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Fターム[5J098AC20]の内容

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Fターム[5J098AC20]に分類される特許

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【課題】USB2.0対応の半導体デバイスに内蔵されて、終端抵抗としてHigh Speedモードでの終端抵抗の規定を満足し、データ・ドライバとしてもFull Speedモードでの出力インピーダンスの規定を満足する終端抵抗調整回路を提供すること。
【解決手段】ドライバと、該ドライバの出力端とバスとの間に接続される抵抗素子とを備えて構成される出力/終端ユニットが並列に複数備えられる出力/終端部と、出力/終端ユニットと同一の構成を有しドライブ状態に維持されるモニターユニットと、モニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に接続され、基準電流を流す電流源と、モニターユニットを流れる基準電流に応じてモニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に出力されるモニター電圧に基づいて、出力/終端部においてドライバがドライブ状態となることに応じて終端抵抗を構成する出力/終端ユニットの構成数を調整する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】プロセスばらつき、温度・電圧変動に依存することなく一定のカットオフ周波数を保持する、小型化・低消費電流化に適したフィルタ回路を提供する。
【解決手段】可変電流源を備えた基準コンデンサを用いて被比較電圧を生成し、被比較電圧と基準電圧を比較器によって比較し、電位差をロジック回路によってデジタル信号に変換する。変換されたデジタル信号によって、可変容量回路のスイッチを切り替える。またデジタル信号は可変電流源にも入力され可変電流源の電流値を変える。この動作を繰り返すことにより、フィルタのカットオフ周波数を決定することで、カットオフ周波数が一定に保持されるフィルタ回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】回路規模を縮減するインピーダンス調整回路の提供。
【解決手段】外付抵抗3と、被調整抵抗5のレプリカをなすレプリカ抵抗4の抵抗値の大小を比較するコンパレータ2と、抵抗制御回路10と、を備え、抵抗制御回路10は、コンパレータ2での比較結果に基づきカウント値をアップ・ダウンしレプリカ抵抗への制御信号を出力するレプリカ抵抗制御カウンタ11と、被調整抵抗5へ与える制御信号を保持する被調整抵抗制御信号保持回路12と、前記カウンタの状態と、前記保持回路の出力を入力し、レプリカ抵抗制御カウンタ11のカウント状態と被調整抵抗制御信号保持回路12の出力(Y)との値の差(|X−Y|)が予め定められた所定範囲内にあるときは、被調整抵抗制御信号保持回路12の出力(Y)を被調整抵抗制御信号保持回路(12)への入力(Z)として供給する監視回路13を備えている。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、誘導結合(inductive coupling)送受信装置に関する。
【解決手段】
本発明の一実施例による誘導結合送受信装置は、データを送信及び/又は受信する誘導結合送受信器と、前記誘導結合送受信器に接続されたインダクタ(inductor)と、前記誘導結合送受信器及び前記インダクタに接続されて前記インダクタのインダクタンス(inductance)変化を補償する共振補償装置を含む。 (もっと読む)


【課題】インピーダンスを十分な精度で調整する。
【解決手段】一端を電源Vddに接続する抵抗11、12のそれぞれの他端をそれぞれ接続する端子13、14と、一端をスイッチ素子17を介して端子13に接続し他端を接地する可変抵抗素子19と、一端をスイッチ素子18を介して端子14に接続し他端を可変抵抗素子19の一端に接続する可変抵抗素子20とを備える。スイッチ素子17をオンとし、スイッチ素子18をオフとし、可変抵抗素子19の一端の電位が基準電圧となるように可変抵抗素子19の抵抗値を調整し、調整された可変抵抗素子19の抵抗値を維持して、スイッチ素子17をオフとし、スイッチ素子18をオンとし、可変抵抗素子20の一端の電位が基準電圧となるように可変抵抗素子20の抵抗値を調整する。 (もっと読む)


【課題】IF信号からベースバンド信号をより正確に再生するための新たな手法を提案すること。
【解決手段】フィルタ部のフィルタの遮断周波数に応じて周期波形の形状を変更して再生用発振信号を生成し、生成した再生用発振信号を用いてベースバンド信号を再生する。具体的には、フィルタの遮断周波数が低いほど、正の振幅から負の振幅までの正負振幅間長が長い周期波形の再生用発振信号を用いてベースバンド信号を再生する。 (もっと読む)


【課題】ICチップ化が可能な無限移相器。
【解決手段】1.Aの無限移相器100においては、位相調整回路10に高周波が入力され、位相が0以上π/4未満の任意量で変化される。4相発生回路20では入力された高周波に対し、位相が一致した高周波、位相がπ/2、π及び3π/2進んだ高周波の4つが同時に生成される。ベクトル合成回路30では、入力された4つの高周波のうちの1つが利得調整回路40に出力されるか、位相がπ/2異なる2つの高周波のベクトル和が利得調整回路40に出力される。利得調整回路40では、ベクトル合成回路30に入力された4つの高周波のうちの1つが出力された場合の利得を基準として、ベクトル合成回路30に入力された4つの高周波のうちの2つの高周波の和が出力された場合の利得を1.5dB低くする。1.Bの無限移相器150は接続順序を替えたものである。 (もっと読む)


