【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】逆相の屈曲モードで振動する超小型の音叉型圧電振動子を提供する。
【解決手段】基部部分に接続された少なくとも第１及び第２音叉腕とを備えて構成され、音叉腕の各々の一端部が基部部分に接続され、他端部が自由であり、各々の上面と下面の少なくとも一面に溝が形成され、基本波モード振動の品質係数Ｑ_ｍ１、共振周波数ｆ_ｍ１、等価直列抵抗Ｒ_ｍ１、等価容量Ｃ_ｍ１と２次高調波モード振動の品質係数Ｑ_ｍ２、共振周波数ｆ_ｍ２、等価直列抵抗Ｒ_ｍ２、等価容量Ｃ_ｍ２を備え、振幅係数ｋａ_２１がｋａ_２１＝（ｆ_ｍ１Ｒ_ｍ１Ｃ_ｍ１^１／２）／（ｆ_ｍ２Ｒ_ｍ２Ｃ_ｍ２^１／２）で定義され、かつ、安定係数Ａ_ｓ１２がＡ_ｓ１２＝（Ｃ_ｍ２Ｑ_２^２）／（Ｃ_ｍ１Ｑ_ｍ１^２）で定義される時、安定係数Ａ_ｓ１２が０．０５２９＜Ａ_ｓ１２＜０．３３３の範囲内、かつ、振幅係数ｋａ_２１が０．２３＜ｋａ_２１＜０．５７７の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器、圧電発振器の製造方法、圧電発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】周波数温度特性にアクティヴィティディップ５６を有する圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２を発振させ発振信号５０を出力する発振回路１４と、記憶回路１８と、を有し、前記記憶回路１８には、前記周波数温度特性の情報５４を近似する近似式の情報から抽出された特性情報５８と、前記周波数温度特性の情報５４と前記近似式の情報に基づいて算出されアクティヴィティディップ５６を示すディップ情報６２と、が記憶されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発振出力開始時のノイズに起因する異常発振や、電源立上時の過渡応答に起因する不要なパルスの出力を防止する為、ローパスフィルタの構成を変えて対応を可能とする発振器の提供。
【解決手段】発振手段からの発振信号の、発振開始からのパルス数が所定の閾値に達したことを発振パルスカウント回路３が検出すると、発振手段からの発振信号を選択して出力する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なることによる発生する、周波数特性の歪み、スプリアス周波数などの異常発振を抑制することを目的とする。
【解決手段】高周波側のＳＡＷ素子６を第１幅員の第１電極指と、第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、第１電極指と第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、第１電極指と第３電極指とを同相とし、第２電極指と第１電極指および第３電極指とを逆相とし、第１幅員と第３幅員とを同値とし、第１間隙と第２間隙とを同値とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電源投入時の周波数変動を防止する表面実装発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】底壁１ａの両主面に枠壁１（ｂｃ）を積層して両主面に凹部を有する容器本体１と、前記容器本体１の一方の凹部内底面に設けられた一対の水晶保持端子５（ａｂ）に引出電極１０（ａｂ）の延出した一端部両側が固着された水晶片２と、前記一方の凹部の開口端面に接合して前記水晶片２を密閉封入する金属カバー４と、前記容器本体１の他方の凹部内底面に設けられた回路端子７にＩＣ端子が電気的・機械的に接続したＩＣチップ３とを備えた表面実装用の水晶発振器において、前記水晶保持端子５（ａｂ）は前記容器本体１の内底面に延出した放熱用電極１４を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】異常発振を防止する圧電発振器、および圧電発振器の起動方法を提供する。
【解決手段】発振信号を出力する圧電発振回路１０であって、圧電振動子１２と、負荷容量を備え、前記負荷容量を可変させる可変容量回路１６と、伸長コイル２４と、増幅回路１４と、を有し、前記圧電発振回路１０は、前記負荷容量を可変させることにより前記負荷容量の可変容量範囲に対応する発振周波数変動範囲内で前記発振信号の発振周波数を可変可能であり、前記圧電発振回路の発振開始期間において前記可変容量回路１６の前記負荷容量の値を発振開始期間用容量値に固定する容量制御を行う容量制御回路１８を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 電源立ち上がり直後にＣＭＯＳインバータＩＣの自励発振によって発生する不要波を出力しないようにして、安定した発振器出力を得ることができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】 発振部１０のＣＭＯＳインバータＩＣの後段にＮＡＮＤゲートＩＣ１１を備え、発振部１０の出力をＮＡＮＤゲートＩＣ１１の入力端子Ａに入力すると共に、入力端子Ｂに電源電圧を入力し、電源電圧端子と入力端子Ｂとの間に抵抗Ｒ４を直列接続し、抵抗Ｒ４と入力端子Ｂとの間に、一端が接続され他端が接地されたコンデンサＣ４を設け、電源投入後、ＣＭＯＳインバータＩＣからの自励発振に由来する不要波が出力されている間は、ＮＡＮＤゲートＩＣに入力される電源電圧がハイレベルとならないよう、抵抗Ｒ４及びコンデンサＣ４による時定数が設定されている水晶発振器としている。 （もっと読む）

