【課題】発振子と発振回路とのインピーダンス整合を容易にとることができる発振回路及び発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１００が、第１の入力端子４と、第１の出力端子５と、第１の入力端子４に接続される信号調整部１０と、第１の入力端子４及び第１の出力端子５に接続される信号形成部２０と、を含み、該信号調整部は、第１の素子１３、第１の抵抗１１、第２の抵抗１２及び第１のコンデンサー１４を有し、第１の素子１３は、一方端が第１の入力端子４に接続され、他の一方端が第１の抵抗１１の一方端、第２の抵抗の一方端及び第１のコンデンサーの一方端に接続され、第１の抵抗は、他の一方端が第１の電源２に接続され、第２の抵抗は、他の一方端が第２の電源３に接続され、第１のコンデンサーは、他の一方端が第２の電源に接続され、該信号形成部において、第１の出力端子から出力される信号は、第１の入力端子から入力された信号を基に形成される。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増やさず、また、電力を上げずに、複数の周波数を切り替え制御する。
【解決手段】発振回路１は、２つの水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を接続させて２つの周波数に対応するものであり、増幅素子である発振用トランジスタＱと、発振用トランジスタＱに接続された容量部とが設けられている。容量部には、容量を可変させる可変容量素子であるバリキャップダイオードＣ１２が含まれ、バリキャップダイオードＣ１２の容量に基づいて、発振させる水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を切替制御する。 （もっと読む）

【課題】出力特性の変化を抑制でき、構成を簡略化できる発振回路、アクティブタグ及び発振出力制御方法を提供すること。
【解決手段】交流電流を出力する発振回路３であって、電源部と、エミッタＱ３、ベースＱ２及びコレクタＱ１を有し、コレクタＱ１に電源部からの直流電圧が印加されるトランジスターＱと、コレクタＱ１に接続され、前記交流電流が出力される出力端子Ｔと、エミッタＱ３から出力されるエミッタ電圧を測定する電圧測定手段（Ａ／Ｄコンバーター）５３と、電圧測定手段５３によるエミッタ電圧の測定結果に基づいて、エミッタ電圧が一定となるように、ベースＱ２に印加されるベース電圧を制御する電圧制御手段（ＣＰＵ）６とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子を励振するドライブレベルの周囲温度変化に対する変動を抑圧したコルピッツ型発振回路を提供する。
【解決手段】発振用トランジスタＴＲ１のベースと接地間に負荷容量の一部となるコンデンサＣ１とコンデンサＣ２との直列回路を接続し、この直列回路の接続中点と発振用トランジスタＴＲ１のエミッタとを接続し、更に、エミッタと接地との間にエミッタ抵抗Ｒ１を接続する。そして、エミッタ抵抗Ｒ１に並列に抵抗Ｒ２とサーミスタＴＨ１の直列回路を接続している。発振用トランジスタＴＲ１のベースに抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４とからなるベースバイアス回路を接続すると共に、発振用トランジスタＴＲ１のベース−接地間に圧電振動子Ｘ１を接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】発振起動性に優れ、定常発振時には低消費電力で発振を継続することができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、入力側及び出力側負荷容量５、６、と水晶振動子３とを有する共振回路と、共振回路を定常的に励振する増幅回路であるＣＭＯＳインバータを構成するＰ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ１、２と、増幅回路の出力振幅に応じた電圧で発振電流を制御する電流制限素子である電流制限用Ｐ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ２１、２２と、電流制限素子を制御する発振電流制御手段である第１及び第２の容量５１、５２と、第１及び第２のダイオード６１、６２により構成され、発振電流制御手段は、増幅回路から交流信号が出力されない非発振状態では、電流制限素子を導通状態とし、増幅回路から交流信号が出力される発振状態では、増幅回路の出力振幅に応じた交流電圧により、導通状態よりも抵抗値が大きな状態となるように、電流制限素子を制御する。 （もっと読む）

【課題】不要な周波数での発振を防ぐと共に、期待周波数での安定した発振を実現する。
【解決手段】発振回路１００は、発振素子１１０と、反転増幅器１２０と、状態保持回路１３０を備える。発振素子１１０と反転増幅器１２０の入出力が互いに接続されて発振ループを構成する。状態保持回路１３０は、反転増幅器１２０の出力に同期して、反転増幅器１２０の出力論理を所定期間固定し、この期間内に反転増幅器１２０の出力状態を保持する。この所定期間は、期待発振周波数に対応する周期の半分より短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】自励発振が起こらず、出力対称性を確保できるようにした発振回路を提供する。
【解決手段】コルピッツ型の水晶発振回路において、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力側（ノードＮ１）と電源ＶＤＤとの間に、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の帰還バイアス電圧を高くするためのトランジスタＭＰ１と発振出力が無いときＯＮするトランジスタＭＰ２とを直列接続して、電源投入初期時にそのノードＮ１をＶＤＤ／２より高い電圧にプルアップし、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達すると、トランジスタＭＰ２をＯＦＦしてノードＮ１のプルアップを解除する。また、ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１の出力を反転するＣＭＯＳインバータＩＮＶ２を接続し、その出力側のノードＮ２にアンド回路ＡＮＤ１を接続し、正常発振が開始してノードＮ３の電圧が所定値に達したとき、それから遅延回路ＤＬ１の遅延の後に、アンド回路ＡＮＤ１のゲートを開いて、ノードＮ２の発振信号を出力端子ＯＵＴに出力する。 （もっと読む）

