【課題】データ送信における電圧ジッターを減少させる送信器回路を提供すること。
【解決手段】第一の電流源と、該第一の電流源と第一のノードとの間に結合されている第一のフィルタと、該第一の電流源と第二のノードとの間に結合されている第二のフィルタと、第二の電流源と、該第二の電流源と第三のノードとの間に結合されている第三のフィルタと、該第二の電流源と第四のノードとの間に結合されている第四のフィルタと、該第一のノード、該第二のノード、該第三のノードおよび該第四のノードに結合されているドライバースイッチ回路などを含む、送信器回路。 （もっと読む）

【課題】シュミットトリガー回路と同様な機能を有し、シュミットトリガー回路と比較して貫通電流を低減する。
【解決手段】インバータ回路INV1は、前段回路の回路閾値よりも低い第１の回路閾値を有し、前段回路から出力された入力クロックが入力され、入力クロックの論理状態および第１の回路閾値に応じた第１の出力信号を出力する。インバータ回路INV2は、前段回路の回路閾値よりも高い第２の回路閾値を有し、前段回路から出力された入力クロックが入力され、入力クロックの論理状態および第２の回路閾値に応じた第２の出力信号を出力する。スイッチ回路SWは、第１の出力信号および第２の出力信号が入力され、第１の出力信号および第２の出力信号の論理状態が、異なる状態から同じ状態に変化したときに、異なる論理状態に対応した第１の電圧および第２の電圧のいずれか一方を出力クロックとして出力する。 （もっと読む）

【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 耐圧の低いMOSFETを保護するためにゲート接地として動作する、MOSFETのゲート電圧を生成するための外部電源を不要にする。
【解決手段】 第１電源電圧から一定の大きさの第１電流を生成する定電流生成部と、第１薄膜NMOSFETと第２薄膜NMOSFETから構成され、第１電流に比例した大きさの第２電流を出力する第１カレントミラー回路部と、第２薄膜NMOSFETを保護するためにゲート接地として用いる第３薄膜NMOSFET及び第１厚膜PMOSFETと、第１電源への電流の逆流を防ぐための第１ダイオードと、第３薄膜NMOSFETのゲート−ソース間電圧がマイナスになることを防ぐための第２ダイオードとからなる保護回路部と、第２電流に比例した大きさの第３電流を出力する第２カレントミラー回路部と、第３電流により第１定電圧を生成する第１ツェナーダイオード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３を介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。そのため、入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイとなったときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）

【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）

【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号ＬＩＮを伝達する第一入力経路４ａ、第二駆動信号ＲＩＮを伝達する第二入力経路４ｂ、第一入力経路４ａと対応する第一出力バッファー６ａ及び第二入力経路４ｂと対応する第二出力バッファー６ｂを備える出力バッファー回路１において、入力経路切り替え手段８が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路４ａと第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段１０が、第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂと、第一入力経路４ａ及び第一出力バッファー６ａと対応する第一負荷２ａとを、電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗回路の抵抗値の調整可能範囲が大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、複数組の抵抗素子ＲＡ，ＲＢおよび複数組のトランジスタＰ，Ｑを含む出力バッファＤＯＢと、複数のレプリカ回路ＲＰと、複数組の演算増幅器ＡＰ，ＡＮとを備え、出力バッファＤＯＢの出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎが所定値になるように、複数組のトランジスタＰ，Ｑのドレイン電流を調整する。したがって、製造プロセスなどの変動によって抵抗素子ＲＡ，ＲＢの抵抗値が大きく変動した場合でも、出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎを所定値に設定できる。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路１において、入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３と、制御素子１０とを介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイレベルの電圧Ｖｄｄとなっている期間においては、入力電圧Ｖｉｎ３がハイレベルの電圧Ｖｄｄとなっているときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 誘導性負荷を駆動する出力バッファ回路の電力損失を低減する。
【解決手段】 誘導性負荷２から出力バッファ回路１００に電流が流入している場合、スルーレート制御部１４０は、出力バッファ回路１００の出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートへ変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行う。また、出力バッファ回路１００から誘導性負荷２に電流が流出している場合に、スルーレート制御部１４０は、出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートに変化させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】 選択する容量の数に関わらずにそのオン抵抗を一定に保つことができる可変インピーダンス装置及びそれを用いた無線システムを提供する。
【解決手段】 一対の入出力端子１０１、１０２と、一対の入出力端子間に並列に接続された複数の回路ブロックＢＬ１〜ＢＬ４と、を備え、回路ブロックは、一対の入出力端子の一方に一端が接続された容量性回路要素Ｃ１〜Ｃ４と、容量性回路要素の他端と一対の入出力端子の他方との間に互い並列に接続された回路ブロックの数以上の数のスイッチ素子ＳＷ１−１〜ＳＷ４−４を備えるスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】信号波形の変異を抑制すること。
【解決手段】第１のトランジスタＴ１は、信号Ｓ３に応答してオンオフし、オンしたトランジスタＴ１は外部端子Ｐ２に接続された伝送路２７をプルダウンする。伝送路２７のレベルは、トランジスタＴ１のゲートと外部端子Ｐ２とをＡＣカップリングするキャパシタＣ１により、キャパシタＣ１の容量値に応じた傾きで立ち下がる。プルダウン回路４４は、外部端子Ｐ２の電位に応じて、トランジスタＴ１のゲート電圧をプルダウンする。 （もっと読む）