【課題】Ｑが高く、耐電力性に優れているだけでなく、印加電圧によるインピーダンス特性曲線の乱れが生じ難い、圧電振動装置を得る。
【解決手段】圧電薄膜４の下面に下部電極５が、上面に上部電極６が形成されている圧電振動部３が基板２から浮かされた状態で支持部９，１０により支持されており、矩形の圧電振動部３の輪郭振動を利用しており、該輪郭振動と、圧電振動部３において生じる屈曲振動とが結合しないように、上記輪郭振動の共振周波数と屈曲振動の共振周波数とが隔てられている、圧電振動装置１。 （もっと読む）

【課題】 ディレイ回路を設けたり、バイアス決定回路のバイアス点と波形整形回路のスレッショルドとを異ならせたりすることなく、消費電流を低減し、自励発振や異常発振を防ぐことができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】 水晶振動子２１および水晶振動子２１の出力を増幅し、電源電圧より低い定電圧源ＬＤＯ１により駆動される発振増幅器２２を有する水晶発振部２の出力に、電源電圧レベルにレベルシフトする結合コンデンサ３が接続され、その結合コンデンサ３の出力に、ソースがＶddに、ゲートがＶssに接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ４１およびソースがＶssに、ゲートがＶddに接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２のそれぞれのドレインが接続されたバイアス決定回路４が接続され、そのバイアス決定回路４の出力に振幅検知回路５、および波形整形回路６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】発振に必要な負性抵抗を小さくすると同時に回路の低消費電力を図ることのできる発振回路及び発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１０は、トランジスタＭ１とトランジスタＭ２とが差動接続されるクロスカップル型回路からなり、振動子ＳＡＷの共振点帯域で発振する。トランジスタＭ１は第１ソース負荷回路としての抵抗器ＲＬ１に接続され、トランジスタＭ２は第２ソース負荷回路としての抵抗器ＲＬ２に接続されている。また、トランジスタＭ１は第１ドレイン負荷回路としての抵抗器Ｒｓ１に接続され、トランジスタＭ２は第２ドレイン負荷回路としての抵抗器Ｒｓ２に接続されている。第１ソース負荷回路のインピーダンスの大きさが第１ドレイン負荷回路のインピーダンスの大きさ以上であり、且つ、第２ソース負荷回路のインピーダンスの大きさが第２ドレイン負荷回路のインピーダンスの大きさ以上とする。 （もっと読む）

【課題】自励発振が起こらず、出力対称性を確保できるようにした発振回路を提供する。
【解決手段】コルピッツ型の水晶発振回路において、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力側（ノードＮ１）と電源ＶＤＤとの間に、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の帰還バイアス電圧を高くするためのトランジスタＭＰ１と発振出力が無いときＯＮするトランジスタＭＰ２とを直列接続して、電源投入初期時にそのノードＮ１をＶＤＤ／２より高い電圧にプルアップし、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達すると、トランジスタＭＰ２をＯＦＦしてノードＮ１のプルアップを解除する。また、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力を反転するＣＭＯＳインバータＩＮＶ２を接続し、その出力側のノードＮ２にアンド回路ＡＮＤ１を接続し、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達したとき、それから遅延回路ＤＬ１の遅延の後に、アンド回路ＡＮＤ１のゲートを開いて、ノードＮ２の発振信号を出力端子ＯＵＴに出力する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子のマウント位置のバラツキによる浮遊容量のバラツキを低減するこ
とができる圧電振動子を提供する。
【解決手段】圧電基板１１と、圧電基板１１の表裏両面に夫々形成された励振電極１２、
１３と、励振電極１２、１３から夫々圧電基板１１の端面に引き出されたリード端子１２
ａ、１３ａとを備えた圧電振動素子１０と、上面に圧電振動素子１０のリード端子１２ａ
、１３ａが導電性接合部材６を介して夫々接合される素子搭載用パッド７ａ、７ｂを備え
た凹所３と、外部底面に設けられた複数の実装電極５ａ〜５ｄと、素子搭載用パッド７ａ
、７ｂと実装電極５ａ、５ｂとを接続する内部配線とを有するパッケージ２とを備えた圧
電振動子１であって、実装電極５ａと素子搭載用パッド７ａとを接続する内部配線８ａが
励振電極１２、１３と対面すると共に、内部配線８ａと励振電極１２、１３間の距離が一
定となるように配置した。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数以外の周波数で発振するおそれがあり、また、出力される発振周波
数の波形が正弦波に近似しないことがあった。
【解決手段】第１の電位及び第２の電位間に接続されたＣＭＯＳインバータと、一端がＣ
ＭＯＳインバータの入力端に接続された第１の素子部と、一端がＣＭＯＳインバータの入
力端に接続され、他端がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第２の素子部と、一端
がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第３の素子部と、一端が第１の素子部の他端
及び第３の素子部の他端に接続され、他端が第１の電位及び第２の電位のうちの一方に接
続された第４の素子部とを含み、第１、第２、第３、及び第４の素子部は、水晶振動子、
抵抗器、インダクタ及びキャパシタのいずれかであり、第１、第２、及び第３の素子部に
より規定される周波数で発振する。 （もっと読む）

