【課題】本発明の実施形態は、高周波スイッチ回路の高周波特性の良否を簡便に判定することができる半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の高周波端子と、共通高周波端子と、の間の信号経路を、前記高周波端子と前記共通高周波端子との間に直列に設けられた複数のＦＥＴにより切り替える高周波スイッチ回路を有する半導体装置であって、前記共通高周波端子に接続された複数のＦＥＴを含む半導体スイッチと、前記半導体スイッチを介して前記共通高周波端子に接続された発振回路と、前記発振回路の出力を入力とする検波回路と、前記検波回路の出力端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力期間の切替時における出力信号の遅延発生を抑制する出力回路、データドライバと表示装置の提供。
【解決手段】出力回路は差動増幅回路１１０、１０５，出力増幅回路１２０と第１の制御回路１６０、入力端子１０１、出力端子１０４、第１乃至第３の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＭＬを備える。差動増幅回路は前記入力端子の入力信号と前記出力端子の出力信号を入力する差動入力段１１０と第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０を備える。出力増幅回路１２０は第１の電源端子ＶＤＤと出力端子１０４との間に接続された第１導電型の第１のトランジスタ１２１と出力端子１０４と第３の電源端子ＶＭＬとの間に接続された第２導電型の第２のトランジスタ１２２とを備える。第１の制御回路１６０は、第１導電型の第３のトランジスタ１６１と第１のスイッチ１６２を備える。 （もっと読む）

【課題】電源部品を減らし、安価な構成の駆動回路。
【解決手段】一次巻線Npと第１の二次巻線S1と第１の二次巻線の極性とは逆極性を持つ第２の二次巻線を有する２以上の二次巻線とを有し一次巻線に駆動信号が印加されるトランスDT1、第１の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第１スイッチング素子Qh、第２の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第２スイッチング素子Ql、第１の二次巻線の一端と第１スイッチング素子の制御端子との間に接続され第１スイッチング素子を駆動する第１駆動部Q11,Q12、第２の二次巻線の一端と第２スイッチング素子の制御端子との間に接続され第２スイッチング素子を駆動する第２駆動部Q21,Q22、第１の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第１駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D11,D12,C11,C12、第２の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第２駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D21,D22,C21,C22を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータとＣＰＵを安全かつ確実にリセットして正常起動させる。
【解決手段】第１制御回路４１は第２電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ２０は第１電圧をレギュレートして生成した第２電圧を第１制御回路４１に供給し、第２制御回路４２は第３電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ３０は、第３電圧をレギュレートして生成した第４電圧を第２制御回路４２に供給する機器において、リセット回路１００は、第１電圧が第５電圧を超えて１５０ｍｓが経過するまでリセット信号の出力を継続させ、第１電圧が第５電圧を超えてから１５０ｍｓが経過するとリセット信号の出力を停止する。（第１電圧≧第２電圧、第３電圧≧第４電圧、第１電圧＞第３電圧、第５電圧＞第２電圧） （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチとして用いられるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴのターンオフ動作に際し、簡単な構成でオフ時間Ｔｏｆｆと立下り時間Ｔｆの最適化が可能な負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源３と負荷１との間に接続されたハイサイドスイッチとしてパワーＭＯＳＦＥＴ２を用いた負荷駆動回路１０であって、パワーＭＯＳＦＥＴ のゲート電圧Ｖｇと電源３の電源電圧Ｖｐとを比較する比較回路１１と、パワーＭＯＳＦＥＴ２のターンオフ動作においてパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる遮断回路１２とを具備し、遮断回路１２によってパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる放電速度は、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより高い場合の放電速度よりも、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより低い場合の放電速度が遅くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】同じタイプの特性量を有し、この特性量の値が相互に比例するいくつかの機能ブロックを備える電気回路をコンフィギュレーションする。
【解決手段】機能ブロックは、同様のタイプの少なくとも1組の電気素子(102a〜102d、104a〜104d)と、前記電気素子を互いに接続するおよび/もしくは電気回路100の残部に接続するための手段(106a〜106d、108a〜108d、110a〜110d)とにより構築され、テストされる1組の接続コンフィギュレーションのそれぞれに対して、電気回路のパラメータの値を測定するステップと、テストされる結合コンフィギュレーションの中から、測定されたパラメータの値が、少なくとも1対の機能ブロックの特性量の値間の不整合が最小の1つのコンフィギュレーションを選択するステップと、選択されたコンフィギュレーションに従って、接続する手段をポジショニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。
【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を内蔵した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとＰ型ＭＯＳＦＥＴを備えている。また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】出力端子をシンク型又はソース型に切換える場合に、基板を交換する必要がなく、また出力端子に誤って電源を接続してもスイッチング素子の破損を防止することができる出力回路及び該出力回路を備える出力装置を提供する。
【解決手段】ディップスイッチ８１にてソース型出力対応モードを選択した場合に、第２スイッチング素子３２を常時オンにし、第１スイッチング素子３１のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。ディップスイッチ８１にてシンク型出力対応モードを選択した場合に、第１スイッチング素子３１を常時オンにし、第２スイッチング素子３２のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。またソース型出力対応モードを選択した状態で、第２出力端子３２に誤って外部電源を接続した場合、第２スイッチング素子３２に大電流が流れるが、直ちにヒューズ３５が切断される。 （もっと読む）

