【課題】 並列に接続された複数の半導体スイッチ素子に過電流が流れているか否かを精度良く検出可能な駆動装置等を提供する。
【解決手段】 駆動装置１００は、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１と、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１の第２の端子Ｅでの電流を検出するための検出ノードＳＯと、第１の半導体素子スイッチＩＧＢＴ１と並列に接続される少なくとも１つの半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ２と、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１及び少なくとも１つの半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ２を駆動する駆動回路ＤＲと、第１の抵抗ＲＧ１と、少なくとも１組の抵抗ＲＧ２，ＲＥ２及び少なくとも１組のコモンモードフィルタＬＧ２，ＬＥ２とを備える。ＲＧ１の抵抗値は、ＲＧ２の抵抗値とＲＥ２の抵抗値とを加算した値に等しい。駆動回路ＤＲの第２の駆動ノードＥＯは、何れの抵抗も介さず、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１の第２の端子Ｅと直接に接続される。 （もっと読む）

【課題】パワー素子にクランプ回路を接続してパワー素子の駆動端子に印加される電圧を所定電圧にクランプするに際し、スイッチング素子を駆動するための定電流の消費電流を削減できる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】クランプ回路５０は駆動端子４１に接続されており、ドライバ回路３０が駆動端子４１に定電流を流すことにより駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達すると、駆動端子４１に印加される電圧を所定電圧にクランプする。また、ドライバ回路３０は、パワー素子４０の駆動端子４１に定電流を流すことでパワー素子４０をオン駆動する。さらに、ドライバ回路３０は、駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達した後、駆動端子４１に流す定電流の電流量を、駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達するまでに駆動端子４１に流す定電流の電流量よりも低減する可変定電流回路３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するための定電流のばらつきを低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】シャント抵抗２０の一端側をオペアンプ３４の反転入力端子に接続し、シャント抵抗２０の他端側を基準電源３２を介してオペアンプ３４の非反転入力端子に接続する。シャント抵抗２０に流れる電流は、駆動回路３０内の第１スイッチング素子３５を介して負荷１０であるＩＧＢＴのゲートに流れるようになっている。これにより、基準電源３２の基準電圧の値をＶｒｅｆとし、シャント抵抗２０の抵抗値をＲｏｕｔとし、負荷１０に流れる定電流の値をＩｃとすると、Ｖｒｅｆ＝Ｒｏｕｔ×Ｉｃとなるようにオペアンプ３４が第１スイッチング素子３５のゲートをフィードバック制御する。これにより、シャント抵抗２０に流れる電流の大きさが一定に制御され、ひいては負荷１０に流す定電流のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動装置において負荷を駆動するためのスルーレートが狙い値となるように負荷駆動装置を製造する。
【解決手段】まず、半導体基板に第１基準電源３２、スイッチング素子３４、電流生成部３５、およびオペアンプ３３を備えた駆動回路３０を形成する。この場合、第１基準電源３２の第１基準電圧を調整することにより、負荷１０に流す定電流の大きさを調整する。続いて、電流生成部３５で生成されるテール電流が大きくなるようにテール電流のトリミングを行うことでオペアンプ３３のスルーレートを調整する。これにより、オペアンプ３３がスイッチング素子３４を駆動したときに負荷１０に流れる定電流が一定値に達するまでの定電流の立ち上がりの傾きを狙い値に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】３相ブラシレスモータの駆動時に発生するノイズを効果的に低減すること。
【解決手段】本発明は、３相ブラシレスモータに適用されるノイズ低減構造であって、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向し、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする際に形成されるそれぞれの電流ループが、基板表面に垂直な方向で互いに対向することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート端子の入力容量の充放電に伴うスイッチングの遅れを防止して電力用半導体スイッチング素子を高速にスイッチングする。
【解決手段】ＩＧＢＴ１がオフしているときに第１の充放電コンデンサＣ１を充電し、ＩＧＢＴ１がオフからオンにスイッチングするときに、正端子Ｐを介した電源電圧と第１の充放電コンデンサＣ１の充電電圧とを直列に合成した順方向の高電圧によりＩＧＢＴ１のゲート端子１ｇの入力容量Ｃｉを瞬時に初期充電して迅速にオンする。また、ＩＧＢＴ１がオフしているときに第２の充放電コンデンサＣ２を充電し、ＩＧＢＴ１がオンからオフにスイッチングするときに、負端子Ｎを介した電源電圧と第２の充放電コンデンサＣ２の充電電圧とを直列に合成した逆方向の高電圧により入力容量Ｃｉを瞬時に初期放電して迅速にオフする。 （もっと読む）

