

【課題】コストおよび消費電力の増大をともなう高速の演算増幅器に依存することなく、ＩＣ化に適した回路でもって、高い周波数領域での静電容量挙動を高感度かつ高確度に検出できるようにし、これにより、高周波領域での誘電率挙動による物性の検査や分析を的確に行うことを可能にする。
【解決手段】２つのセンサ容量素子Ｃｘ１，Ｃｘ２を高周波クロック信号＋Φ１に同期して相補的に充放電させる通電回路５０と、その２つのセンサ容量素子の通電電流差分ΔＩｘと上記高周波クロック信号＋Φ１とのアナログ乗算操作によって、上記通電電流差分に応じた直流成分を有する電圧Ｖｏ１を出力する同期検波回路１０と、この同期検波回路１０の検波出力電圧を平滑処理しながら増幅する演算増幅器３０とを備え、この演算増幅器３０の出力から上記２つのセンサ容量素子の静電容量差分ΔＣｘに対応する直流出力電圧を得る。 （もっと読む）

【課題】ピークホールド回路において、ドループを抑制してピーク電圧を長時間保持できるドループ補正ピークホールド回路を提供すること。
【解決手段】ピークホールド回路のホールドコンデンサＣ１は、一端をダイオードＤ１のカソードに接続し、他端をドループ補正回路２０に接続してある。ドループ補正回路２０は、ホールドコンデンサＣ２の保持電圧を、増幅回路Ａ３において極性を反転してホールドコンデンサＣ１に印加する。即ちドループ補正回路２０は、ホールドコンデンサＣ１にその保持電圧と逆極性のドループ補正電圧を印加する。ドループ補正電圧の印加によりホールドコンデンサＣ１のドループを長時間抑制できる。 （もっと読む）

【課題】昇圧回路がオフの際にバイパスされる電源電圧の電圧降下を抑圧可能とする。
【解決手段】動作制御スイッチ１がオフとされるに伴い昇圧回路１０１が動作停止状態となると、エンハンスメント型ＦＥＴ４はオフとなるが、デプレッション型ＦＥＴ３のゲートには、抵抗器５を介して昇圧用電源入力端子１１に印加された電源電圧が供給されるため、デプレッション型ＦＥＴ３はオン状態となり、ダイオード等と比較して電圧降下が極小さなデプレッション型ＦＥＴ３を介して昇圧用電源入力端子１１に印加された電源電圧にほぼ等しい電圧が出力端子１３に得られるものとなっている。 （もっと読む）

第１および第２出力部と、第１および第２切換手段とを備える制御回路の作動方法に関し、負荷を作動するために出力部の間に印加される制御電圧を次にように形成する。切換手段によって第１出力部を第１または第２電位に選択的に接続し、切換手段によって第２出力部を第１または第２電位に選択的に接続することによって形成し、制御電圧が少なくとも短時間少なくともほぼゼロとなる状態を、第１の場合には２つの出力部を２つの切換手段によって同時に前記第１電位に接続することによって誘起し、第２の場合には２つの出力部を２つの切換手段によって同時に第２電位に接続することによって誘起し、制御回路の作動時に、２つの場合を少なくとも１回誘起し、いずれの場合にも、出力部に印加された制御電圧を特徴づける変数または出力部／スイッチに対して直列に配置した少なくとも１つのシャント抵抗器を介して流れる電流を特徴づける変数を検出し、比較を行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の消費電力削減を図る。
【解決手段】本発明に係るレベルシフト回路は、入力信号のレベルを、第１の電圧と前記第１の電圧より高い第２の電圧との間のレベルに変換するレベルシフト回路であって、入力信号（Ｖｉｎ）に基づいて、その周波数及び振幅のうち少なくとも一方が変化する発振信号を生成するセレクト回路１３と、セレクト回路１３から出力された発振信号（Ｖｎ１）の直流成分を除去して交流成分を出力するフィルタ回路１６と、第１の電圧とフィルタ回路１６の出力側電圧との間で動作し、発振信号（Ｖｉｎ）の交流成分における周波数及び振幅のうち少なくとも一方の変化に応じて、信号電圧が変化する制御信号（Ｖｎ２）を生成するディテクト回路１４と、制御信号に基づいて第１の電圧と第２の電圧の間のレベルを有する出力信号を生成する出力回路１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリーズＦＥＴおよびシャントＦＥＴとして４端子ＮＭＯＳＦＥＴを用いるＳＰＳＴスイッチ回路では、シリーズＦＥＴがオン状態で、シャントＦＥＴがオフ状態のときに、ＳＰＳＴスイッチ回路はオン状態になる。ＦＥＴのバックゲートには寄生ダイオードが存在し、入力交流信号電圧が所定の閾値を超えると、寄生ダイオードがオン状態になる。その結果、ＳＰＳＴスイッチ回路はスイッチ・デバイスとしての線形動作を維持できなくなり、挿入損失特性やゆがみ特性が悪化する場合がある。
【解決手段】ＦＥＴのバックゲートに、バイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設ける。このバイアス電源として、ＤＣ−ＤＣ変換回路を用いることで、ＳＰＳＴスイッチ回路をシリコン半導体チップ化することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】 線形サンプリングスイッチ
【手段】 サンプリング回路はｐチャネル及びｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成される。ｐチャネルＦＥＴ（４２）のソースノードはｎチャネルＦＥＴ（４０）のドレインノードに結合され、ｐチャネルＦＥＴ（４２）のドレインノードはｎチャネルＦＥＴ（４０）のソースノードに結合される。サンプリングクロックは各ＦＥＴのゲートノードに結合される。線形サンプリング回路の第１の側はアナログまたはＲＦ信号源に接続され、そして線形サンプリング回路の向う側は保持キャパシタ（４４）に接続される。ｎチャネルＦＥＴはｎチャネル幅を有する。ｐチャネルＦＥＴはｐチャネル幅を有する。結果としてスイッチのオン抵抗の線形性を増加させるために、ｐチャネル幅はｎチャネル幅よりも大きい。 （もっと読む）