【課題】レベルシフト回路及びその方法の提供。
【解決手段】本発明のレベルシフト回路及びその方法は、レベルシフト回路のラッチ装置と電圧源の間に限流回路を接続して、前記ラッチ装置の駆動電流が設定値を超えないように制限する。これにより、レベルシフト回路を変換する時の消耗電流を減らし、通路の短いトランジスタを使用したラッチ装置を実現し、レベルシフト回路面積を縮小する。前記設定値は調節可能とし、レベルシフト回路の出力駆動能力を調整することにより、前記レベルシフト回路の変換速度を加速させることができる。 （もっと読む）

【課題】出力端子をシンク型又はソース型に切換える場合に、基板を交換する必要がなく、また出力端子に誤って電源を接続してもスイッチング素子の破損を防止することができる出力回路及び該出力回路を備える出力装置を提供する。
【解決手段】ディップスイッチ８１にてソース型出力対応モードを選択した場合に、第２スイッチング素子３２を常時オンにし、第１スイッチング素子３１のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。ディップスイッチ８１にてシンク型出力対応モードを選択した場合に、第１スイッチング素子３１を常時オンにし、第２スイッチング素子３２のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。またソース型出力対応モードを選択した状態で、第２出力端子３２に誤って外部電源を接続した場合、第２スイッチング素子３２に大電流が流れるが、直ちにヒューズ３５が切断される。 （もっと読む）

【課題】複数の基準電位を要する半導体装置、及び半導体装置の駆動において、より消費電力を軽減する。
【解決手段】電源線に直列に接続された複数の抵抗素子により、電源線に供給された電位を抵抗分割し、電源線と電気的に接続するスイッチトランジスタを介して所望の分割された電位を出力する電位分割回路を有する半導体装置であり、スイッチトランジスタのドレイン端子は出力側の回路に設けられたトランジスタのゲート端子（又は容量素子の一方の端子）と電気的に接続しノードを構成する。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整回路やプリドライバ回路が不要で、しかも出力波形の波形歪みを低減することが可能なドライバアンプ回路および通信システムを提供する。
【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を駆動するゲート電圧を均一にするため、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４を電源およびＧＮＤ側に配置し、さらに、スイッチングトランジスタＭ１１〜Ｍ１４の駆動振幅を安定させるために、各スイッチングトランジスタＭ１１のドレインと出力ノードＮＤ１１、ＮＤ１２間にそれぞれ第１から第４の抵抗素子Ｒ１１〜Ｒ１４を接続している。 （もっと読む）

【課題】解像度が小さく測定精度が高い時間測定を行うことができるＴＤＣ回路を提供する。
【解決手段】ＴＤＣ回路１は、共通の構成を有する３２個の単位セル１１_０〜１１_３１がリング状に接続されたリング部１０等を備える。単位セル１１は、第１インバータ回路１１１，第２インバータ回路１１２，スイッチＳＷ_０，スイッチＳＷ_１およびスイッチＳＷ_２を含む。第１インバータ回路１１１のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第２インバータ回路１１２のＰＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｐ倍である。第２インバータ回路１１１のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅は、第１インバータ回路１１２のＮＭＯＳトランジスタのゲート幅のα_ｎ倍である。α_ｐおよびα_ｎの双方が１より大きいか又は双方が１より小さい。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のデータ入力回路における消費電力を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの少なくともいずれか一方の近傍の期間において活性状態となる制御信号を生成して出力する制御信号生成回路と、制御信号が活性状態である期間においてデータ信号を受信可能な活性状態となり、それ以外の期間において非活性状態となるデータ入力回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＣＭＯＳ回路を用いた半導体デバイス回路において、アクセススピードを損なわず、スタンバイ電流が少なく、スタンバイ状態からの復帰が早い半導体デバイス回路を提供する。
【解決手段】第１のＰＭＯＳＦＥＴと第１のＮＭＯＳＦＥＴとを含む機能回路を備えた半導体デバイス回路において、アクティブモード時に第１のＰＭＯＳＦＥＴを電源電圧源に接続し、スタンバイモード時に電源電圧源に接続しないように制御する第２のＰＭＯＳＦＥＴと、アクティブモード時に第１のＮＭＯＳＦＥＴを接地側電圧源に接続し、スタンバイモード時に接地側電圧源に接続しないように制御する第２のＮＭＯＳＦＥＴと、電源電圧源に接続されかつ第１のＰＭＯＳＦＥＴに並列に接続されその出力信号を保持する第３のＰＭＯＳＦＥＴと、接地側電圧源に接続されかつ第１のＮＭＯＳＦＥＴに並列に接続されその出力信号を保持する第３のＮＭＯＳＦＥＴとを備えた。 （もっと読む）

