【課題】少数の部品で高周波回路の安定性を向上させる。
【解決手段】電子回路と、該電子回路に並列に接続されたスタブと、該電子回路に並列に接続された抵抗と、を有する高周波回路において、該抵抗を分布定数回路である等価回路に置き換え、該高周波回路で用いられる第１の周波数で前記高周波回路のインピーダンスマッチングがとれており、且つ前記高周波回路が安定すべき第２の周波数で前記高周波回路が安定するように、前記スタブのインピーダンス値と、前記等価回路の抵抗値とを設定する。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチをオンとする際に発生する電源ノイズが許容値を超えないようにし、かつ、内部回路に与える電源電圧の立ち上がり時間を短縮することができるようにした半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】信号処理回路１５に対する電源投入時に、パワースイッチをなすＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４、２２−１〜２２−４のうち、まず、ＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４をオンとする。その後、信号処理回路１５が出力端子２０−１に出力する出力信号ＯＵＴの電圧変化を検出し、電源ノイズがピーク値に達したことが検出されると、ＮＭＯＳトランジスタ２２−１〜２２−４をオンとする。 （もっと読む）

【課題】低高のしきい値電圧のトランジスタが混在する半導体集積回路で、電源電圧Ｖ_DDの制御で速度制御を実行する際に各トランジスタの動作速度を適切に制御する。
【解決手段】半導体集積回路は、内部回路１３、測定回路１４、１５、１６を具備する。内部回路は低高のしきい値電圧のＭＯＳトランジスタを含み、低しきい値電圧のトランジスタのばらつきは高しきい値電圧のトランジスタのばらつきより大きい。測定回路は低高のしきい値電圧のトランジスタが、ともに、高速の状態Fast、典型の状態Typical、低速の状態Slowのいずれかを検出する。高速の検出結果で小さな変化勾配β［Ｖ／σ］の低いレベルＶ_DD−ΔＶ_DDに、典型の検出結果で中間的なレベルＶ_DD±０に、低速の検出結果で大きな変化勾配α［Ｖ／σ］の高いレベルＶ_DD＋ΔＶ_DDに、電源電圧Ｖ_DDが設定される。 （もっと読む）

【課題】 充電回路の動作を安定化させる。
【解決手段】 充電回路（１００）は、第１出力信号を出力するＴｒ制御回路（２４）と、第１出力信号が入力されて動作するトランジスタ（Ｔｒ）及びコンデンサ（Ｃ１）と、その状態を検出し、その結果としての第２出力信号を出力するコンパレータ（２１）と、第２出力信号に基づいて、Ｔｒ制御回路をして前記第１出力信号を出力させるかどうかを決定する第３出力信号をＴｒ制御回路に供給するフリップフロップ（２４）と、を備え、フリップフロップの入出力特性の遷移帯は、Ｔｒ制御回路の入出力特性の遷移帯と重ならない。 （もっと読む）

【課題】入力差動信号のコモン電圧が変化しても、終端抵抗を一定に保持でき、かつ、簡易な回路構成の終端抵抗調整回路。
【解決手段】抵抗値を調整可能な第１の終端抵抗回路と、第１の終端抵抗回路と並列に接続され、抵抗値を調整可能な第２の終端抵抗回路と、第１及び第２の終端抵抗回路の抵抗値を調整するための調整用抵抗回路と、調整用抵抗回路により定まる第１の電圧と、外部に接続された基準抵抗により定まる第２の電圧とが入力され、両電圧が等しくなるように動作するとともに、第１及び第２の終端抵抗回路に対し抵抗調整信号を出力する第１の増幅回路と、第１の終端抵抗回路が接続された第１の端子と、第２の終端抵抗回路が接続された第２の端子と、第１及び第２の端子に与えられる差動信号のコモン電圧に基づく電圧と、第１又は第２の電圧とが入力され、両電圧が等しくなるように動作する第２の増幅回路と、を備える終端抵抗調整回路。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の動作速度を向上し、アクティブ時の消費電力、スタンバイ時の消費電力を共に低減し、チップ面積を小さくする。
【解決手段】半導体集積回路は、クロックにより制御される第１、第２、第３フリップフロップ回路、第１論理回路段及び第１論理回路段より段数の少ない第２論理回路段を有する。第１電位を有する第１電位組を動作電源とする第１論理ゲートと第１電位より小さい第２電位を有する第２電位組を動作電源とする第２論理ゲートを含む。第１論理ゲートを構成する第１MISトランジスタはウエル領域に第１電位組の何れかの電位が与えられる。第２論理ゲートを構成する第２MISトランジスタはウエル領域に第１電位組の何れかの電位が与えられる。第２論理回路段は、第１論理回路段より第２論理ゲートの数が多い。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路は、クロスオーバー電圧の変動幅が増大するという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、差動入力の一方に基づいて第１及び第２の信号を生成するプリドライバ４ｃと、差動入力の他方に基づいて第３及び第４の信号を生成するプリドライバ回路４ｄと、ＶＤＤとＶＳＳとの間に設けられ、第１の信号に基づいて制御されるＭＮ４と、第２の信号に基づいて制御されるＭＰ４と、からなる出力回路５ａと、ＶＤＤとＶＳＳとの間に設けられ、第３の信号に基づいて制御されるＭＮ８と、第４の信号に基づいて制御されるＭＰ８と、からなる出力回路５ｂと、ＶＤＤに応じた第１の制御信号を生成する制御信号生成回路６と、を備える。さらに、プリドライバ４ｃは、第１の制御信号に基づいて第１の信号を制御し、第２のプリドライバ４ｄは、第１の制御信号に基づいて第３の信号を制御する。 （もっと読む）

