【課題】反転電圧ＶＴＨ、負性抵抗−ＲＬ、発振周波数ｆ０が電源ＶＤＤの影響を受けることがなく、定電圧回路を追加する必要がなく、しかも、動作電圧も低くなり、水晶振動子に流れる電流も小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳインバータＩＶｎと、帰還抵抗Ｒｆと、水晶振動子Ｑｚと、が互いに並列接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの入力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＧが接続され、ＮＭＯＳインバータＩＶｎの出力と電源ＶＳＳとの間にキャパシタＣＤが接続された水晶発振回路１において、ＮＭＯＳインバータＩＶｎが、電源ＶＤＤに接続された定電流回路Ｉｎと、定電流回路Ｉｎと電源ＶＳＳとの間に接続されたｎ型のＭＯＳトランジスタＴｎと、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 消費電力に応じて周波数ドリフト補償量を可変にし、発熱による周波数ドリフト特性を補償する水晶発振器を提供する。
【解決手段】 温度補償回路１からの温度補償制御電圧、ＡＦＣ回路２からの発振周波数制御電圧、周波数ドリフト補償回路３からの消費電力に応じた周波数ドリフト補償電圧を加算器４が加算し、水晶振動子５と並列接続されるインバータＩＣ６の入力側と出力側に接続する電圧可変容量素子７ａ，７ｂに加算器４で加算された電圧を出力する水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】第１のパッドと第２のパッドとの間に振動子が接続されて発振動作を行う半導体集積回路装置において、寄生容量を低減して調整可能な発振周波数の範囲を広くすると共に、外部から供給される電源電圧の値によって発振周波数が変化することを防止する。
【解決手段】この装置は、第３／第４のパッドから第１／第２の電源電位が供給されて安定化電源電位を出力する電圧レギュレータと、安定化電源電位が供給されて動作する反転増幅回路と、第１／第２のパッドに接続されたアノードと電圧レギュレータの出力端子に抵抗を介して接続されたカソードとを有する２つのダイオードと、第１／第２のパッドに接続されたカソードと第４のパッドに接続されたアノードとを有する２つのダイオードと、第３のパッドと第４のパッドとの間に接続されたトランジスタと、上記抵抗と第４のパッドとの間に接続されたトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＬ出力回路を有する電圧制御型圧電発振器の周波数温度特性を改善する手段
を得る。
【解決手段】圧電振動子Ｙ１と、発振回路１１と、周波数電圧制御回路１２と、発振回路
１１の出力に接続されるＥＣＬ出力回路１３と、各要素を搭載する絶縁基板５と、絶縁基
板５を収容するケースと、を備えた電圧制御型圧電発振器である。圧電振動子Ｙ１は、水
晶のＸ軸（電気軸）の回りにθ回転し、更にＺ’軸（光学軸）の回りにφ回転した二回回
転カット水晶振動子である。発振回路１１は、コルピッツ型発振回路、又はピアース型発
振回路であり、周波数電圧制御回路１２は、容量素子とインダクタと少なくとも１つの可
変容量素子とを有する回路からなる。ＥＣＬ出力回路１３は、発振回路１１の出力をデジ
タル出力に変換して出力するＥＣＬ回路を有し、圧電振動子Ｙ１とＥＣＬ出力回路１３と
を絶縁基板５上に近接配置して電圧制御型圧電発振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の製造方法、及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の周波数温度特性情報５４と、圧電振動子の温度に対応する情報（検出電圧５２）と、を用いて温度補償量５６を算出可能な温度補償回路３２に発振信号５０を出力する発振回路１４と、周波数温度特性情報を記憶して温度補償回路に出力する記憶回路１８と、を有し、周波数温度特性情報５４は、発振信号の第１の離散周波数温度特性情報に基づいて生成して記憶回路に記憶するとともに、第１の離散周波数温度特性情報において、周波数成分が許容範囲外の情報を有するときは、予め測定された複数の圧電振動子の複数の第２の離散周波数温度特性情報のうち、第１の離散周波数温度特性情報の周波数成分との差分が最小となる第２の離散周波数温度特性情報を抽出し、許容範囲外の情報を第２の離散周波数温度特性情報中の許容範囲外の情報と同一の温度情報を有する情報に置き換える。 （もっと読む）

【課題】発振回路の性能を維持しながら静電気保護耐圧を向上できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、振動子ＸＴＡＬの一端に接続される第１のパッドＰ１と、振動子ＸＴＡＬの他端に接続される第２のパッドＰ２と、振動子ＸＴＡＬの発振用のバッファー回路ＢＦと、第１のパッドＰ１側の第１の接続ノードＮＣ１と、バッファー回路ＢＦの入力ノードＮＩとの間に設けられる第１の保護抵抗素子Ｒ１と、第２のパッドＰ２側の第２の接続ノードＮＣ２と、バッファー回路ＢＦの出力ノードＮＱとの間に設けられる第２の保護抵抗素子Ｒ２と、第１、第２の接続ノードＮＣ１、ＮＣ２の一方に接続される容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 クロック発振回路のジッタが音質に重要だとは気が付かなかったか、ＣＭＯＳの発振回路のジッタ性能で十分だと思われていた。しかし、ジッタが多いと、音質的に十分でないことが判明した。そこで、高音質化のため低ジッタ化し、なおかつ高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、波形の対称性を達成する必要性がある。