【課題】所定の電流値以上の電流が流れることを検出すると、電源から遮断する過電流保護回路の偶発的な故障に起因して、所定の電流値以上の電流を継続して出力装置に流れるのを未然に防止することが可能な過電流保護装置を提供する。
【解決手段】この過電流保護装置５は、レーザ出力装置４に供給する電流値を監視するとともに過電流が流れた際に電流を遮断する過電流保護回路５ａと、過電流保護回路５ａが正常に動作するか否かを確認するトランジスタ３２（ＴＲ２）、抵抗３３（Ｒ４）、接点ＲＹ１−３、接点ＲＹ１−２、電源２３、接点ＲＹ１−１、および、フォトカプラ３４（ＰＨＣ１）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】負荷に供給する電流を精度よく出力する。
【解決手段】ゲート電極とドレイン電極が短絡されている第１トランジスタＴｒ１と、第１トランジスタＴｒ１のゲート電極に、ゲート電極が接続された第２トランジスタＴｒ２と、を備えるカレントミラー回路１０において、第１トランジスタＴｒ１と第２トランジスタＴｒ２は、絶縁膜１２を介してゲート電極１の上部に設けられてチャネル領域が形成される半導体膜２と、半導体膜２上のチャネル領域を覆う領域に設けられる保護膜３と、半導体膜２のチャネル領域を挟む一対の端部に離間して設けられるとともに保護膜３の一部に重なって設けられソース電極６及びドレイン電極７とをそれぞれ有するとともに、少なくとも第２トランジスタＴｒ２は、ソース電極６の保護膜３に対するチャネル長方向への重なり長がドレイン電極７の保護膜３に対する重なり長より長い構造を有する。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因した書込電流の変動を抑制する。
【解決手段】ドライブ回路２５において、第１のＭＯＳトランジスタＰＭは、第１および第２の電源ノード２８，２９間にデータ書込線ＤＬと直列に設けられる。第２のＭＯＳトランジスタＰＳは、第１のＭＯＳトランジスタＰＭと並列に設けられる。第３および第４のＭＯＳトランジスタＰａ，Ｐｂは、互いに同じ電流電圧特性を有する。第１の素子Ｅａは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第３のＭＯＳトランジスタＰａと直列に接続される。第２の素子Ｅｂは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第４のＭＯＳトランジスタＰｂと直列に接続され、第１の素子Ｅａの電流電圧特性曲線と交差する電流電圧特性を有する。比較器３０は、第１の素子Ｅａにかかる電圧と第２の素子Ｅｂにかかる電圧とを比較し、比較結果に応じて第２のＭＯＳトランジスタＰＳをオンまたはオフにする。 （もっと読む）

【課題】出力変動が少なく動作の安定化に有利な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体集積回路装置は、電流経路が第１，第２電源電圧の間に直列接続される第１，第２トランジスタ（Ｍ１、Ｎ１）を有するインバータを備える出力回路３１と、一端が前記第１電源電圧に接続され、他端が前記第１トランジスタの制御端子に接続される第１ダイオード回路Ｄ１と、入力クロックが第１レベルの際に、前記第１トランジスタの制御端子の電荷を前記第２電源電圧に放出する電流経路を形成する調整回路３３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの駆動用電源から引き抜かれる無駄な駆動制限電流を低減する。
【解決手段】駆動制限回路１１は、トランジスタ５に流れる検出電流Ｉｓを入力すると、それに応じた駆動制限電流をチャージポンプ回路６から制御ライン１２を介して引き抜くことにより、電流Ｉｍを保護開始電流値Ｉm1以下に制限する。電流引受回路２５は、トランジスタ４の保護開始電流値Ｉm1に対応してトランジスタ５に流れる検出電流値よりも小さく設定された引受電流Ｉａを流し込む。検出電流Ｉｓが引受電流Ｉａ以下のときは、検出電流Ｉｓは全て電流引受回路２５に流れ込むので、チャージポンプ回路６の出力電流は全てトランジスタ４のゲート駆動に使われる。 （もっと読む）