【課題】 しきい値を的確に可変して過電流検出の誤作動を防止する。
【解決手段】 過電流検出回路6Bは、Ｑ２のエミッタと出力端子Ｏの間の電流検出抵抗Ｒ11の両端間に抵抗Ｒ21、Ｒ31が接続されている。Ｒ31の両端が過電流検出トランジスタＱ５のベース−エミッタ間に接続されており、出力端子Ｏと−Ｖ_B の間にダイオードＤ21、抵抗Ｒ61が接続されており、Ｄ21のカソードがＱ５のエミッタと接続されている。Ｒ21とＲ31の接続点とグランド間には抵抗Ｒ51とＤ11が接続されており、Ｒ51とＤ11の接続点とＱ２のエミッタの間にコンデンサＣ21が接続されている。Ｒ51、Ｄ11、Ｃ21のしきい値可変回路９Ａは出力電圧の大きさが大きくなるとしきい値を大きくし、出力電圧の大きさが小さくなるとしきい値を小さくするが、Ｃ21とＤ11により、出力電圧の大きさが増加するときはしきい値を早く増大変化させ、減少するときはしきい値をゆっくり減少変化させる。 （もっと読む）

【課題】 低消費電流化と高速動作化のトレードオフを克服し、貫通電流防止と駆動効率向上を可能にする誘導素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 ＰＷＭ信号を入力する入力端子１１と、ソースが第１の電源端子に接続されたＰＭＯＳ高耐圧トランジスタＭ０と、ソースがＧＮＤに接続され、ドレインがトランジスタＭ０のドレインに接続されたＮＭＯＳ高耐圧トランジスタＭ１と、トランジスタＭ０のドレイン及びトランジスタＭ１のドレインの接続点に設けられ、誘導素子Ｌ１を駆動する信号を出力する出力端子１２と、出力端子１２の電位変化を検出してトランジスタＭ０をオフした後にトランジスタＭ１をオンする電圧検出回路９とを備える。この電圧検出回路９は、出力端子１２の端子電圧ＶＬＸがＬｏｗになったことを検知し、Ｈｉｇｈを出力してトランジスタＭ１をオンするので、貫通電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】メモリの出力バッファの平均電流値を低減し、消費電流を抑制すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、メモリリードアドレスＤの連続性を判定し、判定結果Ｈを出力するアドレス連続性判定回路２３と、判定結果Ｈに基づいて、メモリリードアドレスＤに対応するリードデータを出力するメモリの出力バッファ２２の駆動能力を制御する駆動能力切り替え制御回路２４と、ＣＰＵの要求リードアドレスＡに対応するリードデータが当該ＣＰＵへ到達するまでの期間に、ＣＰＵ要求リードアドレスＡに連続する予想アドレスを生成するアドレス生成部１２と、予想アドレスに対応するリードデータを格納するプリロードバッファ１４を備える。 （もっと読む）

【課題】
内部電源電圧を遮断するパワーダウンモードへの移行を誤動作無く確実に実行するパワーダウンモードの移行シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧から降圧してシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する第１の内部回路３０と、電源電圧を供給されて動作する入出力回路２４と、第１の内部回路３０からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換するレベルシフタ２３と、システム電圧発生回路１０を制御する制御回路４０とを備え、制御回路４０は起動信号Ｐ４を入力し、この起動信号に所定の遅延時間を与えた短絡制御信号Ｐ５を出力する遅延回路１００を有し、起動信号はレベルシフタ２３を非活性又は活性として制御し、短絡制御信号はシステム電圧発生回路１０を停止状態又は動作状態として制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】高電圧処理能力および改善された実行能力を有する効率的なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１および第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタを有し、第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタは、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタよりも大きな降伏電圧を有する。さらに、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタと並列に配置されるシリコンダイオードを有し、この並列配置は、第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタと直列に接続、効率的な３端子デバイスであり、第１端子は第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのゲート、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのソースおよびシリコンダイオードのアノードに結合する。第２端子は第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのゲートと結合し、第３端子は第２ＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのドレインと結合する。 （もっと読む）

【課題】商用交流電源から電子機器への電力供給をオン又はオフするために使用者が操作するスイッチ部品として、各国の安全規格を満たさないスイッチ部品であっても自在に利用可能な電子スイッチ装置を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、発振手段が、操作スイッチにより二次側コイルの両端が開放されると発振し、該二次側コイルの両端が短絡されると、一次側コイルのインダクタ値の減少に起因し発振が停止するので、二次側コイルの両端の状態が発振手段からの出力の出力態様に反映される。よって、かかる出力態様に基づくことにより、電力供給路の導通又は遮断を操作スイッチの操作状態に応じて行うことができる。ここで、操作スイッチが接続される二次側コイルは、一次側コイルに対して絶縁されているので、各国の安全規格を満たさないスイッチ部品を操作スイッチとして使用したとしても、操作スイッチを操作する使用者の安全を確保できる。 （もっと読む）