【課題】 レベルシフタ、集積回路、システムおよびレベルシフタの動作方法を提供する。
【解決手段】 第１電圧状態から第２電圧状態への第１状態遷移を含む入力電圧信号を受けるように構成された入力端、第３電圧状態から入力電圧信号の第１状態遷移に対応した第２電圧状態への第２状態遷移を有する出力電圧信号を出力するように構成された出力端、及び入力端と出力端の間に結合され、第１トランジスタと第２トランジスタを含み、第１電圧状態と第２電圧状態の電圧レベルの約平均値に対応した時間からほぼ直ちに、第２電圧状態がトランジスタのゲートに実質的に印加されることがなくなり、第１トランジスタを実質的にオフにするドライバ段を含むレベルシフタ。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流の温度特性が互いに異なる複数の回路ブロックに対して電源制御を行うことにより、消費電力を低減する。
【解決手段】オフリーク電流が第１の温度特性を有するトランジスタによって構成された第１のＸデコーダ１２と、オフリーク電流が第２の温度特性を有するトランジスタによって構成されたプリデコーダ１３及び周辺回路１４と、スタンバイ時において温度が第１のしきい値を超えている場合、Ｘデコーダ１２を非活性化させる電源制御回路１６と、スタンバイ時において温度が第２のしきい値を超えている場合、プリデコーダ１３及び周辺回路１４を非活性化させる電源制御回路１７とを備える。本発明によれば、複数の回路ブロックに対する電源制御の有無を、互いに異なる温度を基準として判断していることから、各回路ブロックに対して最適な電源制御を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力バッファの出力電流が一定の範囲内に収まるように制御できる半導体装置を提供する。
【解決手段】出力バッファ１と、出力バッファと直列に接続された電流制御トランジスタＭ０と、電流制御トランジスタを介して出力される出力電流をモニタして電流制御トランジスタのオン抵抗を制御する出力電流制御回路２と、を備える。温度や電源電圧の変動等により出力バッファ自体のオン抵抗が変動したとしても、出力バッファの出力電流は、電流制御トランジスタにより決まり、電流制御トランジスタに流れる電流は出力電流制御回路によって一定の範囲内に収まるように制御される。出力バッファ自体の高速なスイッチング動作が損なわれることもない。 （もっと読む）

【課題】相補電界効果トランジスタのオフ電流の周囲温度の変動に伴う変動を抑制する。
【解決手段】ＣＭＯＳを構成するＮチャンネルＭＯＳトランジスタの基板電圧ＶＰＷを生成する基板電圧生成回路３１と、上記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのレプリカであり、かつダイオード接続されたレプリカトランジスタ３２と、レプリカトランジスタ３２のアノード−カソード間に所定の電圧値ＶＦの電圧を印加する電圧印加部３３とを備え、レプリカトランジスタ３２の基板電圧は基板電圧生成回路３１が生成する基板電圧ＶＰＷであり、基板電圧生成回路３１は、レプリカトランジスタ３２に流れる電流の電流値が所与の目標値となるよう、生成する基板電圧ＶＰＷを制御する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、電源電位と接続された出力ノードと、出力ノードと電源電位より低電位である接地電位との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスター、第２のｎチャネル型トランジスターおよび第３のｎチャネル型トランジスターを有し、第１のｎチャネル型トランジスターの一端は、接地電位に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスターの一端に接続され、ゲート端子は、入力ノードに接続され、第２のｎチャネル型トランジスターの他端は、第３のｎチャネル型トランジスターに接続され、ゲート端子は、電源電位と接地電位との間に位置する第１中間電位に接続され、第３のｎチャネル型トランジスターの他端は出力ノードに接続され、ゲート端子は電源電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 （もっと読む）

