【課題】絶縁抵抗をさほど悪化させることなく、サージ耐圧を高めることが可能とされているラダー型フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波共振子Ｐ５及び弾性波共振子Ｐ６が互いに直列に接続されており、少なくとも１つの弾性波共振子Ｐ５に並列に抵抗１４が接続されており、残りの弾性波共振子Ｐ６に抵抗が接続されていない弾性波装置を有し、入力端子と出力端子との間に延びる直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位との間に延びる少なくとも１つの並列腕に設けられた並列腕共振子とを備え、前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子が上記弾性波装置からなる、ラダー型フィルタ装置３。 （もっと読む）

【課題】 カバーの上面に配置される部材に起因する問題が起きにくい小型化に対応したＷＬＰ型の弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性波装置１は、弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の主面上に配置された、弾性波を発生させる励振電極２と、基板３の主面上に配置された、励振電極２を保護するカバー５とを備える。カバー５は、基板３の主面側の面である第１主面５ａと第１主面５ａとは反対側の面である第２主面５ｂとを有する。第１主面５ａは、外周縁１２が基板３の主面３ａの外周縁１３よりも内側に位置し、第２主面５ｂは、外周縁が第１主面５ａの外周縁１２よりも外側に位置する拡張領域１０を有する。これによって、全体構造は小型化に対応しつつ、励振電極を外部回路に電気的に接続するための端子や、励振電極の振動空間の変形を防止するための補強部材としてカバーに形成する補強層などを配置するスペースをカバーの第２主面に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】焦電破壊を防止しながら、環状電極を有する弾性波素子を製造することができ、工程を減らすことができる弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板のウェハを用いて、複数個の弾性波素子を製造する。まず、ウェハのうち弾性波素子になる個基板領域１１にＩＤＴ１４ｘを形成するとともに、ウェハの個基板領域１１と個基板領域１１に隣接する周辺領域１３とに、ＩＤＴ１４ｘの電極同士を互いに接続して短絡させる短絡電極１４ｑ，１４ｒを形成する。次いで、短絡電極１４ｑ，１４ｒのうち、環状電極３０が形成されるべき部分と当該部分に取り囲まれたＩＤＴ１４ｘの電極とを接続している接続部分１４ｚを切断した後に、環状電極３０を形成する。次いで、ウェハを分割して弾性波素子の個片を形成する。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板上の各電極における静電破壊を防止した上で、圧電基板上の複数のパッド電極における現像による膜減り量を均一化して、極端に膜減り量が大きいパッド電極が発生するのを防止することができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳＡＷ素子の製造方法における素子領域形成工程では、圧電基板１１上に、複数のＳＡＷ素子領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄと、複数のＳＡＷ素子領域のそれぞれの外周部に設けられるダイシング用の配線導体４１とを形成する。そして、複数のＳＡＷ素子領域のそれぞれには、ＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２から導出される複数の接地パッド電極１３，１４および入出力パッド電極１５，１６と、複数の接地パッド電極１３，１４同士を電気的に接続する接地パッド電極接続パターン導体１８とを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焦電性を抑制したタンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶からなるウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材と還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を重ね合わせて熱処理Ｄし、該熱処理による反応が平衡状態になるまで熱処理を行う製造方法であって、前記準備する還元剤の還元力を調整することにより前記熱処理後に得られるタンタル酸リチウム結晶の導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下、かつ導電性の結晶面内分布を均一となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Ｄすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下とする。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたアルミニウムを主成分とする材料により形成された交差指状電極とを備えた弾性表面波装置であって、交差指状電極の厚さｈを当該交差指状電極の電極間隔λで規格化した規格化膜厚ｈ／λが７〜１１％であり、単結晶圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、添加物として鉄を含み、かつ、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４６°±０．３°の範囲の角度で回転させた方位を有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の反り増加量が小さく、かつ安価な複合化された圧電基板を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板と絶縁体基板が接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板であって、前記圧電基板は、導電率が１×１０^−１３［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上、特には導電率が５×１０^−１２［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上１×１０^−１０［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であり、また前記絶縁体基板は、導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であることを特徴とする複合化された圧電基板。 （もっと読む）

【課題】端子に静電気を帯びた部分が接触したとしても、ＩＤＴ電極の破壊が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、第１の媒質層３と、第２の媒質層４とが積層されており、圧電基板２と第１の媒質層３との境界に電極構造５が形成されている三媒質構造の弾性境界波装置であって、第２の媒質層４上にＩＤＴ電極に電気的に接続されている複数の端子６〜１１が形成されており、複数の端子６〜１１が、第２の媒質層４に電気的に接続されており、第２の媒質層４が静電気を流し得る抵抗性材料からなる、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材を準備し、該素材を塩化ナトリウム、塩化カリウムなどの金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬後、３１０℃以上、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を２０ｍｍ以下の距離で近接して、あるいは、重ね合わせて熱処理する。このとき、前記還元剤として、タンタル酸リチウム結晶をキュリー温度以上の温度で、かつ還元雰囲気下で熱処理することによって得られた多分極タンタル酸リチウムを用いる。この処理により、タンタル酸リチウム結晶の導電率が向上するとともに結晶面内で均一となるので、焦電性が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高結合のＬｉＮｂＯ₃、ＬｉＴａＯ₃基板を用いて、耐熱衝撃性のＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板５上に表面波の伝搬方向に沿って近接配置した３つのＩＤＴ電極と、この３つのＩＤＴ電極の両側に配置したグレーティング反射器と、を備えた縦結合多重モード弾性表面波フィルタＦ１、Ｆ２を複数段縦続接続した縦続接続型多重モード弾性表面波フィルタであって、３つのＩＤＴ電極の内、一方の端子に接続されるＩＤＴ電極と他方の端子に接続されるＩＤＴ電極は、インピーダンスが異なるように形成され、且つ、インピーダンスが高いＩＤＴ電極が圧電基板の＋Ｚ’軸側に、インピーダンスの低いＩＤＴ電極が−Ｚ’軸側に配置されるように縦続接続型多重モード弾性表面波フィルタＦ１、Ｆ２を構成するようにした。 （もっと読む）

