【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路の提供する。
【解決手段】入力された信号の位相を反転させて出力する論理素子を２つ（第１の位相反転素子及び第２の位相反転素子）と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有する記憶素子であって、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと容量素子との組を２つ（第１のトランジスタと第１の容量素子との組、及び第２のトランジスタと第２の容量素子との組）有する。そして、信号処理回路が有する記憶装置に上記記憶素子を用いる。例えば、信号処理回路が有するレジスタ、キャッシュメモリ等の記憶装置に上記記憶素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路に対する電源電圧の供給及び遮断を選択することができるスイッチとして機能する回路（電源供給制御回路）として好ましい回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線と、電源電位を供給する第２の配線との電気的な接続を制御するトランジスタ、及び、信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線を接地させるか否かを制御するトランジスタとを設け、当該２つのトランジスタの少なくとも一方として、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを適用する。これにより、２つのトランジスタの少なくとも一のカットオフ電流に起因する消費電力を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を提供する。
【解決手段】第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、位相反転回路と、を有し、第１の記憶回路は、酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有する。酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、容量素子と、を用い不揮発性の記憶回路を構成する。また、記憶回路に接続する電源線、及び信号線を少なくし、当該記憶回路に用いるトランジスタ数を減少させることで、回路規模の小さい不揮発性の記憶回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】微細化に適し、且つ演算処理を行う各種論理回路において、演算処理を実行中に電源をオフする場合でも、電源をオフする直前に入力された電位を保持できる論理回路を提供することである。また、該論理回路を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力端子および出力端子と、入力端子および出力端子に電気的に接続された主要論理回路部と、入力端子および主要論理回路部に電気的に接続されたスイッチング素子を有し、スイッチング素子の第１端子は入力端子と電気的に接続されており、スイッチング素子の第２端子は主要論理回路を構成する１以上のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、スイッチング素子は、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０^−１７Ａ以下のトランジスタとする論理回路である。また、このような論理回路を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】少ないトランジスタ数で双方向スイッチを構成する。
【解決手段】双方向スイッチ装置は，ＨＥＭＴを有する双方向スイッチと，第１の条件時にＨＥＭＴのソースまたはドレインの一方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第１の電圧を印加してソースまたはドレインの他方の端子から一方の端子への第１の電流パスをオフにし，第２の条件時に他方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第２の電圧を印加して一方の端子から他方の端子への第２の電流パスをオフにし，第３の条件時にＨＥＭＴのソース及びドレインとゲートとの間に閾値電圧より高い第３の電圧を印加して第１，第２の電流パスをオンにする制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプ回路を駆動するクロックバッファ回路に流れる瞬時電流を抑制すること。
【解決手段】
第１のトランジスタ（Ｔ１１）のドレインを第１のキャパシタ（Ｃ１１）によって第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第１のバッファと、第１のトランジスタ（Ｔ１１）のゲートを第２のキャパシタ（Ｃ１２）によって第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第２のバッファとから構成される電圧変換回路おいて、
第１のバッファは，第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力が，第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力よりも低いことを特徴とする電圧変換回路。 （もっと読む）

【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、かつ消費電力の小さい無線通信装置及び高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】無線通信装置１００は、共用アンテナ１０１と、整合回路１１０、１２０と、高周波スイッチ回路１３０と、充電電力受電回路１４０と、応答器１５０と、から構成される。高周波スイッチ回路１３０は、電界効果トランジスタ１３１、１３２と、検波回路と、を備える。電界効果トランジスタ１３１、１３２のソース端子は共通接続される。検波回路は共通接続点に接続され、電界効果トランジスタ１３１のドレイン端子から出力された高周波信号を検波し、共通接続点の電位を基準とした検波電圧を電界効果トランジスタ１３１、１３２のゲート端子に印加する。電界効果トランジスタ１３１、１３２のドレイン端子間のインピーダンスは検波電圧に従って変化する。 （もっと読む）

【課題】 選択する容量の数に関わらずにそのオン抵抗を一定に保つことができる可変インピーダンス装置及びそれを用いた無線システムを提供する。
【解決手段】 一対の入出力端子１０１、１０２と、一対の入出力端子間に並列に接続された複数の回路ブロックＢＬ１〜ＢＬ４と、を備え、回路ブロックは、一対の入出力端子の一方に一端が接続された容量性回路要素Ｃ１〜Ｃ４と、容量性回路要素の他端と一対の入出力端子の他方との間に互い並列に接続された回路ブロックの数以上の数のスイッチ素子ＳＷ１−１〜ＳＷ４−４を備えるスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】保持電圧の下降または上昇傾きを良好に調整可能なホールド回路を提供すること。
【解決手段】ホールド回路１０は、入力端子２０、第１出力端子２２、基準電圧端子２４、オペアンプ３０、ダイオード３２、コンデンサ３６、抵抗Ｒ０、電圧発生回路５０、を備えている。コンデンサ３６は、一端が接続点２６に接続され、他端が基準電圧端子２４に接続される。抵抗Ｒ０は、一端が接続点２６に接続される。ダイオード５２のアノードが、オペアンプ３８を介して接続点２６に接続される。抵抗Ｒ０の他端と中間接続点５８とが接続される。オペアンプ３０は、非反転入力端子３０ｂが入力端子２０に接続され、反転入力端子３０ａが接続点２６に接続され、出力端子３０ｃがダイオード３２に接続される。電圧発生回路５０は、ダイオード５２に入力される出力電圧Ｖ２２から変化させたオフセット電圧Ｖ２３を生成して、中間接続点５８から出力する。 （もっと読む）