【課題】チップやパッケージのサイズやコストの増加を抑えるとともに、安定動作が実現できる半導体スイッチ集積回路を提供する。
【解決手段】制御電圧印加端子と、オン状態のＦＥＴとオフ状態のＦＥＴの接続点との間に、抵抗素子を接続する。さらにオフ状態のＦＥＴのソース端子とドレイン端子との間に抵抗素子を接続する。その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】誤動作を起こす可能性があった。
【解決手段】電源投入初期もしくは電源電圧降下時にリセット信号を発生し初期化するパワーオンリセット回路であって、電源電圧に応じた電圧を分圧した第１の比較電圧を生成する第１の比較電圧生成部と、電源電圧に応じた第１の電圧を出力する基準電圧生成部と、電源電圧端子と第１のノードとの間に接続され、制御端子に前記第１の電圧を入力するデプレッション型の第１のトランジスタと、前記第１のノードと接地端子との間に接続され、制御端子が前記第１のノードに接続されるエンハンスメント型の第２のトランジスタと、を備え、前記第１のノードの電位に応じた電圧を第２の比較電圧として生成する第２の比較電圧生成部と、前記第１、第２の比較電圧との比較結果に応じてリセット信号を出力する比較器と、を有するパワーオンリセット回路。 （もっと読む）

【課題】大きなパルス幅を有する大電力の高周波信号が入力された場合であっても、リミタ回路および受信回路の増幅器が破壊されることを抑制することができる送受信モジュールを提供する。
【解決手段】アンテナ１１と、リミタ回路１６および受信系電力増幅器１７を備えた受信回路１４と、送信系電力増幅器２０を備えた送信回路１５とが、送受信切替スイッチ１３により接続され、アンテナ１１と送受信切替スイッチ１３の間に設けられた検波回路１２により、送受信切替スイッチ１３を制御する制御信号を生成する。送受信切替スイッチ１３は、制御信号が入力されない状態ではアンテナ１１と受信回路１４とを導通させ、制御信号が入力されるとアンテナ１１と送信回路１５とを導通させる。制御信号は、送受信切替スイッチ１３に信号が入力された時から、リミタ回路１６の熱時定数よりも短い時間までの間に送受信切替スイッチ１３に入力される。 （もっと読む）

【課題】入力信号に対する増幅器の出力信号の利得特性を線形化するために必要な回路の面積を低減できる半導体集積回路装置及び送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、切り替え可能な複数の第１の利得特性を有し、入力信号に対して前記第１の利得特性を切り替えて中間信号を生成し、第２の利得特性を有する回路に前記中間信号を出力する線形化回路を備え、前記線形化回路は、少なくとも１つの第１の整流素子を有し、前記入力信号を線形化する線形化器と、前記第１の整流素子と逆極性の複数の第２の整流素子と、制御信号に基づき前記複数の第２の整流素子のうち少なくとも１つを選択する第１の切り替え部とを有し、前記線形化器に並列に接続され、前記線形化器による前記入力信号の線形化を抑制する線形化抑制器とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下したときに信号保持回路での信号保持を確実に解除する。
【解決手段】出力端子ｔｏを複数の入力端子のうちの1つｔｂに接続し、残りの外部入力端子ｔａに外部信号が入力される論理和回路１４と、該論理和回路14の出力端子に接続された単一パルスを生成するパルス生成回路１５とを備え、前記論理和回路１４の前記外部入力端子ｔｂにハイレベルのパルス信号が入力されたときに、当該論理和回路１４の出力をハイレベルに保持する信号保持回路１３であって、前記論理和回路１４の前記出力端子ｔｏと前記入力端子ｔｂとの間に、電源電圧低下時に当該論理和回路１４によるハイレベル保持状態を解除する電圧を高めるダイオードＤを介挿した。 （もっと読む）

