【課題】閾値回路を低消費電力化する。
【解決手段】閾値回路は、ゲート端子が入力端子ＩＮに接続され、ソース端子が電源電位ＶＤＤに接続され、ドレイン端子が出力端子ＯＵＴに接続された第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１と、第１の端子が第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン端子および出力端子ＯＵＴに接続され、第２の端子が接地された電流制限部Ｉ１と、第１の端子が第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン端子および出力端子ＯＵＴに接続され、第２の端子が接地された電荷蓄積部Ｃ１とから構成される。電流制限部Ｉ１の電流値は、サブマイクロアンペア以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも２つの通信システムに共用可能なマルチバンド高周波回路を提供する。
【解決手段】 通信周波数が異なる複数の通信システムの無線通信を行うマルチバンド高周波回路であって、マルチバンドアンテナと送信側回路及び受信側回路との接続を切り替える高周波スイッチ回路と、高周波スイッチ回路と送信側回路との間に、送信信号を分波する第１の分波回路と、低周波側に接続される第１の増幅器及び第１の平衡−不平衡変換回路と、高周波側に接続される第２の増幅器及び第２の平衡−不平衡変換回路とを有し、高周波スイッチ回路と受信側回路との間に、受信信号を分波する第２の分波回路と、低周波側に接続された第３の平衡−不平衡変換回路と、高周波側に接続された第４の平衡−不平衡変換回路とを有するマルチバンド高周波回路。 （もっと読む）

【課題】連続通弧により半導体スイッチが故障に至るような誤動作を回避するドライブ回路を提供する。
【解決手段】外部から入力された駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０を駆動させるドライブ回路１０ｂであって、駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０の駆動制御を行うゲートドライバ１６と、ゲートドライバ１６による制御の状態にかかわらず、駆動信号の立ち上がりのタイミングに基づいて半導体スイッチ２０のスイッチング周期の終了時までの所定期間に強制的に半導体スイッチ２０をオフさせる強制オフ回路１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーオンリセット以外のリセットの場合に負荷を駆動し続け、パワーオンリセットの場合には、例えば負荷を駆動するための信号が与えられるまで、負荷を駆動しないようにすることが可能な負荷駆動装置、及び該負荷駆動装置を備える負荷駆動制御装置を提供する。
【解決手段】電源ラインＢＬ側と接地電位との間に直列に接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１からなる微分器が電源ラインＢＬの電圧の立ち上がりを微分した微分電圧に基づいて、入力端子２２１，２３１を電源ラインＢＬに夫々プルアップする抵抗Ｒ４，Ｒ１４の入力端子２２１，２３１側と接地電位との間にダイオードＤ３，Ｄ１３を介して接続されたＦＥＴＱ１が、少なくとも入力端子２２１，２３１に入出力ポート３５，３６より負荷Ｌ１，Ｌ２を駆動するための信号を与えられるまで導通する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、電源電位と接続された出力ノードと、出力ノードと電源電位より低電位である接地電位との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスター、第２のｎチャネル型トランジスターおよび第３のｎチャネル型トランジスターを有し、第１のｎチャネル型トランジスターの一端は、接地電位に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスターの一端に接続され、ゲート端子は、入力ノードに接続され、第２のｎチャネル型トランジスターの他端は、第３のｎチャネル型トランジスターに接続され、ゲート端子は、電源電位と接地電位との間に位置する第１中間電位に接続され、第３のｎチャネル型トランジスターの他端は出力ノードに接続され、ゲート端子は電源電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時間を短縮し、スイッチ回路の安定動作を可能にする高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】高周波スイッチ回路であって、送信用ＦＥＴ１０１ａ（第１スイッチ素子）と、シャント用ＦＥＴ１０４ａ（第２スイッチ素子）と、送信用ＦＥＴ１０１ａの制御端子に接続される第１バイアス抵抗素子２０１ａと、シャント用ＦＥＴ１０４ａの制御端子に接続される第２バイアス抵抗素子２０４ａと、制御信号出力端子５１０から出力される制御信号に応じて送信用ＦＥＴ１０１ａ及びシャント用ＦＥＴ１０４ａを制御する制御回路６１０とを備える。