【課題】温度が変化しても中心発振周波数が安定している電圧制御発振器等を、簡単な構成で提供する。
【解決手段】入力信号Viに遅延量τdを加えて出力信号Voとする遅延発生部11と、遅延τdを制御する遅延制御部12とを備えている。遅延制御部12は、遅延量τdを調節する第一の制御信号としての制御信号S1を出力する遅延調節回路13と、温度による特性変化を補償する第二の制御信号としての制御信号S2を出力する温度補償回路14とを有し、制御信号S1と制御信号S2とを合成して得た第三の制御信号としての制御信号S3を遅延発生部11へ出力することにより遅延量τdを制御する。遅延制御部12は、遅延調節回路13と温度補償回路14とを直列に接続することにより、制御信号S3を得ている。 (もっと読む)


【課題】外部抵抗を備える半導体集積回路において、外部抵抗の抵抗値を容易に変更可能にする技術を提供する。
【解決手段】外部抵抗を備える半導体集積回路であって、半導体集積回路の入出力インピーダンスは、外部抵抗の抵抗値に基づいて調整され、外部抵抗は、その抵抗値として、複数の抵抗値の中から所望の抵抗値を選択できるように形成されていることを特徴とする半導体集積回路。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で動作可能であり、フィルタ特性がリコンフィギュアラブルである、チャージドメインフィルタ回路を提供すること。
【解決手段】所定の間隔でサンプリングされる第1の信号を出力する第1の信号出力手段と、第1の信号からサンプリング間隔のn倍(nは自然数)遅れて、かつ連続したタイミングでサンプリングされる第2の信号を出力する少なくとも1つの第2の信号出力手段と、第2の信号出力手段において時間的に後にサンプリングが行われる一つの第2の信号からサンプリング間隔のn倍遅れたタイミングでサンプリングされる第3の信号を出力する第3の信号出力手段と、第1の信号、第2の信号、および第3の信号を加算して出力する加算手段と、を含み、第1の信号出力手段と第2の信号出力手段とに備えられるサンプリングキャパシタの容量比を連続的にまたは離散的に可変とするチャージドメインフィルタ回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】広い周波数レンジでフィルタのQ値を所望の値に設定する。
【解決手段】フィルタ回路1は、入力電圧信号を電流信号に変換する可変トランスコンダクタンスgm1と、可変トランスコンダクタンスgm1の後段に結合されたRLCタンクと3aを備え、RLCタンク3aは、互いに並列に結合された可変キャパシタC1と可変抵抗R1とインダクタL1とを有し、可変キャパシタC1のキャパシタンス値を、フィルタ回路1の周波数特性を示す中心周波数またはカットオフ周波数の2乗に反比例して設定する周波数チューニング回路7と、可変抵抗R1の抵抗値を、可変トランスコンダクタンスgm1のトランスコンダクタンス値に反比例して設定するゲインチューニング回路8とをさらに備え、可変トランスコンダクタンスgm1のトランスコンダクタンス値は、中心周波数またはカットオフ周波数に依存した値に設定される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、使用する容量比の大きなフィルタカットオフ周波数を自動調整すること、並びにその自動調整にかかる時間を短縮することにある。
【解決手段】チャネルフィルタ回路の帰還容量及び不帰還容量(接地容量)ごとにフィルタカットオフ周波数自動調整回路及び誤差修正用のレジスタを設ける。これにより、帰還容量及び不帰還容量の容量差による誤差の拡大を招くことなく、フィルタカットオフ周波数の調整が可能となる。 (もっと読む)


【課題】信号経路切替機能を有するアッテネータ回路において、信号伝搬における損失を抑制することが可能な可変アッテネータ回路を提供する
【解決手段】信号が入力される信号経路に並列に設けられ抵抗値制御端子に制御電圧が入力される可変抵抗VR1、信号経路と出力端子Sout1、Sout2との間に直列に接続された可変抵抗VR2a、VR2bを有するアッテネータ回路ATTN、制御電圧Vctrlが入力され制御電圧Vctrl2を出力するバイアス電圧発生部BVG、一端に制御電圧Vctrlが入力され、他端が可変抵抗VR2aの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号PSaが与えられてオン/オフが制御される経路切替部PSa、一端に制御電圧Vctrlが入力され、他端が可変抵抗VR2bの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号PSbが与えられてオン/オフが制御される経路切替部PSbを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チップ占有面積が小さく低消費電力の広帯域RF信号処理回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第1制御端子101の第1制御信号Vc1により制御可能なキャパシタンスCRを有する第1キャパシタ1と、第2制御端子102の第2制御信号Vc2により制御可能なキャパシタンスCLを有する第2キャパシタ3を含み等価的にインダクタLをエミュレートするジャイレータ2、5とからなる共振回路を半導体チップに具備する。キャパシタンスCRとインダクタLは、並列共振回路を構成する。並列共振周波数を変更する際に、第1と第2のキャパシタ1、3のキャパシタンスを協調的に変更する。並列共振回路は増幅素子Q1の出力電極に接続されるアクティブ負荷に好適である。 (もっと読む)


