【課題】入力信号の立ち上がり時と立ち下がり時で遷移時間差の少ないレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】同じ回路構成のVDD 電源系の第１、第２のレベルシフタ11、12と、VEXTQ 電源系のインバータ13と、VDD 電源系のインバータ15を具備し、第１のレベルシフタ11内の２個の入力用NMOSトランジスタTN1 、TN2 のゲート端子には、VEXTQ 電源系の入力信号INとインバータ13の出力信号を入力し、第２のレベルシフタ12内の２個の入力用NMOSトランジスタTN3 、TN4 のゲート端子には、第１のレベルシフタ11の出力ノードA2の信号とインバータ13の出力信号を入力し、第２のレベルシフタ12の出力ノードA4の信号をインバータ15により波形整形して出力信号OUT を得る。 （もっと読む）

アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置が開示され、第１の電圧源と、第１の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するためにチャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントとを備える。本装置は、アクティブデバイスの１以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントをコントロールするように適応されコントローラを備えるかもしれない。コントローラは、リファレンス電圧に基づいて、すなわちアクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールかもしれない。
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【課題】回路面積の削減しつつ、消費電流やピーク電流の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】昇圧回路は、第１ないし第４の整流素子と、第１ないし第４のＭＯＳトランジスタと、第１ないし第４のキャパシタと、スイッチ回路と、を備える。スイッチ回路は、第１のＭＯＳトランジスタの他端と第３の整流素子の一端との間の第１の接続点、および、第２のＭＯＳトランジスタの他端と第４の整流素子の一端との間の第２の接続点に接続された低レベル端子と、第３のＭＯＳトランジスタの他端、および、第４のＭＯＳトランジスタの他端に接続された高レベル端子と、を有し、低レベル端子の電圧または高レベル端子の電圧を切り換えて、出力端子に出力するスイッチ回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシスまたはディエンファシスのためのドライバの追加がなくても、プリエンファシスまたはディエンファシス動作を行えるデータ出力回路を提供すること。
【解決手段】インピーダンスコードによって各々オン・オフされ、出力ノードにデータを出力する複数の駆動手段３１１、３１２を備え、前記インピーダンスコードが、前記駆動手段をターンオンさせる値を有する第１のグループと前記駆動手段をオフさせる値を有する第２のグループとに分けられ、プリエンファシス期間の間には、前記第２のグループによる制御を受ける駆動手段の全部または一部がターンオンされる。 （もっと読む）

【課題】スイング領域を変換せずに、ＣＭＬ領域でスイングする信号の電源電圧レベルをシフトすることができる回路を提供する。
【解決手段】第１の電源電圧ＶＤＤ１を電源として用い、第１のレベルを基準としてスイングするＣＭＬクロックＣＭＬ＿ＴＲＡＮＳ＿Ｐを受信して、そのスイング基準レベルを第２のレベルに切り換えて降圧ＣＭＬクロックＣＭＬ＿ＴＲＡＮＳ＿Ｌとして出力するスイングレベル切換部２２０と、第２の電源電圧ＶＤＤ２を電源として用い、スイングレベル切換部２２０から伝達される降圧ＣＭＬクロックＣＭＬ＿ＴＲＡＮＳ＿ＬをバッファリングするＣＭＬクロック伝達バッファリング部２４０と、第１の電源電圧ＶＤＤ１を電源として用い、ソースクロックＣＭＬ＿ＩＮをバッファリングして、ＣＭＬクロックＣＭＬ＿ＴＲＡＮＳ＿Ｐを生成した後、スイングレベル切換部２２０に提供するＣＭＬクロック生成バッファリング部２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路とアナログ回路とを混載して成る半導体集積回路において、前記デジタル回路によってメモリなどの外部負荷を駆動するにあたって、グランドバウンスによるアナログ回路への影響を抑えつつ、前記外部負荷がデジタル回路からの矩形波パルスを受信するにあたって、ＯＮ／ＯＦＦ（「１」／「０」）判定のマージンを最大にする。
【解決手段】外部負荷３を駆動するメインドライバ回路７を、複数段のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を備える多段階電圧制御型のプリドライバ回路６を介して駆動するようにし、そのインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３の使用段数を切換え回路１２で切換えられるようにする。そして、雑音検出回路１３によって検出されるグランドバウンスのレベルが、小さいときにはインバータＩＮＶ３のみを使用して前記矩形波パルスの鈍りを小さくし、大きいときにはインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を使用して、グランドバウンスを抑える。 （もっと読む）

