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Fターム[5J108AA04]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 目的、用途 (2,226) | 温度特性 (311) | 周波数温度特性 (233)

Fターム[5J108AA04]に分類される特許

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【課題】 発振周波数の温度依存性が低い非鉛系の圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電磁器として、主成分がビスマス層状化合物からなる圧電磁器であって、組成式xMBi4Ti4O15+(1−x)MBi2Nb2O9で表され、Mがアルカリ土類金属元素であり、x=0.5である成分100質量部に対して、MnをMnO2換算で0.05〜2.0質量部含有するものを用いる。また、MがSrであることが好ましい。
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【課題】低背化に適してセット基板との電気的結合を防止した通信端子を確保し、さらにICチップの面積を大きくした表面実装発振器を提供する。
【解決手段】水晶片2とICチップ3とを凹部を有する容器本体1に一体的に収容してなる表面実装用の水晶発振器において、前記容器本体1は底壁1a及び枠壁1bからなる凹部と前記底壁1bが水平方向に延出した水平部とからなり、前記凹部内には前記水晶片2を収容して密閉封入されて前記水平部上には前記ICチップ3がフリップチップボンディングされ、前記水平部の表面上には水晶検査端子12を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】小型な圧電発振器、さらに、追従性の優れた温度補償機能を有する圧電発振器を提供することを課題としている。
【解決手段】少なくとも、励振電極46が形成された圧電振動片35と、該圧電振動片35を収容するパッケージ底部31と、該パッケージ底部31と接合され、前記圧電振動片35を気密封止する蓋体39とからなる圧電発振器であって、前記パッケージ底部31および蓋体39は半導体基板で構成され、前記パッケージ底31部および蓋体39の表面には、半導体集積回路プロセスにより回路パターン32、40が形成され、さらに、温度検知部43が、前記圧電振動片35の励振電極46の最近傍となる位置に配置される圧電発振器とする。 (もっと読む)


【課題】圧電応答性を向上した、窒化アルミニウム薄膜を備えている圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体薄膜は、スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えており、窒化アルミニウム薄膜におけるスカンジウムの含有率は、スカンジウムの原子数とアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、0.5〜50原子%である。これによって、本発明に係る圧電体薄膜は、窒化アルミニウム薄膜の有する弾性波の伝播速度、Q値、および周波数温度係数の特性を失うことなく、圧電応答性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】チップ部品等の小型の回路部品上に圧電振動素子の一端部を導電性接着剤によって支持する際に、未硬化状態にあるために導電性接着剤による保持力が弱い期間中に、圧電振動素子の自重によって接着部が剥離する不具合を解消する。
【解決手段】底部に外部電極を有すると共に上部に該外部電極と導通したIC搭載用の導通パッド21bを備えたパッケージ本体21と、該パッケージ本体の前記導通パッド上に導通接続されるICチップ22と、該ICチップ上部の上部電極22cに対して導電性接着剤Bによって少なくとも一端縁を支持された圧電振動素子23と、該ICチップ及び圧電振動素子を含むパッケージ本体上面を気密封止する蓋部材24と、を備え、ICチップは、圧電振動素子の一端縁から重心位置までの距離を越える長さを有している。 (もっと読む)


【課題】ICチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装発振器を提供する。
【解決手段】内壁段部を有する凹状とした容器本1体の内底面に引出電極の延出した水晶片3の外周部を固着し、前記内壁段部にICチップ2を配置し、前記容器本体3の開口端面を金属カバー4にて封止した表面実装用の水晶発振器において、前記内壁段部は前記容器本体の内周を周回して形成され、前記ICチップ2はフリップチップボンディングによって回路機能面のIC端子が絶縁板13の一主面の表面端子に固着され、前記絶縁板13の前記表面端子と電気的に接続した他主面の裏面端子は前記内壁段部に設けられた回路端子に固着され、前記水晶片3と前記ICチップ2とが前記絶縁板13によって全面的に遮断された構成とする。 (もっと読む)