【課題】追加の大きなハードウェア要件なしに、ブースト電圧レベルを提供できるようにする。
【解決手段】第１の電圧レベルから第２の電圧レベルに、次に追加のブーストされた第２の電圧レベルに出力信号をシフトするための電圧レベルシフタが開示される。電圧レベルシフタは、入力信号を受信するための入力、出力信号を出力するための出力、前記第１の電圧レベルを供給する第１の電圧源に接続するための第１のパワーサプライ入力、前記第２の電圧レベルを供給する第２の電圧源に接続するための第２のパワーサプライ入力、前記ブーストされた第２の電圧レベルを供給する第３の電圧源に接続するための第３のパワーサプライ入力を含み、前記電圧レベルシフタは、前記出力から前記第１のパワーサプライ入力を隔離するため、及び前記出力に前記第２のパワーサプライ入力を接続するために前記入力信号の所定の変化に応える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性のばらつきにかかわらず画像ムラがなく、高精細・高解像度の良好な画像を得ることができる半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置を提供する。
【解決手段】半導体表示装置はソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路とを有し、駆動回路はシフトレジスタ回路からのタイミング信号をバッファする複数のインバータ回路を有するバッファ回路を有し、インバータ回路は複数のインバータ回路を並列に接続して構成される。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】 パワーダウンモードを含む複数の動作モードを有する半導体集積回路において、モード切り換えを行うモードコントロール回路の消費電力を少なくする。
【解決手段】 制御電圧ＶＣに基づきパワーダウンを設定するか解除するかの判定を行う回路としてオフセット付き電圧比較器３０Ａを設けた。制御電圧ＶＣがオフセット電圧Ｖ０よりも低く、オフセット付き電圧比較器３０Ａがパワーダウン解除信号ＭＤ０を非アクティブレベルとしている間は、基準電圧発生回路１０Ａを動作させず、制御電圧ＶＣとの比較に用いる基準電圧Ｖ１〜Ｖ３を出力させない。制御電圧ＶＣがオフセット電圧Ｖ０を越えて上昇し、パワーダウン解除信号ＭＤ０がアクティブレベルになったとき、基準電圧発生回路１０Ａを動作させ、基準電圧Ｖ１〜Ｖ３と制御電圧ＶＣとの比較によるモード切り換えを行わせる。 （もっと読む）

【課題】電圧レベルシフト回路において、入力信号の信号レベルによる応答特性の差違を抑制する。
【解決手段】電圧レベルシフト回路は、入力信号とは異なる電圧振幅を有する出力信号ＶＯＵＴを生成する。インバータＩＮＶ２は、入力信号にしたがってＶＳＳ〜ＶＤＤＩの範囲の電圧Ｖ１を生成する。インバータＩＮＶ３は、入力信号にしたがってＶＳＳ〜ＶＰＥＲＩの範囲の電圧Ｖ２を生成する。インバータＩＮＶ４は、Ｖ１およびＶ２にしたがって出力信号ＶＯＵＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】電源検知回路において、ＢＴ劣化によって比較回路のミスマッチが増大することに起因する電源検知信号の精度の劣化を抑制する。
【解決手段】検知用比較回路１０４は、入力切替信号生成回路１１２によって、その出力の活性状態と非活性状態との切替時付近では、入力信号１０２と基準電圧１０３とを入力して、その両者の比較を行う。一方、前記切替時付近以外では、比較回路非使用時入力電圧１１０が検知用比較回路１０４に入力されて、その差動入力が同電位に固定される。従って、ＢＴ劣化による電源検知精度の経年劣化が有効に抑制される。 （もっと読む）