【解決手段】 ＣＭＯＳよりもノイズ特性に優れるバイポーラトランジスタを使い、これをコンプリメンタリ接続にすることで、低ジッタ、高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、高い対象性を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】温度特性情報を生成する際の測定温度の個数を増やすことなく温度補償を高精度に行うことが可能な圧電発振器の発振回路システムを提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の発振周波数の温度特性を示す温度特性情報７６から圧電振動子の発振周波数の温度特性を近似するための第１の近似式を算出し、第１の近似式と温度センサー１６の検出電圧６６に対応した温度補償量８０から周波数補正回路４２により発振信号５８の温度補償を行う発振回路システムであって、温度特性情報は、圧電振動子の温度と発振周波数との関係を離散的に示した離散温度特性情報に補間温度特性情報を付加した情報に基づいて生成されたものであるとともに、補間温度特性情報は、前記情報から第１の近似式が算出可能となるように、離散温度特性情報に基づいて算出され、第１の近似式より低次の第２の近似式から抽出したものである。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の温度補償方法、及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】周波数温度特性にヒステリシス特性を有する圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２を発振させて発振信号５８を出力する発振回路１４と、を備え、前記圧電振動子１２の発振周波数の温度特性を示す周波数温度情報７６と、前記発振信号５８の発振時の前記圧電振動子１２の温度情報と、を用いて温度補償量８０を算出可能な温度補償回路４０に、前記発振信号５８と前記周波数温度情報７６を出力する圧電発振器１０の温度補償方法であって、前記圧電振動子１２の周囲温度を上昇させた場合に生成される前記圧電振動子１２の昇温周波数温度情報７７ａと、前記周囲温度を下降させた場合に生成される前記圧電振動子１２の降温周波数温度情報７７ｂと、の中間値を前記周波数温度情報７６として算出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動子が外付けされて発振回路を実現する半導体集積回路において、振動子が外付けされるパッドと内部回路間の配線による浮遊容量の影響を小さくする。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板と、第１のパッドＰ１に第１の抵抗及Ｒ１及び第１のコンデンサＣ_ＡＣを介して接続の入力端子、及び、第２のパッドＰ２に第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄを介して接続の出力端子を有するインバータ３２と、インバータ入力端子と第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点との間に接続され、インバータと共に発振ブロックを構成する帰還素子３３と、第１の抵抗Ｒ１及び第１のコンデンサの接続点と基板電位との間に接続され、第１のパッドと発振ブロックとの間に配置された第２のコンデンサＣ_Ｇと、第２の抵抗Ｒ２及び第３の抵抗Ｒ_Ｄの接続点と基板電位との間に接続され、第２のパッドＰ２と発振ブロック間に配置された第３のコンデンサＣ_Ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】振幅制限を行いながらも消費電流量を低減することができる水晶発振回路を実現する。
【解決手段】インバータＩＮＶの入力端と出力端との間には、水晶振動子ＸＤおよび抵抗器Ｒがそれぞれに並列に接続されている。インバータＩＮＶの入力端と出力端とは、キャパシタＣによりグランドに接続されている。ダイオードＤは、これらインバータＩＮＶ、水晶振動子ＸＤ、抵抗器Ｒに対して、他の回路素子を介することなく単独で並列接続されている。この際、ダイオードＤのアノードがインバータＩＮＶの入力端に接続され、ダイオードＤのカソードがインバータＩＮＶの出力端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】周囲温度を精度良く検出して、安定した発振周波数を得ることができる恒温型発振器を提供する。
【解決手段】水晶振動子２、発振回路３及び温度制御回路４が一主面または両主面に配設された回路基板６と、回路基板６を収容して外底面に実装端子を有する容器本体５、１０とを備え、温度制御回路４は少なくとも水晶振動子２の動作温度を検出する第１温度センサ１１と、容器本体の周囲温度を検出する第２温度センサ１２と、水晶振動子２を加熱する加熱抵抗１６とからなり、回路基板６からリード線７が延出して実装端子に電気的に接続した恒温型の水晶発振器１において、第２温度センサ１２に最も近接したリード線７である第１リード線７ａ及び第２温度センサ１２と加熱抵抗１６との間に回路基板６を厚み方向に貫通する断熱溝１９が形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】振動子を定常励振させるまでに要する時間、すなわち、起動時間を短縮するとともに、増幅器の出力電圧波形の飽和や、ノイズの増幅、増幅度変化後の振動子の発振状態の安定性といった問題を解決した固体振動子発振回路を提供する。
