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Fターム[5J056EE06]の内容

論理回路 (30,215) | 接続構成 (2,928) | Trへの信号入力 (1,179) | ゲートに定電圧を入力 (803)

Fターム[5J056EE06]に分類される特許

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【課題】マスクデータの変更をせずに複数のデフォルト値を設定する。
【解決手段】半導体装置80には、n個のデフォルト値設定回路が並列に配置される。n個のデフォルト値設定回路には、デフォルト値設定部2、デフォルト値設定部3、及びマルチプレクサMUX1がそれぞれ設けられる。デフォルト値設定部2は低電位側電源VSS電圧(ローレベル)を設定し、デフォルト値設定部3は高電位側電源VDD電圧(ハイレベル)を設定する。マルチプレクサMUX1は、デフォルト値設定部2及び3の値が入力され、モード選択信号Smsにより1ビットのデフォルト値を生成する。n個のデフォルト値設定回路はNビットのデフォルト値を生成する。 (もっと読む)


【課題】有効なセットアップ特性及びホールド特性を良好に確保することが可能な入力インターフェース回路を提供すること。
【解決手段】本発明に係る入力インターフェース回路100は、データが外部入力される信号端子に接続される入力初段回路と、外部入力されるクロックと、入力初段回路に含まれるラッチ回路3、4へのラッチタイミング信号とを同位相に調整する位相調整回路6と、を備える。位相調整回路6は、クロックと当該クロックから擬似する擬似遅延回路の出力との比較結果に基づいてクロックツリー回路7を通過してラッチ回路3、4へと供給されるラッチタイミング信号の遅延時間を調整する。 (もっと読む)


【課題】電源回路等を追加することなく、第1の電源電圧が低下してもダイナミックVTによる高速化の効果の低減を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の回路は、第1の電源電圧を供給する第1の電源ラインと第1の電源電圧よりも低い第2の電源電圧を供給する第2の電源ライン間に接続された、トランジスタを備える。制御回路は、第1の電源ラインと第2の電源ライン間に接続され、上記トランジスタのバックゲートに第1の電源電圧と第2の電源電圧の電位差よりも振幅が大きい制御信号を供給する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、中央処理装置の低消費電力モード時に外部から供給されるアナログ信号の正確なAD変換を行うことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】割込み信号のエッジ検出を行ってエッジ検出信号を生成するエッジ検出手段11と、外部から供給されるアナログ信号をエッジ検出信号により保持し、中央処理装置13からの制御により、保持しているアナログ信号をAD変換して中央処理装置に供給するAD変換手段12とを有し、割込み信号又はエッジ検出信号によって中央処理装置が低消費電力モードからクロックを高速とする通常モードとなった後にAD変換手段12に保持しているアナログ信号をAD変換したデジタルデータを中央処理装置13に取り込む。 (もっと読む)


【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部1からの制御信号a1〜d1及びa2〜d2により高圧部2のトランジスタMN1〜MN8を駆動し、操作対象3に駆動信号を出力する。その際、低圧部1からの制御信号a1〜d1をそれぞれ論理積ゲートQ1〜Q4の一方の入力端子を介して高圧部2のトランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のゲートに入力し、論理積ゲートQ1〜Q4の他方の入力端子には高圧部2のオン/オフ信号を入力する。 (もっと読む)


【課題】入力端子にノイズが発生する。
【解決手段】第1の電流経路は、第1の電源端子と第1の出力端子間に接続され、制御端子に差動入力信号の一方が入力される第1のトランジスタと、第2の電源端子と第1の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の他方が入力される第2のトランジスタと、第1の電源端子と第1のトランジスタとの間に接続される第1のスイッチ回路とを有し、第2の電流経路は、第2の電源端子と第2の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の一方が入力される第3のトランジスタと、第1の電源端子と第2の出力端子との間に接続され、制御端子に差動入力信号の他方が入力される第4のトランジスタと、第2の電源端子と第3のトランジスタとの間に接続される第2のスイッチ回路とを有し、第1、第2のスイッチ回路は、制御信号により導通状態が制御される差動増幅器。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの特性劣化の程度を小さくし、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。
【解決手段】シフトレジスタに設けられたパルス出力回路において、パルスの出力が行われない非選択期間、ゲート電極がオンするように浮遊状態となっているトランジスタのゲート電極が接続されたノードに対し、クロック信号がトランジスタのゲート電極に入力されるように設けることで、定期的に電位を供給する。また、ブートストラップ動作を行うトランジスタのゲートにゲートが固定電位に接続されたトランジスタを設ける。 (もっと読む)