【課題】低電圧と高電圧とを相反する論理信号として出力し、前記高電圧として、異なる２以上の電圧を出力可能であって、安定して動作するバッファ回路。
【解決手段】論理制御回路と、第１の高電圧ＶＤＤＬを与える電源と出力端子との間に設けられ、ゲートに前記論理制御回路から出力された第１の高電圧ＶＤＤＬレベルの制御信号が入力され、バックゲートに第１の高電圧ＶＤＤＬが与えられた第１のＭＯＳトランジスタＭ９と、第２の高電圧ＶＤＤＨを与える電源と出力端子との間に設けられ、ゲートに論理制御回路から出力された第２の高電圧ＶＤＤＨレベルの制御信号が入力され、バックゲートに第２の高電圧ＶＤＤＬが与えられた第２のＭＯＳトランジスタＭ１１と、第１のＭＯＳトランジスタＭ９と出力端子との間に設けられ、第２の高電圧ＶＤＤＬレベルの制御信号によりオンオフが制御される第１のスイッチ回路ＳＷ１と、を備えるバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】電磁波による誤動作を低減することのできる入力回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】入力端子２に供給される入力信号を受け取る入力回路１０ａであって、一端が前記入力端子に接続された容量４２と、前記入力信号を、当該入力信号と同じ正論理の信号に変換し、前記容量の他端に供給して駆動する容量駆動回路５１，５２，４１と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の電圧変動等に起因するコモンモードノイズ発生時でもクランプすることなく、信号を伝達できるレベルシフト回路、スイッチング素子駆動回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】セットパルス及びリセットパルスを発生するパルス発生回路と、セットパルスを電流に変換する第１スイッチング素子及びリセットパルスを電流に変換する第２スイッチング素子と、浮動電位側にあり、第１スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するセット用負荷及び第２スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するリセット用負荷と、セット用負荷の信号レベルおよびリセット用負荷の信号レベルから、制御パルス信号を再生するパルス再生回路を備えるレベルシフト回路において、セット用負荷及びリセット用負荷として非線形の負荷特性を有する回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】差動アンプ回路の出力信号の出力をより正確に制御することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第４のＭＯＳトランジスタと第５のＭＯＳトランジスタとの間の接点の第１の電圧に応じた信号とイネーブル信号とが入力され、イネーブル信号が第１のレベルであり且つ第１の電圧が規定電圧以上の場合に差動アンプ回路の出力信号を出力端子に出力するための第１の信号を出力し、イネーブル信号が第２のレベルまたは第１の電圧が規定電圧未満の場合に第２の信号を出力する演算回路と、差動アンプ回路の出力信号と演算回路が出力した信号とが入力され、第１の信号が入力された場合には、出力信号を出力端子に出力し、第２の信号が入力された場合には、出力端子へ或る論理に固定した信号を出力する出力バッファ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧ＣＭＯＳインバータ回路における製造プロセスバラツキや温度バラツキの影響をオンチップで検知して、製造プロセスバラツキや温度バラツキの影響をキャンセル補正し、論理反転閾値のバラツキを大幅に抑制する低電圧ＣＭＯＳインバータ回路を提供する。
【解決手段】ｐＭＯＳＦＥＴの論理反転閾値とｎＭＯＳＦＥＴの論理反転閾値のプロセスバラツキによる変動の差電圧を、そのまま出力電圧変動とする閾値電圧差バラツキモニタ回路を備え、前記閾値電圧差バラツキモニタ回路の出力電圧をＣＭＯＳインバータの電源ラインに供給する。また、ＣＭＯＳインバータ回路における出力電圧の後段に、さらに論理値レベル補正部が設けられ、電源電圧の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成であり、かつ、レールツーレール入力の小振幅差動信号を受信して、低消費電力、低ゆがみ、高速に増幅出力することができ、電圧が異なる複数の電源が存在する系においても使用することができるレシーバ回路を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳの差動回路を有し、それぞれの差動回路により、レールツーレールの小振幅差動入力信号を受け取ってＩＯ系電源のレールツーレールの差動出力信号を生成する差動増幅回路と、差動出力信号の同相入力電圧レベルに応じて、差動回路のテールカレントを補償する電流補償ミラー回路と、差動増幅回路によって生成されたＩＯ系電源のレールツーレールの差動出力信号を、コア系電源のレールツーレールの差動信号にレベルシフトして出力するレベルシフタとを備えている。 （もっと読む）

【課題】混成信号回路のデジタル式プログラム可能な最適化のための方法を提供する。
【解決手段】混成信号回路の１つ又はそれ以上のトランジスタ素子１００を、１つ又はそれ以上のトランジスタ区分Ｔ１、Ｔ２、・・・Ｔｎに、それぞれのトランジスタ区分がボディタイバイアス端子を含むようにして、分割することを含んでいる。それぞれのボディタイバイアス端子は、少なくとも１つの電圧バイアスに、それぞれのボディタイバイアス端子を混成信号回路の１つ又はそれ以上のバイアスノードと信号連通させるか、又はそれぞれのボディタイバイアス端子を非精密バイアス電圧ソースと信号連通させるかの何れかによって、連結される。各々のボディタイ端子は、更に、１つ又はそれ以上のデジタル式プログラム可能な記憶要素の別々の１つと信号連通するように配置される。 （もっと読む）