送信用ＦＥＴ１０１ａの制御端子の容量をＣ１、シャント用ＦＥＴ１０４ａの制御端子の容量をＣ２、第１バイアス抵抗素子２０１ａの抵抗値をＲｂ１、第２バイアス抵抗素子２０４ａの抵抗値をＲｂ２としたときに、Ｃ１＞Ｃ２、Ｒｂ１＜Ｒｂ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の消費電力削減を図る。
【解決手段】本発明に係るレベルシフト回路は、入力信号のレベルを、第１の電圧と前記第１の電圧より高い第２の電圧との間のレベルに変換するレベルシフト回路であって、入力信号（Ｖｉｎ）に基づいて、その周波数及び振幅のうち少なくとも一方が変化する発振信号を生成するセレクト回路１３と、セレクト回路１３から出力された発振信号（Ｖｎ１）の直流成分を除去して交流成分を出力するフィルタ回路１６と、第１の電圧とフィルタ回路１６の出力側電圧との間で動作し、発振信号（Ｖｉｎ）の交流成分における周波数及び振幅のうち少なくとも一方の変化に応じて、信号電圧が変化する制御信号（Ｖｎ２）を生成するディテクト回路１４と、制御信号に基づいて第１の電圧と第２の電圧の間のレベルを有する出力信号を生成する出力回路１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】許容電力と挿入損出との特性を両立させるとともに、アンテナスイッチ回路の小型化を可能とし、且つスイッチング状態の更なる安定化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明によるアンテナスイッチ回路は、送信ポートとアンテナポートとの間に直列に接続された直列トランジスタ回路と、前記送信ポートと前記アンテナポートとの間に並列に接続された並列トランジスタ回路と、前記送信ポートと前記並列トランジスタ回路との間に設けられ、インピーダンス変換を行うことによって、前記送信ポートから入力された送信信号の電圧振幅を所定の変換比率で縮小するインピーダンス変換回路とを備え、前記インピーダンス変換回路は、前記並列トランジスタ回路に出力される端子間電圧が当該並列トランジスタ回路の閾値以下となるように前記所定の変換比率が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護回路において、所望の遅延時間を実現する。また、遅延回路の小型化を図り、消費電力を低減させる。
【解決手段】遅延回路１００は、第１のインバータ１０１〜第３のインバータ１０３、第４のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ７、第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８、遅延抵抗１２１およびキャパシタ１２２で構成されている。遅延抵抗１２１は、第１のインバータ１０１の出力端子と第２のインバータ１０２の入力端子の間に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子は、遅延抵抗１２１と第２のインバータ１０２の入力端子の間のノード１１３に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子とドレイン端子の間には、キャパシタ１２２が接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８の帰還容量を用いることで、キャパシタ１２２の容量を、キャパシタ１２２の物理的な静電容量よりも擬似的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】スピーカにスイッチを直列接続し、ＰＷＭ回路のパルス出力によってスイッチに流す電流を制御するスピーカ駆動システムを提供する。
【解決手段】スピーカのボイスコイルの一方の駆動端子にスイッチ素子の一方の電流端子を接続し、スイッチ素子の制御端子にマイクロコンピュータを接続し、ボイスコイルの他方の駆動端子とスイッチ素子の他方の電流端子との内の一方を回路のグランド端子に、他方を電源端子に接続する。マイクロコンピュータは、ＰＷＭ回路によってパルス信号のデューティ比を制御し、ＰＷＭ回路から出力されるパルス信号のデューティ比に応じてスイッチ素子に電流を流すスイッチ制御信号を出力回路から前記制御端子に出力するデータ処理ユニットを有する。データ処理ユニットは無音時のパルス信号のデューティ比を第１値とし、発生させる音に応じて、第１値を中心にパルス信号のデューティ比を変化させるようにＰＷＭ回路を制御する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の立ち下がりのスロープ特性をその場で可変できる機能を有するドライバ回路を提供する。
