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Fターム[5J108KK03]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 製造方法 (4,576) | 支持 (525)

Fターム[5J108KK03]に分類される特許

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【課題】寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なBAW共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のBAW共振装置は、絶縁層4における各エッチングホール5,5それぞれの周部を補強し且つ共振子3と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部6,6が2つずつ形成されている。補強部6は、各エッチングホール5それぞれに対して、絶縁層4の厚み方向の両面に形成されており、絶縁層4における支持基板1側に形成された補強部6は、下部電極31と同一の金属材料により下部電極31と同じ厚さに形成され、絶縁層4における支持基板1側とは反対側に形成された補強部6は、上部電極33と同一の金属材料により上部電極33と同じ厚さに形成されている。 (もっと読む)


【課題】 搭載される圧電振動素子の破損を防ぎ、また、圧電振動素子に設けられる金属材料の剥がれを防ぐ。
【解決手段】 圧電片に励振電極を設けた圧電振動素子を搭載する容器体において、前記容器体は、前記圧電振動素子を搭載する位置より低い位置が底面となる凹部を有し、この凹部に前記圧電振動素子と接触しない高さの衝撃吸収部が設けられ、前記衝撃吸収部は、前記圧電振動素子の自由端となる位置から固定端側に寄った位置に設けられており、前記圧電振動素子の自由端が前記凹部を構成する面に接触しない位置に前記衝撃吸収部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】複数個の共振器で特性を揃えることができるBAWフィルタを提供する。
【解決手段】支持基板1と、支持基板1の一面上に設けられた絶縁層3と、それぞれ支持基板1の前記一面側に設けられた3個の共振器2a〜2cとを備える。3個の共振器2a〜2cのうち、2個の共振器2a,2bはフィルタ回路を構成し、残り1個の共振器2cは他のいずれの共振器2a,2bとも電気的に接続されないダミー共振器2cである。3個の共振器2a〜2cと、各共振器2a〜2cの下側に空洞を設けるエッチング液の導入用に絶縁層3に設けられたエッチングホール10aとは、3回回転対称な配置とされている。これにより、エッチングホール10aとの位置関係が各共振器2a〜2cで揃うから、フィルタ回路を構成する共振器2a,2bの特性を揃えることができる。 (もっと読む)


【課題】鉛系圧電材料からなる圧電層の結晶性および圧電特性を向上させることが可能なBAW共振装置を提供する。
【解決手段】MgOもしくはSrTiOからなる支持基板1の一表面側に形成された音響ミラー層2と、音響ミラー層2上に形成された共振子3とを備える。共振子3は、音響ミラー層2上に形成されたSrRuOからなる下部電極31と、下部電極31上に形成された鉛系圧電材料(例えば、PMN−PZTなど)からなる圧電層32と、圧電層32における下部電極31側とは反対側に形成された上部電極33とを有する。音響ミラー層2は、下部電極31と同じ材料により形成された高音響インピーダンス層21と圧電層32と同じ材料により形成された低音響インピーダンス層22とが交互に積層され下部電極31側の最上層が低音響インピーダンス層22により構成されている。 (もっと読む)


【課題】共振特性の低下を抑制しつつ堅牢化が可能なBAW共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】平面視において共振子3を取り囲んで形成された絶縁層4が支持基板1に支持されるとともに、支持基板1に、共振子3の下部電極31および絶縁層4における支持基板1側の表面を露出させる空洞1aが形成されてなり、支持基板1の上記一表面側において上部電極33における支持基板1側とは反対側の表面に形成された音響ミラー層2が、絶縁層4のうち支持基板1の上記一表面における空洞1aの周部に重なる領域の支持基板1側とは反対側の表面上まで延設されている。 (もっと読む)


【課題】 耐衝撃性を向上させ、信頼性の高い圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 ベースには3次元方向に緩衝機能を有した弾性支持体が接合された構成である。弾性支持体の保持部には圧電振動板がその両短辺の主面が保持される状態で平置き状態に搭載されている。圧電振動板の両短辺の対角位置には導電接合材Sが塗布され、弾性支持体と導電接合されている。圧電振動板の短辺長さWに対して、導電接合材の長さWsは約30%程度の長さに設定されている。 (もっと読む)