【課題】サンプリングフィルタを備えた受信機において、受信信号の同相成分と直交成分との振幅誤差や直交誤差による受信性能劣化を防ぐことのできる受信機を得る。
【解決手段】受信信号をフィルタリングするフィルタ部4と、復調部6を含む復調経路に設けられて受信信号の同相成分のI信号と直交成分のQ信号との振幅誤差および直交誤差を検出するIQ誤差検出部7と、IQ誤差検出部7により検出された誤差情報に基づいてフィルタ部4を制御する制御部8とを備えている。 (もっと読む)


【課題】外部からトランジスタの容量値を調整できる容量調整機能を有し、処理する信号の応答特性を適宜調整可能とし、成形波形の特性を一致させることが可能なキャパシタンス回路を提供する。
【解決手段】トランジスタを用いるキャパシタンス回路において、容量調整信号を受け付ける容量調整端子と、トランジスタのソース端子とドレイン端子とに接続されて、容量調整信号によりトランジスタの容量を調整する容量調整回路と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減し、かつ生成する遅延時間の誤差を縮小し得る遅延回路を提供する。
【解決手段】単位遅延時間のほぼ2倍の遅延時間を生成する複数の第一の遅延ユニットY1〜Y16と、単位遅延時間を生成する第二の遅延ユニットX1と、第一の遅延ユニットを直列に接続し、終段の第一の遅延ユニットY16に第二の遅延ユニットX1を接続することと、初段の第一の遅延ユニットY1に外部入力信号Dinを入力するとともに、各第一の遅延ユニットと第二の遅延ユニットには外部入力信号Dinを入力することと、第一の遅延ユニット及び第二の遅延ユニットは、前段の遅延ユニットの出力信号と外部入力信号のいずれかを遅延させて出力するスイッチ回路を備えることと、終段の第一の遅延ユニットY16の出力信号と第二の遅延ユニットX1の出力信号のいずれかを選択するセレクタ2とを備えた。 (もっと読む)


【課題】半導体装置と外部抵抗の間の線路に存在する寄生抵抗分を特別の回路を設けることなく補正することのできるインピーダンス調整回路およびインピーダンス調整方法を得ること。
【解決手段】LSIケース201の外部には、ケースピンを介してインピーダンス設定用のクランプ抵抗208と、これと電位を比較するための第1および第2の参照電圧生成抵抗221、222が接続されている。第1および第2の参照電圧生成抵抗221、222の間には、LSI202内の折り返し線225を経由する形で他の線路と同一幅の2本ずつの線路の寄生抵抗分からなる抵抗回路224が設けられており、調整に悪影響となる他の線路の寄生抵抗分をキャンセルする。このため、コンパレータ211の比較結果を使用して制御回路205はインピーダンス調整用出力バッファ203を高精度に調整可能である。 (もっと読む)


【課題】周波数特性を切換可能とされたフィルタ及び半導体集積回路装置に関し、小さい回路規模で、回路設計を容易に行えるフィルタ及び半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数段のフィルタ回路(111、AMP11/112、AMP12;113、AMP13:211、212、AMP21)から構成され、必要とする周波数特性が切換可能とされたフィルタ(100:200)であって、複数段のフィルタ回路(111、AMP11/112、AMP12;113、AMP13)のうちクオリティファクタQが一定値より大きいフィルタ回路(111、AMP11/112、AMP12)を、必要とする周波数帯域(fc1、fc2)に応じた数だけ設け、必要とする周波数帯域(fc1、fc2)に応じてフィルタ回路(111、AMP11/112、AMP12:211、212、AMP21)の接続を切り換えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低損失でかつ小型な移相回路を実現する。
【解決手段】一端が高周波信号入力端子1に接続され、かつ他端が高周波信号出力端子2に接続され、オン時に抵抗性を示し、オフ時に容量性を示す第1のFET3a、オン時に抵抗性を示し、オフ時に容量性を示す第2のFET3bと、第1のFETに並列接続された第1のスパイラルインダクタ4と、第2のFETに並列接続された第2のスパイラルインダクタ6と、第1のFETの一端に接続された第1のMIMキャパシタ7と、第1のFETの他端に接続された第2のMIMキャパシタ8と、第1及び第2のMIMキャパシタの他端同士と接続された第3のスパイラルインダクタ5とを備え、第2のFETは、一端を第3のスパイラルインダクタ5の他端に接続し、他端をスルーホール11に接続した。 (もっと読む)


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