【解決手段】入力信号ＴＸＤを受け、駆動出力ノードＮ１、Ｎ２から駆動信号Ｖ１、Ｖ２を出力する駆動制御回路１１、１２と、駆動信号Ｖ１、Ｖ２を受けて駆動されるＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８を有し、差動出力信号Ｖｄｉｆｆを外部負荷に送出する出力バッファ回路１３と、駆動制御回路１１、１２に付加され、入力信号ＴＸＤを受け、該入力信号の論理レベルが所定の方向に変化した時にＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８がオン状態からオフ状態に変化する動作の開始時間を短縮する動作開始加速回路１４、１５と、動作開始加速回路１４、１５に付加され、選択信号Ｖｓｅｌに応じてＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８がオン状態からオフ状態に変化する動作の終了時間を可変する動作終了可変回路１６、１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】信号の電力漏洩を抑制することができる切替回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の端子（Ｐ１）と、第２の端子（Ｔｘ）と、第３の端子（Ｒｘ）と、前記第１の端子及び前記第２の端子間に直列に接続される第１のトランジスタ（３０１）と、前記第１の端子及び前記第３の端子間において前記第１の端子側から順に接続される第１のインピーダンス変換素子（３１２）、第２のトランジスタ（３０２）、第３のトランジスタ（３０３）及び第２のインピーダンス変換素子（３１３）とを有し、前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタ及び前記第１のインピーダンス変換素子の相互接続点と基準電位ノードとの間に接続され、前記第３のトランジスタは、前記第１のインピーダンス変換素子及び第２のインピーダンス変換素子間に直列に接続される切替回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】より適切にリセット信号を出力することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、信号端子の電圧に応じてリセット信号が出力される出力端子と、信号端子と電源との間に接続され、接地にゲートが接続された第１のＭＯＳトランジスタと、信号端子と接地との間に接続された第１の容量素子と、信号端子と接地との間に接続され、第１の端子にゲートが接続された第２のＭＯＳトランジスタと、電源と第１の端子との間に接続され、接地にゲートが接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第１の端子と第２の端子との間に接続され、接地にゲートが接続された第４のＭＯＳトランジスタと、電源と第２の端子との間に接続された第２の容量素子と、第２の端子と接地との間に接続され、電源にゲートが接続された第５のＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作が可能でありながら、中間電源電圧の供給の有無に関わらず動作可能である表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】データ線ドライバ３が、出力アンプ回路１４と出力端子１６Ａ、１６Ｂとを具備する。出力アンプ回路１４は、電源電圧ＶＤＤと電圧ＶＭＬとの供給を受けて、正の駆動電圧を出力する正専用出力段２４Ａと、電源電圧と接地電圧の間の駆動電圧を出力可能な正負共用出力段２８とを備えている。正専用出力段２４Ａのプルダウン出力トランジスタは、ディプレッション型であり、正負共用出力段２８のプルダウン出力トランジスタは、エンハンスメント型である。電圧ＶＭＬがＶＤＤ／２に設定されたときは、正専用出力段２４Ａが正の駆動電圧を出力端子１６Ａ又は１６Ｂに出力する。電圧ＶＭＬが接地電圧ＶＳＳに設定されたときは、正負共用出力段２８が正の駆動電圧を出力端子１６Ａ又は１６Ｂに出力する。 （もっと読む）