【課題】周波数が10MHz以下で、且つ小型でQ値の大きいラーメモード水晶振動子を得る。
【解決手段】励振により輪郭振動する圧電材料からなる圧電基板本体7と、該圧電基板本体主面の輪郭振動の節となる部位の少なくとも片面側に突設した該圧電基板と同一材料から成る突起10と、から成る圧電基板6と、該圧電基板面の両主面に形成された励振電極と、を備えた圧電振動素子を構成する。突起は、圧電基板本体の中央部、或いは周縁部に位置する輪郭振動の節に突設されている。 (もっと読む)


【課題】ICチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装用の水晶発振器を提供する。
【解決手段】ICチップ2と水晶片3とを凹部を有する容器本体1内に一体的に収容し、前記ICチップ2は前記容器本体1の内底面に設けられたアースパターン5上に非回路機能面が固着され、前記ICチップ2の回路機能面のIC端子と前記容器本体1内の回路端子とをワイヤーボンディングによって電気的に接続した表面実装用の水晶発振器において、前記容器本体1の内底面には穴部が設けられ、前記穴部の底面及び内周面には前記アースパターン5が形成され、前記ICチップ2の非回路機能面である底面を導電性接着剤7aによって固着するとともに、前記ICチップ2の外周側面と前記穴部の内周面との間にも前記導電性接着剤7aを埋設した構成とする。 (もっと読む)


【課題】支持基板上に浮かされた薄膜振動体を有する圧電薄膜振動装置において、薄膜振動体の支持基板への所望でない接触を確実に防止することができる圧電薄膜振動装置を得る。
【解決手段】支持基板の上面から浮かされて配置されており、薄膜形成法により形成された複数の薄膜を積層してなる積層膜からなる薄膜振動体2を有し、薄膜振動体2が、圧電薄膜と、圧電薄膜の上面及び下面に形成された第1,第2の励振電極とを有し、該薄膜振動体2が矩形形状を有し、対向し合う第1,第2の辺2a,2bの一部において支持基板に固定されており、該固定される部分を第1,第2の支持部12,13としたときに、薄膜振動体2は、第1,第2の辺では、第1,第2の支持部12,13が最も下方に位置し、第1,第2の支持部12,13を結ぶ方向においても、第1,第2の支持部12,13が最も下方に位置するように反っている、圧電薄膜振動装置。 (もっと読む)


【課題】比較的板厚の厚い圧電素板を使用した圧電振動片であっても、断線等の危険性が低く、実装端子との導通を確実に採ることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電素板の両主面にそれぞれ励振電極30a,30bと支持電極34a,34b、および導通電極32a,32bを備える圧電振動片20を有する圧電デバイス10であって、予め定めた1つの縁辺に傾斜面28を形成した圧電素板を用いて構成した圧電振動片20を備え、前記圧電振動片20を実装した実装面と対向する圧電振動片20における主面を、鋭角側主面22bとし、鈍角側主面22aに配置された支持電極34aと前記実装面に配置された内部実装端子44aとの導通を図るための導電性接着剤50の塗布範囲に前記傾斜面28を包含したことを特徴とする圧電デバイス。 (もっと読む)


【課題】製造時の取り扱いが簡便で、生産性を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、容器体の他方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、基板を容器体が接続されている面が下になるように反転させる基板反転工程と、基板の開口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、CI値を従来値以下に小さく抑えつつ、温度特性における頂点温度が+25℃となるような音叉型屈曲水晶振動素子、及びその音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子や水晶発振器を提供することにある。
【解決手段】振動腕部の表主面に開口部を有する溝部と、裏主面に開口部を有する溝部が少なくとも1つずつ形成されており、且つ表主面に開口部を有する溝部内部の底面と、裏主面に開口部を有する溝部内部の底面とが、振動腕部内で対向しない位置にそれぞれ形成されている音叉型屈曲水晶振動素子、及びその音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子並びに水晶発振器。 (もっと読む)


【課題】ICチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装発振器を提供する。
【解決手段】凹状とした容器本体1の内底面に発振回路を集積化したICチップ2固着し、前記容器本体1の内壁段部に引出電極8の延出した水晶片3の外周部を固着して、前記容器本体1の開口端面にカバー4を被せてなる表面実装用の水晶発振器において、前記容器本体1の外底面の面積を実質的に大きくする複数の切り欠き10を、前記容器本体1の外底面に設けた構成とする。 (もっと読む)


