【課題】良好な逆回復特性と良好なＥＭＣとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】よりゲート電圧の傾きのバラツキを小さくすることで、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくする。
【解決手段】オフ保持デバイス５に対してオフ許可信号が禁止状態から許可状態に切り替わったことが伝わることを制御遅延演算回路６によって遅延時間だけ遅らせるようにする。これにより、遅延時間経過後に、既に定電流の狙い値まで達して安定した値になっている定電流駆動回路３０の出力電流をスイッチング素子１のゲート１ａに供給されるようにできる。したがって、ゲート電圧の立ち上がり傾きのバラツキを小さくすることができ、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】直流電源１１からスイッチ用のＦＥＴ１２を経て負荷１４へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧に比例した電流Ｉを生成する電流変換回路４と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成された過電流検出用電圧発生回路６とを直列接続し、その接続点Ｓの電圧を過電流検出用電圧Ｖ_S とする。過電流検出回路５から制御回路３へ過電流検出信号が入力されて来たとき、制御回路３はＦＥＴ１２をオフする。過電流検出用電圧発生回路６の回路定数の設定を工夫することにより、Ｖ_S を速やかに大になるようにすることが出来、１種類の保護回路で大過電流時にも保護が出来る。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時の電流の急激な変化を抑制しオン状態でのオン抵抗を抑制する。
【解決手段】電源回路内の第１のノードと第２のノードとの間に設けられるスイッチング回路装置であって，前記第１または第２のノードにインダクタが接続され，第１のノードと第２のノードとの間に設けられ第１のゲート幅を有する第１のトランジスタと，第１のノードと第２のノードとの間に第１のトランジスタに並列に設けられ第１のゲート幅より大きい第２のゲート幅を有する第２のトランジスタと，電源回路の出力電圧に応じて生成される制御信号に応答して，第１のトランジスタをオン，オフに駆動する第１の駆動信号と，第２のトランジスタをオン，オフに駆動する第２の駆動信号とを，時間的にずらして出力する駆動信号生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の走査信号線の駆動回路において、走査信号線の出力波形なまりを改善し、表示品質を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の信号線Ｇ_ｎに対して、順に画素トランジスタを導通させる電位であるアクティブ電位を印加する駆動回路２１０を備え、前記駆動回路２１０は、前記複数の信号線のうちの一の信号線である出力信号線の一端に、より上位の前記出力信号線において出力されるアクティブ電位が入力されることに起因して、クロック信号を印加してアクティブ電位を出力させる主駆動回路２４０と、前記出力信号線の他端、及び前記クロック信号の信号線が、ソース／ドレインを介して接続されたトランジスタである補助トランジスタを含む補助駆動回路２５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】急激なアンダーシュート波形が生成されることにより発振状態になって不安定な動作を引き起こすことを防止する。
【解決手段】パワー素子４をオンさせる際に、パワー素子４の制御端子４１に比較的大きな電流を供給することで制御端子４１の電圧を比較的大きな勾配で上昇させつつ、制御端子４１の電圧がクランプ電圧に至ってから電圧状態が安定化するまでは、制御端子４１への比較的大きな電流の供給を保持する。そして、制御端子４１の電圧状態が安定化した後に、制御端子４１への電流供給が定電流回路３１のみから為されるようにし、比較的小さな電流が制御端子４１に供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 出力オフ時のスイッチング時間を短くすることのできるドライバ回路を提供する。
【解決手段】 実施形態のドライバ回路は、を駆動する出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１が、電源端子ＶＤＤと誘導性負荷ＲＬが接続される出力端子ＯＵＴとの間に接続され、抵抗Ｒ１が、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１のゲート端子とゲート電圧印加端子ＶＧとの間に接続され、ゲート電圧印加端子ＶＧに一端が接続された抵抗Ｒ２と、一端が抵抗Ｒ２の他端に接続され、他端が接地端子ＧＮＤに接続され、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１を制御する制御信号ＶＳＷにより導通が制御されるＮＭＯＳトランジスタＭＤ１とを備える。さらに、このドライバ回路は、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続され、他端が出力端子ＯＵＴに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＤ１の一端から出力される信号により導通が制御されるＰＮＰトランジスタＱ１を備える。 （もっと読む）