【課題】待機電流を抑制することによって、低消費電力のスイッチトキャパシタ型積分器を実現する。
【解決手段】φ１において入力信号の電荷をサンプリングするサンプルキャパシタＣ１と、φ２においてサンプルキャパシタＣ１の電荷を仮想ノード４を介して累積する蓄積キャパシタＣ２と、蓄積キャパシタＣ２にサンプルキャパシタＣ１の電荷を供給する主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１と、主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１のゲート端子と仮想接地ノード４の間に挿入された校正キャパシタＣ３，Ｃ４と、φ１において校正キャパシタＣ３，Ｃ４に対して、仮想ノード４が基準電位Ｖｃｍにあるときの主トランジスタＭＰ１，ＭＮ１のゲート・ソース間電圧が略閾値電圧となる電位差が生じるように電荷を供給する校正装置１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の定格範囲のうち最大値で駆動される場合にも特性の劣化を抑制することができるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２Ａは、第１入力端子１１、第２入力端子１２、第３入力端子１３、第１出力端子２１、第２出力端子２２、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１、第２ＮＭＯＳトランジスタ４２、第１バッファ回路５１Ａ、第２バッファ回路５２Ａおよび第１インバータ回路６０を備える。第１バッファ回路５１Ａは、ＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１１およびＮＭＯＳトランジスタＱＮ_１１からなる前段のインバータ回路と、ＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１２およびＮＭＯＳトランジスタＱＮ_１２からなる後段のインバータ回路とが、縦列接続されて構成され、更にＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 低電力モードを有するＬＳＩにおいて、低電力モードで電力が低減されていない場合にも、ＬＳＩを搭載する機器が性能劣化等に至るのを防止することが可能なＬＳＩを提供する。
【解決手段】 動作モードを指示し、そのモードの通りに動作しているかを検出する回路であって、低電力モード時の電流を擬似的に測定し、低電力モードに移行したにもかかわらず実際には電流が低減されていない場合に警告信号を発する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスターにおいて、高いＯＮ／ＯＦＦ比と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型の第１トランジスターと、前記半導体層に形成された第２トランジスターと、前記半導体層に形成された第３トランジスターと、を備え、前記第１トランジスターは、第１導電型の第１ソース又は第１ドレインを有し、前記第２トランジスターは、第１導電型の第２ソース又は第２ドレインを有し、前記第３トランジスターは、第２導電型の第３ソース又は第３ドレインを有し、前記第１ソース又は第１ドレインの一方と、前記第２ソース又は第２ドレインの一方とが電気的に接続され、前記第２ソース又は第２ドレインの他方と、前記第１トランジスターのボディ領域と、前記第３ソース又は第３ドレインの一方とが互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス電圧や応答速度の電源電圧依存性を緩和し、幅広い範囲の電源電圧条件下で動作するヒステリシス特性を有する入力回路を提供すること。
【解決手段】低電源電圧条件下でヒステリシス電圧が小さくなる回路（ＰＭＯＳトランジスタ１０１〜１０３及び、インバータ５０１）と、低電源電圧条件下でヒステリシス電圧が大きくなる回路（ＰＭＯＳトランジスタ１０１、１０４及び、インバータ５０１）とを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフタ誤動作防止回路に係り、レベルシフタの誤動作を、信号伝達の過大な遅延と消費電流の増大とを招くことなく防止することにある。
【解決手段】伝達すべき信号に応じて駆動されるＮ型トランジスタ３０と、Ｎ型トランジスタ３０の出力に応じて駆動されるＰ型トランジスタ３２と、Ｐ型トランジスタ３２を駆動するために設けられるプルアップ抵抗３４と、を有する、基準電圧が互いに異なる２つの回路系の間で信号伝達を行うレベルシフタ１６の誤動作を防止する回路において、２つの回路系の基準電圧が相対変位した際、Ｎ型トランジスタ３０に存在する寄生容量３６へプルアップ抵抗３４を介して充電電流が供給される前に、その寄生容量３６へ充電電流を供給する急速充電手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の出力ドライバーのインピーダンスのバラツキを抑制し、高速なキャリブレーションを実現する。
【解決手段】半導体装置の出力ドライバーと同一構成のレプリカ回路を含むキャリブレーション回路をチップ内に予め用意する。出力ドライバーに最大電流を流す電圧条件をレプリカ回路に与え、レプリカ回路のインピーダンスを外部抵抗の抵抗値に一致させるように制御し、第１のキャリブレーションを行う。第２のキャリブレーションは、第１のキャリブレーションで得られたテーブルパラメータを使用してレプリカ回路を使用することなく出力ドライバーのインピーダンス調整を行う。 （もっと読む）