【課題】消費電力を削減するために、クロック反転信号を用いることなくクロック信号に同期してデータの転送および保持を行わせる。
【解決手段】記憶ノードM、MBを持つ状態保持回路F11において、Pチャンネル電界効果トランジスタM1、M2のゲートおよびNチャンネル電界効果トランジスタM3、M4のゲートにはクロック信号CKを入力し、Pチャンネル電界効果トランジスタM1を介してデータ反転信号DBを記憶ノードMBに印加させ、Pチャンネル電界効果トランジスタM2を介してデータ信号DBBを記憶ノードMに印加させ、Nチャンネル電界効果トランジスタM3を介して出力信号Q1を記憶ノードSに印加させ、Nチャンネル電界効果トランジスタM4を介して出力反転信号QB1を記憶ノードSBに印加させる。 (もっと読む)


【課題】プリアンブルに続く最初のハイレベル又はローレベルの区間の長さを、その後のクロッキング部分のハイレベル又はローレベルの区間の長さに一致させる。
【解決手段】 出力ドライバは、第1の電源と出力端子との間に接続される第1のドライバと、第2の電源と出力端子との間に接続される第2のドライバとを有する。第1のドライバ及び第2のドライバの一方は、互いに並列接続された2つの駆動部を備える。これら2つの駆動部の各々と、第1のドライバ及び第2のドライバの他方とは、それぞれ独立した入力信号に応じて動作する。 (もっと読む)


信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ(700)はスタックに結合された複数のトランジスタ(710a−k)と、スタック内の少なくとも1つの中間ノードへ結合された少なくとも1つの抵抗器(740a−k)とを含む。トランジスタは、(i)スタック内の第1のトランジスタへ印加される第1の電圧と、(ii)第1の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第2の電圧(VBULK)とを有する。抵抗器(740a−k)は、トランジスタ(710a−k)がオフのときにトランジスタ(710a−k)の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に1つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第1の電圧との間に1つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第1の電圧に維持する。
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【課題】ハイ・インピーダンスにする際に発生する電源ノイズを低減させる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】出力バッファ回路10は、データ信号DA及び制御信号DCに基づいて、PMOSトランジスタT1をオンからオフさせNMOSトランジスタT2をオフからオンさせて出力端子Poを第1状態に、PMOSトランジスタT1をオフからオンさせNMOSトランジスタT2をオンからオフさせて出力端子Poを第2状態に、又、両トランジスタT1,T2をオフさせて出力端子Poをハイ・インピーダンスとなる。そして、オフ時間制御回路部13によって、第1状態又は第2状態からハイ・インピーダンスにする制御信号が入力された時、オンからオフさせるためにPMOSトランジスタT1又はNMOSトランジスタT2のゲートに供給される信号の立ち上がり波形又は立ち下がり波形を緩やかにする (もっと読む)


集積回路を渡る伝達のために、高周波数信号(IN)をバッファリングするための回路、技術、方法が開示される。ある特別の実装において、複数の増幅回路(M1,M2)は、電圧制御発振器および/またはデジタル制御発振器からの信号を増幅するために個別にバイアスされ、デバイス上の局所発振器の信号を提供する。 (もっと読む)