【課題】サージの発生を抑制すると共に半導体スイッチング素子のスイッチング速度を向上しつつ、回路規模を小さくすることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】時間設定手段４０から短絡検出区間が終了したことを示す時間設定信号を入力すると、この時間設定信号の入力をトリガとして駆動手段６０に対して半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に印加する駆動電流を増加するための電流制御信号を出力する。これにより、サージの発生が予想されるミラー区間後に行われる短絡状態の検出が終了した後は制御端子１１に印加される駆動電流ｉが増加するため、サージの発生を抑制しつつ、スイッチング速度が向上する。また、時間設定信号を利用して制御端子１１に流す駆動電流ｉの電流量を制御しているため、制御端子１１の電圧を検出するための構成が不要となり、回路規模が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第１の主電極Ｄｓｗと第２の主電極Ｓｓｗの間に配置された制御電極Ｇｓｗを有するスイッチング素子Ｔｓｗと、スイッチング素子Ｔｓｗの第１の主電極Ｄｓｗにアノード端子が接続された第１の整流素子Ｄ１、第１の整流素子Ｄ１のカソード端子に第１の主電極ＤＤ１が接続され、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第２の主電極ＳＤ１が接続された第１の駆動素子ＴＤ１、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第１の主電極ＤＤ２が接続され、スイッチング素子の第２の主電極Ｓｓｗに第２の主電極ＳＤ２が接続された第２の駆動素子ＴＤ２、及び、第１の駆動素子ＴＤ１の制御電極ＧＤ１と第２の駆動素子ＴＤ２の制御電極ＧＤ２にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子ＩＮ＿Ｈ，ＩＮ＿Ｌを有する駆動回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐高電圧スイッチ回路を通常のＭＯＳトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する
【解決手段】チャージポンプ回路１と、その電源のオン・オフを行う第１のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ３から構成されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、チャージポンプ回路１の電源オフ時に、チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第２および第３のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ４，５を介して放電する構成である。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させることを目的とする。
【解決手段】デジタル入力回路の分圧回路１１において、システム４からの入力信号が伝搬する信号ラインＬ１から分岐される分岐ラインＬ２にスイッチング素子２３を設け、このスイッチング素子２３をマイクロコントローラ３の動作タイミングに応じてオンオフ制御する。これにより、スイッチング素子２３がオフとされている期間において、分圧回路１１に流れる電流を遮断でき、消費電力を低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチがオフ状態（非導通状態）である場合の消費電力を低減する。
【解決手段】スイッチ制御回路は、制御端子に印加される電圧に基づいて、第１の電源線ＶＤＤから供給される電力を出力状態と非出力状態との間で切り替えるＰ−ＦＥＴ１１と、第１の電源線ＶＤＤと制御端子との間に接続される抵抗Ｒ１と、制御端子と第２の電源線との間に、第１のコンデンサーＣ１と第２のコンデンサーＣ２が直列に接続されているコンデンサー分圧回路１３と、第１のコンデンサーＣ１と並列に接続され、自素子の両端間の電位差が、予め定められた閾値以上である場合に導通状態になり、電位差が閾値未満である場合に非導通状態になる制御素子（ＺＤ）と、第２のコンデンサーＣ２と並列に接続され、自スイッチの両端間を導通状態と非導通状態との間で切り替えるスイッチＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断装置等に適用され、送信信号または反射信号の電位変動に対しスイッチの誤動作や素子の破壊を起こすことなく、生体からの反射信号を広帯域、低雑音で受信回路に伝送するT/Rスイッチ回路を実現する。
【解決手段】 ２つのMOSトランジスタのソースを共通に直列接続した共有ソース端子と、双方向スイッチ回路のゲート端子を共通に接続した共有ゲート端子と、２つのMOSトランジスタのドレインが入出力端子に接続されて構成される双方向スイッチ回路と、共有ゲート端子と共有ソース端子に接続され共有ソース端子の電位変動に対して共有ゲート端子の電位を同相で追従させ、スイッチのオンまたはオフ信号を共有ゲート端子に送るフローティングゲート電圧制御回路と、によりスイッチ回路を構成する。 （もっと読む）