【課題】紫外線透過率が悪化したＳＡＷ素子片であっても、接合剤として紫外線硬化型樹脂を有効に使用することのできるチップの固定構造を持ったＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】体積抵抗率を低下させるための酸化還元処理が施されたニオブ酸リチウム、またはタンタル酸リチウムを圧電素板１４として採用したＳＡＷ素子片１２をパッケージ２０の搭載面に固定するＳＡＷデバイス１０であって、ＳＡＷ素子片１２の周囲に塗布した紫外線硬化型樹脂３４により、ＳＡＷ素子片１２の側面と前記搭載面とを結合したことを特徴とする。このような構成のＳＡＷデバイス１０では、紫外線硬化型樹脂３４をＳＡＷ素子片１２の全周に塗布することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置の電気的性質や絶縁抵抗の劣化を起こさず、すだれ状電極の静電破壊を防止することができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】すだれ状電極２と弾性表面波基板１の端面との間に、すだれ状電極２と電気的に独立した複数の薄膜電極７を配置し、少なくとも１つの隣合う薄膜電極７，７間が、薄膜電極７とすだれ状電極２との間の間隔より狭く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板・カット方位及び電極膜厚を変えずに、急峻な減衰特性を有する弾性表面波装置の電極構造を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に、入力端子電極５と、出力端子電極６と、弾性表面波を発生させる励振電極とを形成し弾性表面波装置であって、前記励振電極は、櫛歯状浮き電極３の電極指に、入力端子電極５に接続された入力用櫛歯状電極１の電極指、及び出力端子電極６に接続された出力用櫛歯状電極２の電極指のそれぞれが噛み合うように配設されているものとする。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の基板を還元処理してＬＴ基板を得る際、処理バッチ間における体積抵抗率のばらつきが低減されたＬＴ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ濃度が１００ｐｐｍ以下の原料を用いたチョコラルスキー法等により育成されたＬＴ単結晶から作製されたＮｂ濃度が３０ｐｐｍ以下であるＬＴ基板を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ_２Ｏ_３の混合粉末中において還元処理して体積抵抗率を１０^１０Ω・ｃｍ未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】 温度変化による静電気の発生が少なく、電荷が発生しても速やかに自己中和できるタンタル酸リチウム単結晶を圧電基板として用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅、マンガン、コバルト、ニッケル、イットリウムから選ばれる一種の添加元素を、０．０１ｗｔ％以上１．００ｗｔ％以下の割合で含有し、表面電荷を自己中和し除去する自己電荷中和特性を有するタンタル酸リチウム単結晶から作製された圧電基板を有する。 （もっと読む）

【課題】高Ｑ，低挿入損失で電極へのダメージに対する耐性の高いＳＡＷフィルタ及びＳＡＷ共振器を得る。
【解決手段】弾性表面波の伝搬方向に配列させた複数の交差電極指及びこれら交差電極指を接続するバスバーを有する櫛形電極を対向させかつ交差電極指同士を互いに交差させてなるＩＤＴを圧電基板上に備えたＳＡＷフィルタで、前記ＩＤＴは、交差電極指から分岐し、かつ交差電極指同士が交差する交差部とバスバーとの間の非交差部内に位置する、１つ以上の分岐電極指を備え、当該分岐電極指は、弾性表面波の伝搬方向に略直交する方向に延びる分岐電極指本体部を含む。縦結合多重モード型フィルタ、ラダー型フィルタ、共振器、縦結合多重モード型フィルタに共振器を直列に接続したフィルタ等の何れにも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】梯子型の弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。
【解決手段】複数のＳＡＷ共振子は、それぞれ１つのＩＤＴ及び２つの反射器を有している。各ＳＡＷ共振子の間、ＳＡＷ共振子と入力ボンディングパッドとの間、ＳＡＷ共振子と出力ボンディングパッドとの間、及び各ＳＡＷ共振子とアースボンディングパッドとの間が、接続パターン１１４で接続されて梯子型回路が構成されている。接続パターン１１４及びボンディングパッドの上側に基板よりも、熱伝導率の大きい誘電体膜１１６を蒸着して耐熱性を向上させている。 （もっと読む）

【課題】スペクトラム拡散通信方式によりデータ信号及びクロック信号を伝送する信号伝送装置において、信号の高速伝送におけるジッタの発生を抑制又は低減させる。
【解決手段】スペクトラム拡散したデータ信号及びクロック信号を伝送する信号伝送装置は、送信部１と受信部と２の間を接続するデータ信号伝送路３及びクロック信号伝送路４と、該クロック信号伝送路に設けられた共振子型のＳＡＷフィルタ５とを備える。ＳＡＷフィルタは、体積抵抗率１０^６〜１０^１３Ω・ｃｍのリチウムタンタレート又はリチウムナイオベートからなる圧電基板と、該圧電基板の表面に形成されたＩＤＴとを有する。これにより、伝送路の前段及び後段に配置されるＩＣ等の動作を安定させ、更に伝送路の前段又は後段のＩＣ等から発生した静電気を中和する機能をも備える。 （もっと読む）