【解決手段】振動子12と、振動子からの出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路14と、該電流電圧変換回路14からの出力電圧を増幅するための増幅器16,18を備えた固体振動子発振回路10であって、増幅器16,18は、その増幅器の増幅度を変化させる可変電流スイッチ20,22を備え、可変電流スイッチ20,22は、電流電圧変換回路14からの出力電圧に基づいて、流れる電流の大きさが連続的に変化し、増幅器16,18の増幅度を連続的に変化させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】振動型センサーの故障を検出する。
【解決手段】圧電振動子１０と、圧電振動子１０を発振させるための直列に接続されたｎ段（ｎは３以上の奇数）の増幅器２１〜２３を含み、１段目の増幅器２１の入力端子と圧電振動子１０の一方の端子とが接続され、ｎ段目の増幅器２３の出力端子と圧電振動子１０の他方の端子とが接続された発振回路１００と、１段目の増幅器２１の入力端子と接続され、圧電振動子の一方の端子からの信号ａに基づき圧電振動子１０が故障しているか否かを検出する故障検出回路２００と、を含む故障検出回路付き振動型センサー回路１。 （もっと読む）

【課題】実装スペースとコストの更なる低減のため、電子機器内の水晶部品を１つに集約するためには、消費電流や周波数精度の問題があった。
【解決手段】本発明の水晶発振器は、音叉型水晶振動体と、この振動体の温度による発振周波数の変化を、時間領域で連続的に補正するための温度補償回路を含んだ発振回路とを備え、この発振回路の出力を源振として高周波クロック信号を出力する、複数のＰＬＬ（フェイズロックループ）回路を備える。このような構成にすることにより、電子機器内で必要とされる全てのクロック信号を、精度良く提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を低電圧とした場合でも、雑音を低減させることが可能な温度センサ及びこの温度センサを有する発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】電源電圧が供給される定電流源とアノードが接続されており、接地にカソードが接続された温度検出素子と、前記温度検出素子のアノードの電圧のレベルをシフトする温度特性を有したレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路の出力が非反転入力端子と接続された非反転増幅回路と、を有する構成により実現する。 （もっと読む）

【課題】発熱素子の影響を軽減する。
【解決手段】圧電振動子１０と、制御電圧ＶＣに基づき圧電振動子１０の発振周波数を制
御する発振回路１５０と、温度を検出し第１の電圧Ｖ１を出力する第１の温度検出器Ｔ１
と、温度を検出し第２の電圧Ｖ２を出力する第２の温度検出器Ｔ２と、第１の電圧Ｖ１と
第２の電圧Ｖ２との差の電圧である第３の電圧Ｖ３を出力する差分回路１２０と、第１の
電圧Ｖ１と第３の電圧Ｖ３との和の電圧である第４の電圧Ｖ４を出力する加算回路１３０
と、第４の電圧Ｖ４に基づき制御電圧ＶＣを発生する制御電圧発生回路１４０と、を含む
温度補償型圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】発振起動性に優れ、定常発振時には低消費電力で発振を継続することができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、入力側及び出力側負荷容量５、６、と水晶振動子３とを有する共振回路と、共振回路を定常的に励振する増幅回路であるＣＭＯＳインバータを構成するＰ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ１、２と、増幅回路の出力振幅に応じた電圧で発振電流を制御する電流制限素子である電流制限用Ｐ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ２１、２２と、電流制限素子を制御する発振電流制御手段である第１及び第２の容量５１、５２と、第１及び第２のダイオード６１、６２により構成され、発振電流制御手段は、増幅回路から交流信号が出力されない非発振状態では、電流制限素子を導通状態とし、増幅回路から交流信号が出力される発振状態では、増幅回路の出力振幅に応じた交流電圧により、導通状態よりも抵抗値が大きな状態となるように、電流制限素子を制御する。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の低電源電圧化に対応可能とすると共に、安定した性能を有する圧電
発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電発振器１は、コルピッツ型の発振回路２と、発振回路２が出力する発振
信号より基本波周波数を濾波し、即ち通過させるフィルタ回路３と、発振回路２とフィル
タ回路３との間に接続されたダイオードＤ１とにより構成し、圧電発振器１には、ノイズ
を除去するためのバイパスコンデンサＣ５を介して電源電圧（Ｖｃｃ）を印加している。
本発明においては、発振回路２とフィルタ回路３とをダイオードＤ１を経由して接続した
。 （もっと読む）