【課題】電圧制御発振器の共振容量値のうち固定容量の容量値を等価的に減少させることにより、共振容量の可変分を増加させ、発振周波数範囲を拡大する。
【解決手段】差動出力用の共振ノードＯＵＴ，ＯＵＴＢを有する差動型の負性コンダクタンス発生回路１１と、容量値が電圧制御によって制御される可変容量とインダクタンスとが並列接続された差動型の共振回路１０と、差動型の負性インピーダンス回路１３とを備える。共振ノード間に共振回路と負性インピーダンス回路が接続される。共振ノード間に生じている固定容量の容量値が負性インピーダンス回路が呈する負性インピーダンスによって低減される。固定容量は、共振ノードＯＵＴと接地電位との間及び共振ノードＯＵＴＢと接地電位との間のそれぞれに生じている浮遊容量で代表される。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数を下げたときに発振停止を起こしにくくし、さらに、温度が上昇したときにも発振停止を起こしにくくする。
【解決手段】 ミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流と発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流とを設定するためのバイアス電源７４を設け、制御電圧Ｖｔが第１の所定値以上のときよりも第１の所定値以下のときにバイアス電源７４の出力電圧を高くしてミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流又は発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流の少なくとも一方を大きくした。 （もっと読む）

【課題】 ２つの発振信号を切り替えて共通の端子から出力する場合に、発振信号の減衰を少なくする。
【解決手段】 第１の周波数帯の発振信号を出力する第１の発振トランジスタ１１と、第１の発振トランジスタ１１のコレクタに電源を供給する第１のインダクタ１２と、第１の発振トランジスタ１１の動作を切り替える第１のスイッチ素子１６と、第２の周波数帯の発振信号を出力する第２の発振トランジスタ２１と、第２の発振トランジスタ２１のコレクタに電源を供給する第２のインダクタ２２と、第２の発振トランジスタ２１の動作を切り替える第２のスイッチ素子２６と、第１の周波数帯の発振信号又は第２の周波数帯の発振信号を外部に出力する出力端子３０とを備え、第１のインダクタ１２と出力端子３０との間に第１のスイッチ素子１６を介挿し、第２のインダクタ２２と出力端子と３０の間に第２のスイッチ素子２２を介挿した （もっと読む）

【課題】 低電源電圧においても、可変容量素子の素子面積を増大させることや、制御電圧のレベル変換を行うことなく、可変容量素子の可変容量幅を最大限に広げることが可能な可変容量回路および可変容量の制御方法を提供すること。
【解決手段】 可変容量回路２は、容量値制御回路１１、バラクタＶＡ１およびＶＡ２、抵抗素子Ｒ１およびＲ２を備える。容量値制御回路１１は、入力される制御電圧ＶＴに応じて、可変な出力電圧ＣＮＴＯＵＴを出力することで、バラクタの両端の電位を同時に制御する。出力電圧ＣＮＴＯＵＴは、制御電圧ＶＴに対して、負の相関を有するように可変に調整される。端子間電圧ＶＤの変動幅を、変動幅ＳＡ１から変動幅ＳＡ１ａ（レンジは±（Ｖｃｃ１））へ拡大することができる。すると図５（Ｂ）に示すように、バラクタ容量値ＣＶの可変領域を、可変領域ＣＡ１から可変領域ＣＡ１ａへ広げることができる。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数帯の切替に連動して各周波数帯に最適なバイアス電圧を発振トランジスタに印加する。
【解決手段】 発振トランジスタ１と、互いに異なる発振周波数帯にそれぞれ対応して設けられた共振回路９、１１と、１つの共振回路を選択して発振トランジスタ１のベースとコレクタとの間に結合する切替手段１２とを備え、選択された共振回路に対応したバイアス電圧を切換手段１２によって発振トランジスタ１のベースに印加した。 （もっと読む）