【課題】充分な長さのリセット期間を安定して得ることができるパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】電源電圧ＶＤＤの値が第１閾値以上になると、第１スタートアップ回路２０によりバンドギャップリファレンス回路１０の安定動作が開始され、バンドギャップリファレンス回路１０から第１電圧値Ｖ_Ａが出力される。電源電圧の値が第１閾値より大きい第２閾値以上になると、第２スタートアップ回路４０により電圧分割回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ_３がオン状態となり、電圧分割回路３０から出力される第２電圧値Ｖ_Ｂは、抵抗器Ｒ_３１，Ｒ_３２の抵抗比に応じて電源電圧の値が分割された値となる。電圧比較回路５０から、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａより小さいときにリセットレベルの電圧値が出力され、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａ以上になると電源電圧レベルの電圧値が出力される。 （もっと読む）

【課題】シリーズＦＥＴおよびシャントＦＥＴとして４端子ＮＭＯＳＦＥＴを用いるＳＰＳＴスイッチ回路では、シリーズＦＥＴがオン状態で、シャントＦＥＴがオフ状態のときに、ＳＰＳＴスイッチ回路はオン状態になる。ＦＥＴのバックゲートには寄生ダイオードが存在し、入力交流信号電圧が所定の閾値を超えると、寄生ダイオードがオン状態になる。その結果、ＳＰＳＴスイッチ回路はスイッチ・デバイスとしての線形動作を維持できなくなり、挿入損失特性やゆがみ特性が悪化する場合がある。
【解決手段】ＦＥＴのバックゲートに、バイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設ける。このバイアス電源として、ＤＣ−ＤＣ変換回路を用いることで、ＳＰＳＴスイッチ回路をシリコン半導体チップ化することが容易になる。 （もっと読む）

エネルギ効率を改善するよう、スイッチ回路（２）に給電する供給回路（１）は、電源（７）から第１の量の入力電力を受けて、スイッチ回路（２）の制御部（３）を有する出力回路（５）へ第１の量の出力電力を供給する第１の供給モードと、第２の量の入力電力を受けて、第２の量の出力電力を供給する第２の供給モードとを有する。第１の量の出力電力は、第２の量の出力電力よりも大きい。第２の量の入力電力は、零よりも大きく、且つ、スイッチ回路（２）を動作させるのに必要なスイッチ電力の量よりも小さい。スイッチ回路（２）は、負荷（８）を切り換えるリレーを有してよい。第１の量の入力電力は、リレーの主接触部を介して到達してよい。スイッチ（４７）は、出力信号レベルを切り替えてよい。リレーは、双安定リレーであってよい。
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【課題】低損失かつ高精度の電流検出手段を有するレノイド電流制御回路を提供することにある。
【解決手段】
直流電源１に対して直列接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ４とローサイドＭＯＳＦＥＴ５との接続点からソレノイド６に電流を供給する。制御回路３は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴのオンオフを制御する。センスＭＯＳＦＥＴ７とセンス抵抗８との直列回路が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ５と並列に接続される。誤差増幅器９は、センス抵抗８の両端の電圧を増幅する。制御回路２の電流算出部２Ａ，２Ｂは、誤差増幅器の出力値を用いて、ローサイドＭＯＳＦＥＴがオフとなる期間の電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘導負荷に流れる負荷電流を止めなくても、負荷電流の電流検出部のオフセットを検出して補正をすることができる、誘導負荷制御装置の提供を目的とする。
【解決手段】誘導負荷３０に流れる負荷電流の電流検出値を出力する電流検出回路１２と、電流検出値に電流検出回路１２のオフセットを反映することにより電流検出値を補正した補正検出値を出力する補正回路１３と、負荷電流の電流値がその指示値に一致するように、補正検出値に基づいて、誘導負荷３０を駆動するためのＰＷＭ信号のデューティ比を制御する制御回路１４とを備えており、制御回路１４は、負荷電流の電流値が安定した状態での制御方式を、閉ループ制御からその閉ループ制御で制御されていたデューティ比を維持するように制御する開ループ制御に切り替え、開ループ制御に切り替えられた状態で電流検出回路１２のオフセットが検出される、誘導負荷制御装置。 （もっと読む）