【課題】 入出力インターフェース回路におけるラッチアップの発生を確実に防止すること。
【解決手段】 本発明の入出力インターフェース回路は、入出力端子T1と、入力バッファー102と、フローティングウエル領域N4に形成される第1導電型の第1MOSトランジスタMP1(FNWL)を有し、入出力端子を経由して外部に信号を出力するための出力バッファーINV1と、静電保護回路390と、フローティングウエル電位調整回路108と、を含み、前記静電保護回路は、第1抵抗R1と、第1抵抗R1の他端と高レベル電源電位VDDとの間に接続されるダイオードD1と、を有し、フローティングウエル電位調整回路108は、入出力端子T1に一端が接続される第2抵抗R2と、第2抵抗R2の他端に一端が接続され、他端がフローティングウエル領域N4に接続され、ゲートに高レベル電源電位VDDが接続される、第1導電型の第2MOSトランジスタMP2(FNWL)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】回路の誤作動を防止することができる信号中継回路、信号中継装置及び信号中継方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号中継回路は、2つの入力信号の電圧差に基づいて差動信号を生成する差動信号受信回路41と、差動信号受信回路41に入力される2つの入力信号の電圧差の有無を検出する電圧差検出回路42と、電圧差検出回路42により電圧差が検出されない場合には、所定の値を有する信号を出力し、電圧差検出回路42により電圧差が検出される場合には、差動信号受信回路41により生成された差動信号を出力する差動信号出力回路43と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】プリエンファシスと非プリエンファシスの2状態のデータを出力する送信回路において、データ変化点の波形のエッジに起因する電源変動、及びプリエンファシスと非プリエンファシスに起因する電源変動を抑制する。
【解決手段】図Aに示す第1回路、図Bに示す第2回路からなる。第1回路の第1回路の入力回路601g〜jには第1信号601n,601qと第1プリエンファシス信号601p,601rが入力される。第2回路の入力回路602g〜jには第2信号602n,602qと第2プリエンファシス信号602p,602rが入力される。第2信号は第1信号が変化するときは変化せずに、第1信号が変化しない時は変化する。第1回路の出力回路601a,601bと第2回路の出力回路602a,602bのどちらかがプリエンファシス状態となるので、出力回路全体で流れる電流値は一定となる。 (もっと読む)


【課題】専用の電源配線を追加することなく、待機時に電源を遮断しても状態を保持することのできる半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】電源電圧を供給する電源配線と、電源配線と基準電位との間に接続された論理回路と、を含み、待機時に、電源配線から論理回路への電源の供給を停止し、前記電源配線に代えて信号配線から電源電圧を供給する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流を低減し一定電圧を長時間にわたって保持することのできる電圧制御回路を提供する。
【解決手段】
複数の容量と、前記各容量に対応して設けられ前記各容量を所定のノードに選択的に接続する第1のスイッチと、リセット信号に応じて前記ノードをリセットし、該リセット信号が供給されないときにバックバイアスがかけられるリセットトランジスタとを含む。これにより、リーク電流を最小にし、一定電圧を長時間保持することができる。 (もっと読む)


【課題】ゲート面積を増大させることなく、電界効果トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキを自律的に補正させる。
【解決手段】補正回路12は、電子回路11に含まれる半導体素子間の電気的特性の差が所定の周期内の電気的特性の劣化量より大きい場合、その電気的特性の劣化量の小さい方の半導体素子の劣化を進行させ、電子回路11に含まれる半導体素子間の電気的特性の差が所定の周期内の電気的特性の劣化量より小さい場合、その電気的特性に差のある半導体素子の劣化を所定の周期ごとに交互に進行させる。 (もっと読む)


【課題】小さい面積で十分な遅延時間を確保する。
【解決手段】 入力に基づいて充電点に充電を行う第1のトランジスタと前記入力に基づいて放電点から放電を行う第2のトランジスタとにより構成される第1のインバータ(PT21,NT21)と、前記充電点と前記放電点との間に、ドレイン・ソース路が並列に設けられたP型の第3のトランジスタ及びN型の第4のトランジスタ(PT22,NT22)と、前記充電点又は前記放電点の電位を反転させて前記第3及び第4のトランジスタのゲートに供給して、前記充電点又は前記放電点から前記入力の遅延信号を得る第2のインバータ(INV21)とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】少数の部品で高周波回路の安定性を向上させる。
【解決手段】電子回路と、該電子回路に並列に接続されたスタブと、該電子回路に並列に接続された抵抗と、を有する高周波回路において、該抵抗を分布定数回路である等価回路に置き換え、該高周波回路で用いられる第1の周波数で前記高周波回路のインピーダンスマッチングがとれており、且つ前記高周波回路が安定すべき第2の周波数で前記高周波回路が安定するように、前記スタブのインピーダンス値と、前記等価回路の抵抗値とを設定する。 (もっと読む)


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