【課題】所望の共振周波数、所望の温度特性を有する輪郭振動子と、この輪郭振動子の調整方法を提供する。
【解決手段】輪郭振動子10は、水晶基板のカット角φがIRE標準のYXltφ/θで表される四角形の平板からなる振動体20と、振動体20の表裏両面に設けられ共振周波数を律する励振電極30,31と、励振電極30,31の表面に設けられ温度特性を調整する温特調整膜41,42と、を備える。振動体20を形成した後、振動体20の表裏両面に励振電極30,31を形成し、励振電極30,31の厚さまたは/及び面積を変更して共振周波数を調整した後、温特調整膜41,42を形成し温度特性を調整し、所望の共振周波数、所望の温度特性を有する輪郭振動子を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】横振動モードに起因するスプリアスを従来より容易に低減できるとともに、周波数温度特性の制御性の向上を図ることの可能なバルク音響振動子を実現する。
【解決手段】本発明のバルク音響振動子10は、圧電体膜12、該圧電体膜を挟む一対の電極11,13を含む積層構造と、温度補償膜14を有するバルク音響振動子において、前記積層構造のうち少なくとも前記一対の電極が前記圧電体膜を介して平面的に重なる動作平面範囲10P内で前記温度補償膜が偏在していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路素子が形成された半導体基板に圧電振動片を搭載した小型の圧電デバイスを提供する。
【解決手段】回路素子12が形成された半導体基板11に圧電振動片13が搭載され、圧電振動片13と回路素子12は貫通電極15により電気的に接続され、前記半導体基板11の回路素子12上には、前記回路素子12と電気的に接続された配線を含む多層配線層23が形成されており、前記半導体基板11の前記回路素子12が形成された面には、前記多層配線層23の所定の配線と接続された外部接続端子が形成された圧電デバイス10とする。 (もっと読む)


【課題】小型で高精度な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】平板状の半導体基板11に圧電振動片13が搭載され、圧電振動片13が搭載されていない半導体基板11の主面には圧電振動片13と電気的に接続する回路素子12が形成されており、圧電振動片13を覆うための凹部21が形成された蓋体22を半導体基板11に取着して圧電振動片13を封止した圧電デバイス10とする。 (もっと読む)


【課題】 周波数の温度依存特性をMEMSキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】 機械的に振動するMEMS振動子と、MEMS振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するMEMSキャパシタとを備える。 (もっと読む)


【課題】共振周波数が中間周波数帯において、周波数温度特性が優れる輪郭振動子を提供する。
【解決手段】輪郭振動子10は、DTカット輪郭すべり水晶振動子であって、水晶基板のカット角がIEEE表示のYXlφで表される四角形の平板からなる振動体20と、振動体20の表裏両表面に形成される励振電極31,32と、を備え、励振電極31,32の1辺の長さLeと振動体20の1辺の長さLとの比Le/L(規格化電極寸法Le/L)が0<Le/L≦1、振動体20の厚さtと振動体20の1辺の長さLとの比t/L(規格化板厚t/L)が0<t/L<0.2、で表される範囲において、カット角φが選択的に設定される。このことにより二次温度係数βを非特許文献1に報告された二次温度係数β=−1.8×10-8/℃2よりも小さくすることができ、周波数温度特性が優れる輪郭振動子10を提供できる。 (もっと読む)


【課題】水晶振動子(水晶片)の動作温度を的確に検出して、周波数温度特性を充分に補償する表面実装振動子を提供する。
【解決手段】底壁層3a1、3a2と枠壁層3bと有して凹状とした積層セラミックからなる容器本体3と、前記容器本体3内に収容されて前記底壁層3a1、3a2の一端側に引出電極の延出した水晶片4の一端部両側が固着された水晶片4と、前記水晶片4とともに前記容器本体3内に収容されたサーミスタ14とを有する表面実装用の水晶振動子であって、前記水晶片4の他端部は前記一端部両側が固着される底壁層3a1、3a2の最上位層と対面し、前記サーミスタ14は前記底壁層3a1、3a2に設けられた凹所12内に配置された構成とする。 (もっと読む)


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