【課題】低消費電力動作を実現しつつ信号処理に向けた論理判定時間を格段に削減することができる。
【解決手段】入力電圧と参照電圧とを比較して論理判定結果の出力電圧を発生して差動増幅器を含むコンパレータ回路において、微小電流であるバイアス電流を発生して差動増幅器に供給する電流源と、差動増幅器からの差動電圧を反転して反転信号を出力する第１のインバータ回路と、電流源のバイアス電流を検出し、第１のインバータ回路の貫通電流を検出し、検出したバイアス電流及び検出した貫通電流に基づいて、差動増幅器が論理判定を行わない期間はバイアス電流で差動増幅器を動作させる一方、差動増幅器が論理判定する期間はバイアス電流を増加させてなる適応バイアス電流を用いて差動増幅器を動作させるように適応バイアス電流制御を行うための適応バイアス電流を発生して差動増幅器に供給する適応バイアス電流生成回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することができる半導体装置及びそれを用いた電子機器を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高電位電源から第１の電位が供給され、低電位電源
から第２の電位が供給され、入力ノードに第１の信号が入力されると、出力ノードから第
２の信号を出力する。本発明の半導体装置は、第２の信号の電位差を、第１の電位と第２
の電位の電位差よりも小さくすることにより、配線の充電と放電に伴う消費電力を低減す
ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート酸化膜の信頼性を維持しながら、待機時のリーク電流を抑制でき、回路面積の増加を最小限にでき、欠陥を確実に検出することができる半導体集積回路を実現する。
【解決手段】 論理回路１０と電源電圧Ｖ_ddの供給端子との間にスイッチング回路２０を設ける。動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_Bを印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。待機時にトランジスタＭＰ０のゲートに電源電圧Ｖ_ddと同じ電圧を印加し、ソースに電源電圧より低い電圧を印可し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたはそれより高いバルクバイアス電圧Ｖ_Bを印加し、トランジスタＭＰ０のドレイン電流を最少化することにより、論理回路１０の電流経路を遮断し、リーク電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 回路のダイナミックレンジを圧迫しないと共に、チップサイズの増大を抑制することができるバッファリング回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子を有するバッファリング回路でドレインが第１電圧ラインに接続され、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第１プルアップドライバと、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第２プルアップドライバと、前記第２プルアップドライバのドレインに定電流を供給する定電流回路と、前記出力端子と第２電圧ラインとの間に配置されたプルダウンドライバとを備え、前記プルダウンドライバは、前記定電流回路の定電流から前記第２プルアップドライバに流れる電流を減じた差電流に基づいた電流を流すように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型・低雑音のスイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】 導通、遮断の２状態が交互に切り替わる複数のトランジスタで構成されたスイッチングレギュレータの出力段と、その出力段トランジスタを各々個別に駆動するための駆動回路から構成され、当該駆動回路は、各々出力段トランジスタにおける遮断から導通状態への遷移時間が、導通から遮断状態への遷移時間に比べて長くなるように立ち上がり、立ち下がり時の駆動能力をアンバランスに設定され、各々の遷移時間は、出力信号の電位があらかじめ設定された電位に達したことを判定して変化させることを特徴とするスイッチングレギュレータとして構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が小さい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】通信速度の高速化に加えて、消費電力の低減や、あるいは伝送波形品質の向上が図れる出力ドライバ回路を提供する。
【解決手段】例えば、正極および負極出力ノード（ＴＸＰ，ＴＸＮ）を電圧で駆動する電圧信号生成回路ブロックＶＳＧ＿ＢＫと、データ入力信号ＤＩＮ＿Ｐ，ＤＩＮ＿Ｎの遷移を受けてパルス信号を生成するパルス信号生成回路ＰＧＥＮ１，ＰＧＥＮ２と、当該パルス信号のパルス幅の期間でＴＸＰ，ＴＸＮを電流で駆動する電流信号生成回路ブロックＩＳＧ＿ＢＫｐ１，ＩＳＧ＿ＢＫｎ１を備える。電流信号生成回路ブロックは、ＴＸＰ，ＴＸＮの寄生容量（Ｃｐ１，Ｃｐ２）を高速に充電すると共に、パルス幅に応じたプリエンファシスを行う。ＶＳＧ＿ＢＫは、ＴＸＰ，ＴＸＮにおける定常状態の電圧レベルを定めると共に、ＴＸＰ，ＴＸＮをインピーダンスＺ０で終端する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の実動作に応じて貫通電流を防止することで動作信頼性を向上する。
【解決手段】下アーム側のＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）に流れる通電電流を測定するときに、トランジスタＱ２がＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）の通電電流を直列抵抗Ｒ１およびＲ２の印加電圧によってセンシングする。そしてトランジスタＱ３がトランジスタＱ２の出力信号をレベルシフトする。そして、トランジスタＱ４がトランジスタＱ３のエミッタ電圧に応じてＩＧＢＴ（ＢＴＵ１）を強制的にオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの高調波歪特性を改善する。
【解決手段】アンテナスイッチのアンテナ端子２にアンテナが接続され、第１信号端子３とアンテナ端子２の間に第１転送スイッチ１００が接続され、第２信号端子４とアンテナ端子２の間に第２転送スイッチ１０１が接続され、第１信号端子３と接地電位の間に第１シャントスイッチ１０２が接続され、第２信号端子４と接地電位の間に第２シャントスイッチ１０３が接続される。負電圧生成回路１０４の入力１０は第１信号端子３に供給される送信信号に応答可能とされ、出力端子１１に生成される負電圧に応答して第２転送スイッチ１０１と第１シャントスイッチ１０２とはオフ状態に制御される。 （もっと読む）