【課題】外部電圧が変動したときにも半導体装置の動作安定性を維持する。
【解決手段】入力信号判定部１１６は、第１電流源１２２から供給される電源電位によって動作する。入力信号判定部１１６は、入力信号ＶＩＮと参照電位Ｖｒｅｆを比較する。比較結果はインバータＩＮＶ１により反転され、出力信号Ｖ０となる。電源センサ回路１２０は、第１の電源ラインＶＤＤＩの電位を監視する。外部電位ＶＤＤＩが基準電位ＶＸよりも低くなると、電源センサ回路１２０は第２電流源１２４をオンする。第２電流源１２４がオンされると、判定部１２６には、第１電流源１２２に加えて第２電流源１２４からも動作電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】集積回路の実装面積を抑えつつ通信信号の通信波形のリンギングを抑制する。
【解決手段】トランスミッタ１３０において、出力バッファ制御信号生成部１３１は、トランジスタ１３２ａ〜１３２ｄ，１３３ａ〜１３３ｄをすべてオンにして第１通信線１１及び第２通信線１２に電流を流すことによりドミナントを表す通信信号を生成し、トランジスタ１３２ａ〜１３２ｄ，１３３ａ〜１３３ｄをすべてオフにして第１通信線１１及び第２通信線１２に電流を流さないことによりレセッシブを表す通信信号を生成する。そして、出力バッファ制御信号生成部１３１は、ドミナントを表す通信信号の１ビット時間において、トランジスタ１３２ａ〜１３２ｄ，１３３ａ〜１３３ｄを順にオフにして出力バッファ（第１のトランジスタ群１３２及び第２のトランジスタ群１３３）の各インピーダンスを徐々に高くする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因する入力信号と出力信号のデューティばらつきを抑制する。
【解決手段】トランスミッタ１０は、一端から充電電圧Ｖａが引き出されるコンデンサ１０５と、コンデンサ１０５の充電電流Ｉ１を生成する第１定電流源１０３と、コンデンサ１０３の放電電流Ｉ２を生成する第２定電流源１０４と、送信入力信号ＩＮの論理レベル、及び、充電電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、コンデンサ１０５の充放電制御を行う充放電制御部（１０１、１０２、１０６）と、充電電圧Ｖａに応じてスルーレートが設定され、出力側電源電圧Ｖ２に応じて信号振幅が設定される送信出力信号ＯＵＴを生成する出力段（１０９〜１１６）と、出力側電源電圧Ｖ２に依存して基準電圧Ｖｒｅｆを変動させる基準電圧生成部１０７と、基準電圧Ｖｒｅｆに依存して充電電流Ｉ１及び放電電流Ｉ２の各電流値を変動させる定電流制御部１０８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、電源制御領域への突入電流の発生を抑制するためにチップ面積が増大する問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、オン抵抗が大きな第１のスイッチトランジスタＳＷＬと、オン抵抗が小さな第２のスイッチトランジスタＳＷＳと、を有し、第１、第２のスイッチトランジスタＳＷＬ、ＳＷＳは、異なる領域に電流を供給し、第１のスイッチトランジスタＳＷＳは、制御信号ＣＯＮＴを直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、前記制御信号を直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬのうち初段に配置される第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、第１のスイッチトランジスタＳＷＳのうち最も後ろに配置される第１のスイッチトランジスタＳＷＳが出力する制御信号ＣＯＮＴが入力される。 （もっと読む）

【課題】小面積で広帯域特性及び低位相雑音特性を得ることが可能な同期回路を提供する。
【解決手段】位相検出器１１は、参照信号と帰還信号との位相差を検出する。電圧生成器１２，１３は、位相検出器の出力信号に基づき電圧を発生する。パルス発生器１６は、参照信号に基づきパルス信号を生成する。電圧制御発振器１４は、パルス信号に同期して、発振信号を発振する。分周器１５は、電圧制御発振器からの信号を分周し、帰還信号を生成する。電圧制御発振器１４は、電圧発生回路から供給される電圧レベルをシフトするレベルシフト回路１４ｃと、電圧発生回路からの電圧とレベルシフト回路からのレベルシフトされた電圧により駆動される複数のインバータ回路１４ａ、１４ｂからなるリング発振器とにより構成され、インバータ回路の１つにパルス信号が供給される。 （もっと読む）