【課題】容量性負荷の充放電回路における省電力効果を高めること。
【解決手段】容量性負荷の充放電回路は、充放電部と、蓄電素子と、電位調整部と、経路選択部とを有する。充放電部は、容量性負荷の電位がアナログ信号の電位変化パターンに倣って変化するように容量性負荷に対する充放電を行う。蓄電素子は、電源部からの電流によって充電されるとともに容量性負荷に対する充電時の電流源となる。電位調整部は、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、アナログ信号の電位よりも所定量低くするように調整する。経路選択部は、容量性負荷からの電荷を電源部と蓄電素子の少なくとも一方に流す回生経路と、容量性負荷からの電荷をグランド側に流す放電経路とを、アナログ信号の電位に応じて選択する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを駆動するものであって、ゲート電圧ＶＧ（図１ではゲート電圧ＶＧの分圧電圧Ｖａ）と所定の閾値電圧Ｖｂとの高低関係を検出する電圧検出回路４１と、電圧検出回路４１の検出結果に基づいて出力トランジスタＴｒのゲートと電源電圧ＶＣＣの印加端との間を導通／遮断するスイッチ５１と、を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を有する半導体集積回路装置において、プルダウン用半導体素子を確実に動作させてパワー半導体素子をオフ状態にすること。
【解決手段】プルダウン用トランジスタ２６のゲート端子と、ゲート信号を入力とするしきい値回路２５の間に、バッファ回路２９が設けられる。バッファ回路２９には、外部のバッテリー電源２３からパワー半導体素子２４の出力端子に印加される電圧が抵抗型素子２８を介して供給される。しきい値回路２５から出力されるオン信号のレベルがバッファ回路２９でプルダウン用トランジスタ２６のしきい値よりも高い電圧に変換されることによって、ゲート信号のレベルが低くても、プルダウン用トランジスタ２６が確実に動作し、パワー半導体素子２４がオフ状態となる。 （もっと読む）

【課題】主スイッチング素子のターンオフ，ターンオン動作を、コンデンサを用いることで高速化しスイッチング損失を低減させる。
【解決手段】主スイッチング素子１の例えばオン期間中に、電源電圧１１によりコンデンサ１５を充電し、このコンデンサ１５に蓄積された電圧を、主スイッチング素子１がオフする際の逆バイアス電源として用いることより、特に負電圧用の電源を用いることなく高速なターンオフ動作を可能にし、スイッチング損失の低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】電子制御システム内の装置が２線又は３線動作を可能にする。
【解決手段】電源（１５０）は、２線及び３線装置の両方において、閉回路に電力を供給することができる。２つの別々のゼロクロス検出器が、２線及び３線の両方の装置内でタイミング情報を収集できるような形で使用される。両方のゼロクロス検出器（１１０）が監視され、電子制御を自動的に構成するために使用される。過電圧回路は、オフ状態にあるＭＯＳＦＥＴを横断して過電圧状態を検知し、望ましくはアバランシェ領域に達することがないようにＭＯＳＦＥＴをオンに切換える。過電流回路は、ＭＯＳＦＥＴを通る電流が予め定められた電流閾値を上回った時点でそれを検知し、その後、そのＭＯＳＦＥＴの安全動作領域（ＳＯＡ）曲線を超えないようにＭＯＳＦＥＴをオフに切換える。 （もっと読む）