【課題】高位電源の電位より高い又は低位電源の電位より低い伝送信号を、ＭＯＳトランジスタを用いたアナログスイッチにより好適に阻止可能なアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１のアナログスイッチ１１と、第１のアナログスイッチ１１の制御端子１１ｃに至る制御信号経路２１上に設けられた第２のアナログスイッチ１２と、伝送信号の電位が所定の高電位レベルより高い場合又は伝送信号の電位が所定の低電位レベルより低い場合に第１のアナログスイッチ１１の一方の入出力端子１１ａと制御端子１１ｃとを短絡するよう構成された第３のアナログスイッチ１３と、を備え、第２のアナログスイッチ１２は、少なくとも第３のアナログスイッチ１３が第１のアナログスイッチ１１の一方の入出力端子１１ａと制御端子１１ｃとを短絡する場合に、所定のレベルの電位が印加されてオフするようＭＯＳトランジスタを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ３により短絡状態の場合は、電源電圧ＶＤＤからＦＥＴゲート電圧出力端子ＦＥＴ＿ＰＡＤ（外部ＦＥＴ０）に電流が流れる経路をＰＭＯＳトランジスタＭＰ０及び短絡電流検出用抵抗素子Ｒ０を経由する経路から、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及び抵抗素子Ｒｐｕを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視ＩＣ１４が破壊されるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電子スイッチの開放されたスイッチを通したリーク電流は、信号クロストークを引き起こす。
【解決手段】スイッチング用の電子回路は少なくとも４個の電子スイッチ２００のセット１００を備える。第１サブセット１１０の少なくとも２個の電子スイッチ２１０，２３０は直列接続され、第２サブセット１２０の少なくとも２個の電子スイッチ２２０，２４０は直列接続される。前記第１サブセット１１０の第１電子スイッチ２１０に接続される第１バッファ３１０、及び前記第２サブセット１２０の第２電子スイッチ２２０に接続される第２バッファ３２０を備え、前記第１バッファ３１０は開状態における前記第１電子スイッチ２１０を通した電圧降下を最小化し、前記第２バッファ３２０は開状態における前記第２電子スイッチ２２０を通した電圧降下を最小化する。また２個のサブセット１１０，１２０の間に配され、グランドに接続されたスイッチ４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチングデバイスが完全な機能を維持していることを保証するために、サービス中にそれらを試験する方法を提供する。
【解決手段】負荷および電圧源２に接続するためのスイッチング回路１であって、負荷への電力をスイッチオンおよびスイッチオフするための１つまたは複数のスイッチングデバイス６、７、．．．、ｎと、負荷を短絡し、それにより負荷を電圧源から隔離するためのプルダウンデバイス４と、一度に複数のスイッチングデバイスのうちの少なくとも１つを起動するために、電圧源が負荷から隔離されている間に動作させることができるコントローラ３とを備え、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスを通って電流が流れ、この電流を測定して、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスが適切に動作しているかどうかを試験することができるスイッチング回路１が開示される。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を向上させたサンプルホールド回路を提供すること。
【解決手段】入力電圧を入力する入力端子と、入力電圧に基づいたサンプリング電圧をホールドする複数の容量と、入力端子と記複数の容量との間に夫々接続された複数の入力スイッチと、複数の容量のホールド電圧を出力する出力端子と、を備え、複数の容量は、複数の入力スイッチによって異なるタイミングで入力電圧をサンプリングし、複数の容量のホールド電圧の平均化処理を行って出力端子に出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高パワーの高周波信号に対する耐圧を維持しながら小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。前記ＦＥＴは、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極に供給されるゲート電圧によりＯＮ／ＯＦＦ制御され、前記ＦＥＴがＯＮ状態にある時、前記制御端子をアース電位とし、前記ＦＥＴがＯＦＦ状態にある時、前記制御端子を正電位または負電位とする。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝達経路における高調波特性を良好に維持しつつ、回路規模が縮小された高周波スイッチを提供する。
【解決手段】１つの送信ポート１０と、１つの受信ポート２０と、共通ポート３０と、送信側シリーズスイッチ４０と、送信側シャントスイッチ５０と、受信側シリーズスイッチ６０と、受信側シャントスイッチ７０とを有する。送信ポートは、送信信号を入力し、受信ポートは、受信信号を出力し、共通ポートは、送信信号を送信するか、または受信信号を受信する。送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。受信側シャントスイッチは、受信ポートとグランドとの間に接続され、フローティングボディ型ＦＥＴである。 （もっと読む）