【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減でき、さらには電気的ノイズも少ない計時用水晶発振回路、さらに時計用水晶発振回路の温度補償法を行う熱発電型携帯機器を提供する事を目的とする。
【解決手段】水晶振動子１０９を有する水晶発振回路１０８と、熱源と温度差とに基づき発電する熱発電素子１０２と、熱発電素子から出力される発電電圧から制御電圧を生成し、制御電圧の値に基づいて水晶発振回路１０８の負荷容量値を電圧制御し、水晶発振回路１０８の発振周波数の温度特性を制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の内部回路に供給されるクロック信号の周波数が、正常時よりも高くなった場合の上記内部回路の暴走を回避する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１）において、内部回路（１７）と、水晶振動子を用いた発振動作によりクロック信号を形成する水晶発振回路（１１）と、上記内部回路が正常に動作可能な周波数のクロック信号を形成する内蔵発振器（１４）とを設ける。また上記水晶発振回路で形成されたクロック信号の周波数が、上記内部回路の正常動作の周波数範囲よりも上昇したことを検出可能な異常高速発振検出回路（１３）を設ける。さらに上記異常高速発振検出回路での検出結果に基づいて、上記水晶発振回路で形成されたクロック信号に代えて、上記内蔵発振器で形成されたクロック信号を上記内部回路に供給するための制御回路（１６）を設けることで、内部回路の暴走を回避する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動による発振周波数の変動を抑え、安定して発振する発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置において、水晶振動子を接続する入出力端子に有する静電保護回路のＮＭＯＳトランジスタのドレインを接地電位に接続し、ゲートとソースと基板は水晶振動子の入出力端子を接続し、さらに接地電位と電源間に静電保護回路を備えることにより、電源電圧の変動による水晶発振回路の寄生容量値は変化せず、発振周波数の変動を抑え、安定して発振できる。 （もっと読む）

【課題】異常発振を抑圧する発振器を提供する。
【解決手段】発振信号を起動および増幅する増幅部１２０と、所望の発振周波数を決定する共振部１３０と、を備えた発振回路１１０と、発振回路１１０の出力端子に緩衝回路１６０が接続された発振器１００であって、増幅部１２０は入出力用の２端子を有する低域濾波器１４０と、３段の増幅回路とを有し、増幅部１２０の１段目増幅器１２１と２段目増幅器１２２とが不平衡型増幅器で、３段目増幅器１２３がオペアンプであり、２段目増幅器１２２の出力端子が、低域濾波器１４０の入力端子と３段目増幅器（オペアンプ）１２３の反転入力端子に接続され、低域濾波器１４０の出力端子が、３段目増幅器（オペアンプ）１２３の非反転入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減と、製造コストの低減とを両立する発振回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置によれば、直列に接続されて、かつ、それぞれがダイオード接続された複数のＭＯＳトランジスタを用いて、発振回路部を駆動させる電圧を生成する。このとき、複数のＭＯＳトランジスタで生成される電圧の値は、電源電圧と、各ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧の比率とに基づいて得られる。したがって、各ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧を小さく抑えることが出来て、各ＭＯＳトランジスタの面積を節約することが出来て、発振回路部の消費電力を削減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにＴＣＸＯを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット２０は水晶振動子Ｘtalを含んで一体に構成され、Ｘtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子Ｎ１，Ｎ２を備える。振動子ユニット２０は、Ｘtalに接続された可変容量キャパシタＣ_Ｖと、Ｃ_Ｖの容量を制御する温度補償部２８とを有する。温度補償部２８はＸtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路３０を備え、振動子ユニット２０の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路３０の検知出力に基づいてＣ_Ｖの容量を調節する。 （もっと読む）

【課題】電子機器の基板に搭載しても、内部の回路に異常が発生するのを防止した圧電デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、外部からデータを入力可能になっている記憶部１６をパッケージ３０内に備えたものである。この圧電デバイスは、パッケージ３０の基板実装面３６に複数のユーザ端子３８を設けるともに、記憶部１６に接続している第１調整端子４０ａおよび第２調整端子４０ｂを設けている。第１調整端子４０ａは、複数のユーザ端子３８のうちグランド接続端子（ＧＮＤ端子）に近接して配設してある。そして第２調整端子４０ｂと記憶部１６との間にスイッチ部１７を設けるとともに、このスイッチ部１７に第１調整端子４０ａを接続して、第１調整端子４０ａに入力する信号によってスイッチ部１７の開閉制御を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 電圧制御水晶発振器の制御感度を上げることなく、高温まで温度補償の精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 発振部１２が水晶振動子２を発振させ、通常温度範囲では、温度センサ部１４で水晶振動子２の周辺温度が測定され、その温度に基づいて温度補償部１５が温度補償の第１の電圧（Ｖ１）を発振部１２に出力し、通常温度範囲を超える高温領域では、加えて高温用温度センサ部１８で測定された温度に基づいて高温用負荷容量調整部１９が高温用の温度補償の第２の電圧（Ｖ２）を発振部１２に出力し、通常温度範囲では、第１の電圧で温度補償され、高温領域では第１と第２の電圧によって温度補償される温度補償型水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数の端子のうち一部の端子が使用されない場合においても好適に動作可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器１は、振動素子１４と、振動素子１４に電圧を印加して発振信号Ｏｕｔを生成する発振回路２７と、発振回路２７の出力部２７ａに接続されることにより発振信号Ｏｕｔを出力可能な端子５（Ｏｕｔ１）及び端子５（Ｏｕｔ２）と、出力部２７ａと外部機器（回路基板５３を含む）との端子５（Ｏｕｔ２）を介した導通状態の変化に応じた発振回路２７の周波数の変化を補償する接続補償回路３７とを有する。 （もっと読む）