【課題】電子制御システム内の装置が２線又は３線動作を可能にする。
【解決手段】電源（１５０）は、２線及び３線装置の両方において、閉回路に電力を供給することができる。２つの別々のゼロクロス検出器が、２線及び３線の両方の装置内でタイミング情報を収集できるような形で使用される。両方のゼロクロス検出器（１１０）が監視され、電子制御を自動的に構成するために使用される。過電圧回路は、オフ状態にあるＭＯＳＦＥＴを横断して過電圧状態を検知し、望ましくはアバランシェ領域に達することがないようにＭＯＳＦＥＴをオンに切換える。過電流回路は、ＭＯＳＦＥＴを通る電流が予め定められた電流閾値を上回った時点でそれを検知し、その後、そのＭＯＳＦＥＴの安全動作領域（ＳＯＡ）曲線を超えないようにＭＯＳＦＥＴをオフに切換える。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ等の高価な絶縁式の信号伝達手段を用いることなく、外部との間で絶縁しつつ信号を伝達することが可能なパワー半導体の駆動回路、およびパワー半導体の駆動回路の信号伝達方法を提供する。
【解決手段】駆動回路１００に、外部から入力されたパルス信号を受信するトランス１２０と、前記パルス信号を増幅して増幅信号を生成するチョッパ型アンプからなる増幅回路１３０と、前記増幅信号のパルス幅を拡張して拡張信号を生成するピークホールド回路からなる拡張回路１４０と、前記拡張信号がセット入力端子に入力されるＲＳフリップフロップ回路１５０と、ＲＳフリップフロップ回路１５０の出力信号に対して所定時間遅延した遅延信号を生成し、ＲＳフリップフロップ回路１５０のリセット入力端子に入力する遅延回路１６０と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が低い場合でも、安定して所定値以上の電圧を出力することのできるハイサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路を提供する。
【解決手段】ハイサイドチャージポンプ１００は、トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）、コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）、ダイオード（Ｄ１〜Ｄ３）を備える。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭに接続される。コンデンサＣ１の低圧側は、トランジスタＭ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭ、又は、トランジスタＭ１に同期して駆動されるトランジスタＭ２を介して接地される。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ３を介して、ローサイドチャージポンプ６０の出力電圧としてのローサイド側駆動電圧ＶＬが供給される。このコンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ２を介して、ハイサイドプリドライバ回路に接続されるハイサイド側駆動電圧ＶＨを出力する端子となっている。 （もっと読む）

【課題】
商用電源の交流電圧に対する重畳ノイズ及び波形歪みに対して、ゼロクロスを定周期にかつ安定に検出することができるゼロクロス検出回路を実現する。
【解決手段】
交流電圧がゼロ電位をクロスするタイミングに同期したパルス信号を生成するゼロクロス検出回路において、前記交流電圧の正の半サイクル又は負の半サイクルの少なくともいずれかに同期した矩形波信号を生成する矩形波変換手段と、前記矩形波信号によりトリガされるモノステイブルマルチバイブレータ手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターンオン時及びターンオフ時の過渡時、消費電力のロスを低減でき、且つ出力電流の高周波成分によるＥＭＩノイズの発生を低減することができる駆動回路を提供する。
【解決手段】一方の端子に負荷が接続されたドライバ素子２のオン／オフを制御する駆動回路であって、ドライバ素子２の制御端子に電流を流し込むスイッチ素子４と、ドライバ素子２の制御端子から電流を引き出すスイッチ素子３とを有するスイッチング回路１と、ドライバ素子２の制御端子と他方の端子との間に設けられた容量素子８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力供給制御装置において、異常を精度高く検出しうる構成を提供する。
【解決手段】 電力供給制御装置１０は、パワーＭＯＳＦＥＴ１５と、パワーＭＯＳＦＥＴ１５の電流量に応じたセンス電流が流れるセンスＭＯＳＦＥＴ１６と、センス電流と閾値電流とに基づいて、パワーＭＯＳＦＥＴ１５に流れる電流の異常検出を行う異常検出回路１３とがワンチップ化されて半導体スイッチ素子１１が構成されている。半導体スイッチ素子１１の外部には、パワーＭＯＳＦＥＴ１５のソース端子に接続され、他端が、半導体スイッチ素子１１の外部端子Ｐ４と接続され、一端の接続点の電圧レベルＶｓに応じた電流を、外部端子Ｐ４を通して流す外付け抵抗１２が設けられている。異常検出回路１３は、外部端子Ｐ４に接続されると共に、外部端子Ｐ４を通して流れる電流に応じた閾値電流Ｉａ、Ｉｂと、センス電流とを比較することに基づき異常信号ＳＣ，ＯＣを出力する。 （もっと読む）

【課題】 駆動用半導体素子のリーク電流測定を正確に行うことを可能とする半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】 負荷２に通電を行うためのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１についてリーク電流を測定したい場合には、ＦＥＴ２１をオフにしＦＥＴ１のゲートと電源との電気的接続を断つことでＦＥＴ１と制御ＩＣ２４とを電気的に接続した状態でも、リーク電流を容易に測定することが可能となる。 （もっと読む）