【課題】小型化で異常発振の発生を抑制できる逓倍発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子Ｙ１を有し所定の周波数で発振する水晶発振回路１１と、水晶発
振回路１１の発振出力に含まれる所定の高調波出力に同調する同調回路１３と、増幅用ト
ランジスタＱ２とこの増幅用トランジスタＱ２コレクタ−ベース間に接続され自己バイア
ス機能とデカップリング機能を有する抵抗Ｒ４と、増幅用トランジスタＱ２コレクタに接
続され、増幅用トランジスタＱ２から出力される所定の高調波出力に同調する同調回路１
５と、同調回路１３と同調回路１５との間を結合する結合コンデンサＣ６とを備えるよう
にした。 （もっと読む）

【課題】発振部の後段に接続する波形整形部の内部容量が発振部の発振周波数に与える影響を排除し、発振回路の異常発振を防止すること。
【解決手段】この発振回路は、所望の周波数で発振して発振信号を出力する発振部１０と、前記発振部１０の出力端に接続され前記発振信号を波形整形する波形整形部２０と、前記発振部１０と前記波形整形部２０との間に介挿された抵抗３０とを具備し、抵抗３０と波形整形部２０の内部容量２２とでローパスフィルタを形成する。 （もっと読む）

【課題】主振動（Ｃモード）での安定発振を得ながら、不要振動（Ｂモード）を確実に抑圧した発振を得る。
【解決手段】圧電振動子Ｘ１とトランジスタＱ１および分割容量成分Ｃ１，Ｃ２を含むコルピッツ型発振器において、容量成分Ｃ１と容量成分Ｃ２との接続中点とトランジスタのエミッタとの間に容量成分Ｃ３とインダクタＬ１の直列接続から成る帰還回路を挿入し、容量成分Ｃ２と並列にインダクタＬ２を挿入し、容量成分Ｃ２とインダクタＬ２の並列共振周波数を当該発振器の発振周波数近傍に設定することにより、圧電振動子から見た回路側の負性抵抗となる周波数帯域を、所望する周波数のみを含む狭帯域に設定して当該発振器の不要振動を抑圧する。 （もっと読む）

【課題】Ｂモード の共振を確実に抑圧でき、それによってＣモード の共振を確実に励振することができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、ＳＣカットやＩＴカットなどの水晶振動子を用いているため、Ｃモード（主モード）周波数にＢモード（不要モード）周波数が近接しているため、水晶発振回路の帰還ループ中に、Ｃモード周波数を通過させるＣモード共振回路（主モード共振回路）と、不要モード周波数での発振を抑圧するトラップ回路を具備する構成とする。 （もっと読む）

高周波電磁発振を発生させる発振器回路が、少なくとも１つの入力と少なくとも１つの出力とを有する増幅器構成と、増幅器構成の少なくとも１つの出力に接続される水晶振動子と、少なくとも１つの入力が、水晶振動子と、水晶振動子に接続された少なくとも１つの、増幅器構成の出力とに接続され、少なくとも１つの出力が、増幅器構成の入力または少なくとも１つの入力に反結合されたバンドパス・フィルタ構成とを含む。バンドパス・フィルタ構成の振幅−周波数特性および／または位相−周波数特性を、増幅器構成および水晶振動子の振幅−周波数特性および位相−周波数特性の関数として設計することにより、水晶振動子の選択された高調波に対してのみ発振条件が満たされ、この選択された、水晶振動子の高調波によって形成される高周波電磁発振をバンドパス・フィルタ構成の出力において利用することができる。この発振器回路は、シンプルに構成され、干渉の影響を少なくともほぼ受けない動作が可能である。
（もっと読む）

【課題】 インバータの閾値電圧が可変可能であり、発振段回路内に生じたノイズに影響されることなく圧電振動子を発振させる発振回路、圧電発振器および発振回路の制御方法を提供する。
【解決手段】 圧電発振器１０は、圧電振動子１２と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１６およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ１８からなるＣＭＯＳ回路を多段に接続してなり、前記圧電振動子１２に接続したインバータ１４と、前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１８のソース側に接続したスイッチ２８と、前記インバータ３０の出力側に接続し、前記インバータ１４から出力されたパルス信号のカウンタ２６と、前記カウンタ２６の後段に接続し、前記スイッチ２８を制御する制御器２２と、を有する構成とした。 （もっと読む）