【課題】大電流の出力が可能な電源は単一であり、そして高い電源電圧を必要としない、YIG発振器のコイル電流ドライブ回路を提供する。
【解決手段】設定入力に応じた電流をYIG発振器のメインコイルに流すコイル電流ドライブ回路において、電荷を蓄積して電位差を保つコンデンサと、このコンデンサの基準電源電位を切り替える２つのスイッチと、基準電源電位を切り替えたときに主電源との経路を遮断するスイッチによって構成され、制御信号に応じて前記各スイッチを一時的にメインコイルのプルアップ電位を上昇させるように切り替えることにより、高速電流ドライブ時に前記メインコイルが起電力を発生するように構成する。 （もっと読む）

【課題】出力インピーダンスの調整が容易に行なうことができ、高調波成分の抑制も容易に実現することが可能とした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】共振周波数帯域を異なる２つの帯域に切り換えるためのシフト回路を含む共振回路部Ｘと負性抵抗回路部Ｙと増幅回路部Ｚとから構成される電圧制御発振回路において、前記増幅回路部Ｚの増幅用トランジスタのコレクタ端子と接地電位との間に、ストリップ線路Ｌ２と第１のコンデンサＣ９とが並列に接続された並列回路部Ｈを配置するとともに、前記増幅用トランジスタのコレクタ端子Ｃ９と前記出力端子ＯＵＴＰＵＴとの間に、第２のコンデンサＣ１０とインダクタ素子Ｌ３とが直列に接続された直列回路部Ｔを配置した。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを広帯域に亘って除去することにより、電圧制御発振器の出力信号の品質を高める。
【解決手段】 動作電圧が与えられる電源端子Ｖｃｃと、制御電圧が与えられる制御端子Ｖｔと、制御電圧に応じた発振周波数の信号を出力する出力端子Ｐｏとを備え、電源端子Ｖｃｃには互いに自己共振周波数の異なる２つのバイパスコンデンサＣｖｃｃ１，Ｃｖｃｃ２が並列接続されており、制御端子Ｖｔには互いに自己共振周波数の異なる２つのバイパスコンデンサＣｖｔ１，Ｃｖｔ２が並列接続されている。これにより、動作電圧や制御電圧に重畳しているノイズを広帯域に亘り除去されることから、出力信号の品質（Ｃ／Ｎ特性）を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 共通の発振トランジスタ及び共振回路によって、ハイバンド受信用の局部発振周波数帯域とローバンド受信用の局部発振周波数帯域とをカバーする。
【解決手段】 発振トランジスタ１１、１２を内部に構成すると共に、発振トランジスタ１１、１２のベースとコレクタとにそれぞれ結合された第１及び第２の端子１０ａ、１０ｂを有する集積回路１０と、集積回路１０の外部に設けられ、第１及び第２の端子１０ａ、１０ｂ間に結合される共振回路３０とを備え、集積回路１０内には各端子１０ａ、１０ｂにカソードが接続され、アノードが接地された静電破壊防止用の保護ダイオード１９、２０を設け、保護ダイオード１９、２０のカソードには、ＶＨＦローバンド受信時に電圧を印加せず、ハイバンド受信時に逆バイアス用の電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】 制御電圧に対する発振周波数特性の線形性のよい、簡易な構成の電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 電圧変換回路１において、制御電圧Ｖ＿ＣＮＴが０Ｖから一定レベルＶfに到達するまでは、出力ノードＮ２の電位Ｖ＿Ｎ２が電源電位ＶＣＣを維持する。制御電圧Ｖ＿ＣＮＴが一定レベルＶfよりも高くなると、出力ノードＮ２の電位Ｖ＿Ｎ２が緩やかに低下する。これに応じて、可変容量素子２３の容量Ｃ＿ＶＤは緩やかに減少する。したがって、制御電圧に対する発振周波数特性の線形性のよい、簡易な構成の電圧制御発振器が実現できる。また、電圧変換回路の構成部品が少なくてすむため、電圧制御発振器の小型化、低価格化が図れる。 （もっと読む）