【課題】デプレション型の単極性のトランジスタでも動作可能な論理回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースフォロワ回路と、該ソースフォロワ回路の出力部が入力部に接続され、具備するトランジスタのすべてが単極性の論理回路と、を有し、ソースフォロワ回路に接続されている低電位側の配線の電位は、該トランジスタのすべてが単極性の論理回路に接続されている低電位側の配線よりも低くして論理回路を構成する。このようにすることで、デプレション型の単極性のトランジスタでも動作可能な論理回路を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の負荷駆動装置は、電源が正常に接続された場合の待機時において消費電流が増大するという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる負荷駆動装置は、電源端子ＰＷＲと出力端子ＯＵＴとの間に接続された出力トランジスタＴ１と、出力端子ＯＵＴと接地端子ＧＮＤとの間に接続された負荷１１と、出力トランジスタＴ１のゲートと接地端子ＧＮＤとの間に設けられ、電源１１の極性が逆になった場合に出力トランジスタＴ１を導通状態にする保護トランジスタＭＮ３と、電源１０の極性が正常の場合に接地端子ＧＮＤと保護トランジスタＭＮ３のバックゲートとを導通状態に制御するバックゲート制御回路１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲートリークによる消費電力の増大を抑制し、電源［ＶＤＤ］−［ＧＮＤ］間のノイズを低減すること。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、機能ブロックと領域部３ｂとを具備している。機能ブロックは、電源［ＶＤＤ］−［ＧＮＤ］間に設けられ、常に動作する。領域部３ｂにおいて、周辺機能ブロック４は、信号線９と電源［ＧＮＤ］との間に設けられ、動作モード又は非動作モードを実行する。電源スイッチＭＰは、電源［ＶＤＤ］と信号線９との間に設けられ、動作モードにおいて電圧ＶＤＤを信号線９に供給し、非動作モードにおいて信号線９への電圧ＶＤＤの供給を遮断する。ＭＯＳトランジスタは、周辺機能ブロック４に設けられ、そのバックゲートに電源［ＶＤＤ］と電源［ＧＮＤ］との一方の電源が接続されていて、非動作モードにおいて、そのゲートに他方の電源が接続され、そのゲートとバックゲート間に寄生容量を発生する。 （もっと読む）

【課題】差動入力信号の振幅中心電圧が高い場合でも、差動出力信号の振幅変動やジッタを抑制することができるドライバ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるドライバ回路は、トランジスタＭ１と、トランジスタＭ１のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ１と、トランジスタＭ１とカレントミラー回路を構成するトランジスタＭ２と、入力された差動入力信号に応じた差動出力信号を出力すると共に、トランジスタＭ２によりソースにバイアス電流が供給される一対のトランジスタを備える差動対と、トランジスタＭ２のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ２と、非反転入力端子がトランジスタＭ１のソースと接続され、反転入力端子がトランジスタＭ２のソースと接続され、出力が差動対を構成する一対のトランジスタのバックゲートに接続されたオペアンプＡＭＰ１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力／出力（ＩＯ）サーキットを保護する為のバイアス電圧を発生させる。
【解決手段】供給電圧から、制御できる範囲で発生した第１バイアス電圧を受信し、集積回路（ＩＣ）の入力／出力（ＩＯ）コア・エンド・デバイスにおける、ひとつあるいは複数の構成能動サーキット素子の作動電圧耐容最高リミット以下に抑え、ＩＯパッドとインターフェースさせる作業、ＩＯパッドを通して供給されている外部電圧から制御できる範囲で発生した第２バイアス電圧を受信し、ＩＯパッドとインターフェースさせる作業、を含む。この手法は更に、ＩＯコアによって発生したコントロール・シグナルを、制御できる範囲で活用し、ドライバー・モードで作動の際には第１バイアス電圧から、フェイルセーフ及び耐性モードで作動の際には第２バイアス電圧から、出力バイアス電圧を導出する作業も含む。 （もっと読む）

【課題】内部電源ノイズを正確に測定を行える半導体集積回路の提供。
【解決手段】ＴＥＳＴ信号を出力するテスト制御回路１０１と、テストモード対応バッファ回路１１１と、通常出力バッファ回路１１３とを具備する。テストモード対応バッファ回路１１１は、ＴＥＳＴ信号としてテストモードを示す第１ＴＥＳＴ信号を受け取ると、第１ＴＥＳＴ信号を受けている間、第１端子１２１を介して内部の電源電圧又は接地電圧に固定された第１出力信号を出力し、ＴＥＳＴ信号として通常モードを示す第２ＴＥＳＴ信号を受け取ると、通常動作の入力バッファとして外部信号を受け取る、又は、通常動作の出力バッファとして第２出力信号を出力する。通常出力バッファ回路１１３は、テストモード対応バッファ回路１１１がＴＥＳＴ信号に基づいて動作する間、第２端子１２３を介して通常動作の出力バッファとして第３出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置側において自動的にキャリブレーション動作を行う。
【解決手段】出力バッファ７１のインピーダンスを調整するキャリブレーション回路１００と、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション回路１００を活性化させるキャリブレーション起動回路２００とを備える。本発明によれば、コントローラ側からキャリブレーションコマンドを発行することなく、半導体装置側にて自動的にキャリブレーション動作を行うことが可能となる。しかも、オートリフレッシュコマンドＡＲが所定回数発行されたことに応答してキャリブレーション動作を行っていることから、定期的なキャリブレーション動作が確保されるとともに、キャリブレーション動作中にコントローラからリード動作やライト動作を要求されることもない。 （もっと読む）