【課題】起動特性を良好とする水晶発振器を提供する。
【解決手段】インダクタ成分としての水晶振動子３と分割コンデンサＣ１、Ｃ３とからなる共振回路１の両端に発振用増幅器２を接続してなる水晶発振器において、前記発振用増幅器の出力側と前記水晶振動子との間に制限抵抗Ｒ１を接続し、さらに前記水晶振動子と前記制限抵抗との接続点と、前記発振用増幅器の後段に設けた緩衝用増幅器出力側との間に、帰還コンデンサＣ２を接続した構成とすることにより、帰還信号が水晶振動子を経由して行われるため、水晶振動子の基本周波数から外れることなく、起動特性の良好な水晶発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】消費電流が大きく、また、発振信号の振幅が小さかった。
【解決手段】第１のＮＰＮ型トランジスタと、第２のＮＰＮ型トランジスタと、水晶振動子と、第１の抵抗器と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、を含み、第１のＮＰＮ型トランジスタのエミッタが、実質的に接地電位に接続され、第２のＮＰＮ型トランジスタのコレクタが、実質的に電源電位に接続され、第１のＮＰＮ型トランジスタのベースと第２のＮＰＮ型トランジスタのエミッタとが、接続され、水晶振動子及び第１の抵抗器は、第１のＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及び第２のＮＰＮ型トランジスタのベース間で相互に並列接続され、第１のキャパシタは、第１のＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及び電源電位間に接続され、第２のキャパシタは、第２のＮＰＮ型トランジスタのベース及びエミッタ間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下、温度上昇等の発振器の動作条件の変動によって、発振後の発振動作の停止、発振安定時間の延長、起動時の発振の失敗等の不具合を解消すること。
【解決手段】入出力端子間に振動子が接続可能な反転増幅器Ｉｎｖ＿Ａｍｐは、ＰＭＯＳＭｐ１とＮＭＯＳＭｎ１を含む。ディジタル入力信号に応答して出力インピーダンスが変化するよう抵抗とＭＯＳスイッチとを含む複数のＤ／Ａ変換器Ｄ／Ａｐ＿１…Ｄ／Ａｐ＿ｎ、Ｄ／Ａｎ＿１…Ｄ／Ａｎ＿ｎを、Ｍｐ１のソースと電源電圧ＶｃｃまたはＭｎ１のソースと接地ＧＮＤの間に接続する。可変利得発振器ＶＧ＿ＯＳＣの動作条件の変化をＡ／Ｄ変換ユニット１０２が検出して、複数のＤ／Ａ変換器の合計の出力インピーダンスを徐々に変化させる。 （もっと読む）

【課題】バランスの良い状態を、使用者が発振特性を選択することのできるようにし、最終的に使用者において発振特性を合わせ込める水晶発振回路を実現する。
【解決手段】ＩＣに内蔵され、かつインバータ１の入力と出力の間に、水晶振動子２と帰還抵抗３が並列に接続されてなる水晶発振回路において、該インバータ１のレイアウト上のサイズを可変な構造とし、プログラム制御により、外部からある値が設定されると、設定された値に更新する設定手段６と、変更用のプログラムが起動されると、該変更用プログラムにより該インバータ１のレイアウト上のサイズを上記値に対応したサイズに変更する切換え変更手段とを具備する。設定手段６としては、値を設定するレジスタを設けるか、ＩＣ端子の状態を変更するか、あるいは、値を指定するＲＯＭを設ける方法がある。 （もっと読む）

【課題】水晶発振器においては、位相雑音特性がバッファアンプ無しのときに比べて著しく劣化すると云う問題がある。本発明は、位相雑音特性に優れた水晶発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】発振閉ループに水晶振動子を含む水晶発振器であって、前記発振閉ループにトランスの１次コイルとコンデンサとを直列接続した回路を挿入接続すると共に、前記トランスの２次コイルから発振出力を得るように構成したことを特徴とするものであり、更に、前記１次コイルと並列に異常発振を防止するために抵抗を接続してもよい。
或いは、水晶振動子の発振用増幅器と接続されていない側の端子に、エミッタ接地増幅回路若しくはエミッタフォロア回路のベース端子を接続して構成したことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、周囲温度の変化にかかわらず、発振周波数を一定値に維持することができる温度補償水晶発振器の温度に対する周波数変化量を平坦にすることを目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことにより課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 水晶振動子の周波数の変化を利用して疫病マーカー物質あるいはダイオキシンなどの環境汚染物質などを感知する場合に、溶液の粘度変化に基づく水晶振動子の発振周波数の変化分の誤差をなくすこと。
【解決手段】 水晶振動子を流れる駆動電流を電流検出器により検出し、その電流検出値をアンプ及び整流回路を介して差動アンプに入力する。差動アンプでは電流検出値に対応する電圧と設定電圧Ｖ１とを比較し、その偏差分をレギュレータに供給する。このレギュレータから前記偏差分に応じた電圧を発振回路のインバータに電源電圧として供給し、これにより水晶振動子の駆動電流が設定値に維持される。 （もっと読む）

【課題】制御信号に応じた制御電圧が印加され、制御電圧に応じて容量が変化する可変容量素子と、可変容量素子の容量に応じた発振周波数で発振を行う発振手段とを有する電圧制御発振回路及びそれを搭載した半導体装置に関し、簡単な構成で、制御信号に対して発振周波数をリニアに応答させることができる電圧制御発振回路及びそれを搭載した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、制御信号（Ｖcnt）に応じた制御電圧（Ｖｃ）が印加され、制御電圧（Ｖｃ）に応じて容量が変化する可変容量素子（Ｄ１、Ｄ２）と、可変容量素子（Ｄ１、Ｄ２）の容量に応じた発振周波数で発振を行う発振手段（１２、２３、２４）とを有する電圧制御発振回路において、制御信号（Ｖcnt）に対して任意の特性で発振周波数が変化するように、制御電圧（Ｖｃ）を非線形増幅する非線形増幅手段（２２、Ｒ１、Ｒ12）を有することを特徴とする。 （もっと読む）