基本周波数で発振し高調波も発生する発振器（１０）。基本周波数又は低い高調波がフィードバックの目的で用いられ、基本周波数又は当該低い高調波よりも高い高調波が出力のために用いられる。結果的に、発振器（１０）は、出力周波数よりも低い周波数で動作し低コストとなる。発振器（１０）に結合された合成器（２０）も、この低周波数で動作し、このような発振器（１０）及び合成器（２０）を有する変調器（５）は、低コストとなる。低い電力消費及び妨害電界に対しての低い感応性がさらなる利点である。フィルタ処理は、複雑さが軽減され、少数の構成要素が小さな構成を導く。発振器（１０）は、同調回路（１１）と増幅器（１２）を有し、増幅器（１２）は、フィードバック回路（１３）によって帰還される。このような増幅器（１２）は、ただの単一のトランジスタ（４０）を有するものとすることができる。
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ＬＣ発振器（１）は、一対のコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）及び一対のインダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）が結合される交差結合されたＰＭＯＳトランジスタ対（Ｍａ，Ｍｂ）を有する。発振器の信号増幅を向上させるために、各々のＰＭＯＳトランジスタのドレインと、好ましくはソースとの間に結合される一対の補助トランジスタ回路（Ｑａ，Ｑｂ；Ｎａ，Ｎｂ）が設けられる。同調範囲を拡大することを可能にするためにコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）は好ましくは可変コンデンサであり、インダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）は好ましくはグランドに接続される。
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【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

液体が付着した場合であっても、バイアス電圧の印加による電極膜の剥離が生じ難く、かつ安定に動作させ得る弾性表面波センサー内蔵発振回路を提供する。 圧電基板上にインターデジタル電極３３，３４と、インターデジタル電極３３，３４を覆うように、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜が設けられており、微小な質量負荷を周波数変化により検出することを可能とする弾性表面波センサー３２が共振子として接続されている弾性表面波センサー内蔵発振回路であって、弾性表面波センサー３２に対して、直列に直流カット用コンデンサ３６，４２が接続されており、該直流カット用コンデンサ３６，４２が、それぞれ、インピーダンス整合回路を構成している、弾性表面波センサー内蔵発振回路３１。 （もっと読む）

周波数可変結合共振器回路網が１対の３端子装置の端子に広帯域周波数選択性をサポートする同調電圧回路網を介して結合されてなる回路を含む電圧制御発振器（ＶＣＯ）が提供される。集積回路形態への組み込みに適した広帯域周波数可変共振器も提供される。
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集積回路パッケージが、リードワイアと１つまたは複数の入出力（Ｉ／Ｏ）パッケージピンとの接続から形成されるインダクタループを含む。一実施形態では、インダクタループは、集積回路チップ上の第１のボンディングパッドをパッケージの第１のＩ／Ｏピンに接続する第１および第２のワイアと、チップ上の第２のボンディングパッドをパッケージの第２のＩ／Ｏピンに接続する第３および第４のワイアとから形成される。インダクタループを完成するために、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンは、ピン間の第３の導体によって接続される。第３の導体は、１つまたは複数のボンディングワイアを含むことができ、Ｉ／Ｏピンは、互いに隣接するものであることが好ましい。しかし、ループは、例えばループ長要件、空間の考慮すべき点、および／または他の設計要因もしくは機能要因に基づいて、Ｉ／Ｏピンの非隣接接続から形成することができる。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、Ｉ／Ｏピンに単一構造を持たせることによって確立される。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、パッケージ基板の表面上に、またはこの基板内に位置するメタライゼーション層によって確立される。集積回路パッケージの境界線内でインダクタループを形成することにより、空間要件における実質的な削減が実現され、これは小型化を促進する。また、集積回路は、その少なくとも１つのパラメータがパッケージのインダクタループの長さによって制御される様々なシステムのいずれか１つで実装することができる。

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