【課題】スリープ・モード中に信号を格納するための回路を提供する。
【解決手段】スリープ信号を受け取るスリープ信号入力と、クロック信号を受け取るクロック信号入力と、クロック信号でクロックされる複数のラッチと、クロック信号でクロックされるトライステート素子であって、トライステート素子は１つの入力に、少なくとも１つの格納ラッチが接続され、格納ラッチは複数のラッチの１つであり、トライステート素子は格納ラッチの入力を、予め定められたクロック信号値に応答して選択的に分離するトライステート素子とを含み、回路への電源供給が、スリープ信号に応答して、回路の少なくとも１部の電圧差が低減されて回路の部分の電源が遮断され、格納ラッチに掛かる電圧差が維持され、トライステート素子で受け取られるクロック信号が予め定められた値に保持されて、格納ラッチの入力が分離される。 （もっと読む）

【課題】超低圧ＶDDデジタル回路においては、クロックスキューは厳密な時間収率の劣化を招く大きな原因であるが、コンピュータによる設計の高度な自動化（ＥＤＡ）手段の様々なプロセスが存在する中でのスキュー調和がとれたクロックツリーを実現する。
【解決手段】参照信号およびローカル信号を受信し、それらを比較して位相差を検出するための位相比較器、位相差の値に関連して制御信号のオン／オフを切り替えるための制御回路、およびローカル信号バッファーを有し、前記ローカル信号バッファーはｎＭＯＳトランジスタおよび／またはｐＭＯＳトランジスタを有しており、前記制御信号に応じてホットキャリアインジェクションストレスをｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタに掛けてｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を増加させる。 （もっと読む）

【課題】回路規模及び消費電流の増大を抑制しながら識別対象電圧の大きさを精度良く識別することができる電圧識別装置及び時計用制御装置を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１２と、被印加線１８並びに電圧線ＶＳＨ及び接地線ＧＮＤが導通可能となるように電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に挿入されると共に、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさに応じてスイッチングを行うスイッチング回路２０を備え、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさと閾値とを比較することにより識別対象電圧の大きさを識別する識別回路１４と、識別回路１４に対して識別対象電圧の大きさを識別させる間、電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に流れる電流の大きさが所定の大きさに保たれるようにスイッチング回路２０と接地線ＧＮＤとの間の抵抗２２を制御可能とする制御部１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を抑えた受信回路を提供する。
【解決手段】 本発明では、差動信号を差動増幅させる際に、差動入力によって発生する電流を対となる差動出力により遮断することで差動信号をラッチする回路を提供する。該ラッチ回路の適用により、受信信号の差動信号電圧差が小さい場合でも伝送データを受信できる為、増幅用アンプの削減が可能となり、受信装置の消費電力の低減を図ることができる。 （もっと読む）