【課題】出力波形を高調波が発生しない様に調整する事ができ、高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路の提供。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするＣＭＯＳトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部１１、１２、１３と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタＣＢ１、ＣＢ２を介して増幅するＣＭＯＳプッシュプル型増幅回路１４とを備えた水晶発振回路に於いて、バッファ回路部１３のＣＭＯＳトランジスタＴｐ４とＣＭＯＳトランジスタＴｎ４間に抵抗素子Ｒ３、Ｒ４を接続し、その中間点はバッファ回路部１３の出力として、前記抵抗素子と前記キャパシタとからなる時定数で出力信号の波形成形を行い、且つ前記抵抗素子のバイパス回路１６をメモリ設定にて、ＭＯＳスイッチ手段１７のオン／オフ切り替えにより可能とするメモリを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力で、起動時の周波数変動を抑制すること。
【解決手段】温度補償発振器は、第１入力端子から入力された温度補償電圧に応じた周波数で発振した基準信号を第１出力端子から出力する発振回路と、第２入力端子から入力された基準信号に基づいて周波数補償量を示す補正データを第２出力端子から出力する補償回路と、補償回路内に設けられ、第３入力端子に第１レベルの信号が入力されている間は基準信号をＮ分周した信号を第３出力端子から出力し、第３入力端子に第２レベルの信号が入力されると動作を停止する分周器と、補償回路内に設けられ、第４入力端子から入力された信号をクロック信号として動作し、クロック信号を基準として所定の時間が経過すると第２レベルの信号を第４出力端子から出力するカウンター回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】無線通信エレメントの発振器に於いて、共振器の温度依存性に対する処理の変動を補償する発振器の提供。
【解決手段】発振器２１０は、アクティブ・エレメント３１２と並列に共振器３１０を含み、共振器は、可変静電容量を有する可変コンデンサ３１４に結合し、発振器の出力周波数同調を可能にする。所定の温度補償算出器３２４は温度センサ３２２からの温度信号に基づき、共振器のロットに対して行われる特徴付けデータを参照して、温度ベースの周波数補償信号を出力する。又、周波数推定器３２６からの周波数推定信号に基づき、処理補償算出器３２８は共振器の処理依存性補償を算出して処理ベースの補償信号を出力し、乗算器３３０は前記周波数補償信号及び前記補償信号に基づき乗算器出力信号を出力し、制御モジュール３３２は、乗算器出力信号に基づき、制御信号を可変コンデンサに供給し、共振器における温度、処理ベースの変動を補償する。 （もっと読む）

【課題】端子配置に関するユーザの要望に好適に応じることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】発振器１は、圧電体１５と、圧電体１５を利用した信号処理を行う半導体部品１７と、圧電体１５及び半導体部品１７を保持する基体３と、基体３に配置され、半導体部品１７に接続された複数の端子５とを有する。複数の端子５は、３つの選択端子５（５Ａ、５Ｂ及び５Ｅ）を含む。半導体部品１７は、端子制御信号Ｓｃ０に基づいて、所定の入出力信号（第２発振信号Ｏｕｔ２若しくは温度信号Ｔ、駆動制御信号Ｅ／Ｄ、又は、周波数調整信号Ｖｃｏｎ）を出力又は受け付ける端子を３つの選択端子５から選択する設定部３７を有する。 （もっと読む）

【課題】温度補償動作を行いつつ、温度補償動作の周波数調整より高精度での周波数補正を行う。
【解決手段】温度補償発振器１は、圧電素子１１および前記圧電素子１１に並列に接続された第１可変容量素子１４，１５を有し、入力された温度補償電圧に応じた周波数で発振した基準信号を出力する発振回路１０と、前記第１可変容量素子に並列に接続され、前記第１可変容量素子より低い容量を有する第２可変容量素子９１，９２と、前記第２可変容量素子の端子間電圧として、起動時からの経過時間に応じて変化し、所定値に収束する電圧を起動時補償電圧として出力する補償回路３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第１のノードと第２のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第１のノードと電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記第２のノードと電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。前記第１のノードまたは前記第２のノードから発振信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）