【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できてフィルタ特性を向上可能なBAWフィルタを提供する。
【解決手段】単結晶基板からなる支持基板1の一表面側に下部電極31と上部電極33との間に圧電層32を有する複数個の共振子3が形成され、支持基板1の上記一表面に、共振子3の下部電極31における支持基板1側の表面を露出させる複数の断面逆台形状の空洞1aがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。また、各共振子3における各空洞1aそれぞれの投影領域における中心部に対応する部位に、空洞1aに連通するエッチングホール5が形成されている。各共振子3は、空洞1aの投影領域内に圧電層32が収まり且つ上記投影領域の外周線よりも外側に下部電極31の外周線が位置している。 (もっと読む)


【課題】共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、空洞の形成時に共振子に発生する応力による共振子の特性の低下を抑制可能なBAW共振装置を提供する。
【解決手段】支持基板1と、支持基板1の一表面側に形成され下部電極31と上部電極33との間に圧電層32を有する共振子3と、支持基板1の上記一表面側に形成されて支持基板1に支持され共振子3を保持した共振子保持部5とを備え、支持基板1に、共振子3の下部電極31および共振子保持部5における支持基板1側の表面を露出させる空洞1aが形成されている。共振子保持部5に、蛇行した形状に形成され空洞1aの形成時に共振子3に発生する応力を緩和する応力緩和部6が設けられている。ここで、応力緩和部6は、共振子3を全周に亘って囲むように形成され、上記蛇行した形状として断面形状がコルゲート板状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】音叉型圧電振動デバイスを落下させるなどして外力が音叉型圧電振動デバイスに働いた場合であっても、音叉型圧電振動片が蓋に接触したり、ベースから音叉型圧電振動片が剥がれるのを抑制する。
【解決手段】水晶振動子1には水晶振動片2とベース3と蓋とが設けられている。水晶振動片2には、第1脚部21および第2脚部22と、第1支持腕部23および第2支持腕部24とを突出して設けた基部25が設けられている。水晶振動片2は、第1支持腕部23および第2支持腕部24においてそれぞれ6点のスタッドバンプ5を介してベース3に接合され、第1支持腕部23および第2支持腕部24それぞれにおける6点のスタッドバンプ5の接合位置は、第1支持腕部23および第2支持腕部24の全長Lに対して、それらの基端面232,242から0.41L〜0.79Lの範囲内とされる。 (もっと読む)


【課題】オーバートーン技術を用いず、基本波及び高調波の少なくとも一つの周波数で共振することができ、しかも共振周波数を変更することができかつ従来技術に比較して小さい駆動電圧で励振できる共振器、それを用いた発振回路及びMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】基板10上に電気的に絶縁されかつ少なくとも一個の固定端で固定された可動主ビーム3と、可動主ビーム3から延在するように形成された少なくとも一本の可動副ビーム4と、可動副ビーム4に近接するように設けられた少なくとも一個の励振電極5とを備えたMEMS共振器が提供される。励振電極5を交流信号を用いて励振することにより、可動副ビーム4を静電気力により励振して振動させ、基本共振周波数及びその高調波周波数のうちの少なくとも一つの周波数で共振する。 (もっと読む)


【課題】導電性接着剤の接続状態の確認が容易で、且つ、導電性接着剤の接着強度を高め
ることができる圧電振動素子を提供する。
【解決手段】水晶基板2と、水晶基板2の両主面に形成された励振電極3、4と、水晶基
板2の片面側に形成された2つのパッド電極6、8と、パッド電極6上に形成される貫通
孔9と、を備え、2つのパッド電極6、8を結んだ直線の延長線上に励振電極4を配置す
ると共に、パッド電極8と励振電極4との間に位置するパッド電極6に貫通孔9を設け、
電極パッド8をリード電極7を介して励振電極4に接続し、電極パッド6をリード電極5
と貫通孔9を介して励振電極4に接続するようにした。 (もっと読む)


【課題】高い周波数安定度を得ることができると共に、小型化を図る上で好適である新規な水晶振動子を提供すること。
【解決手段】短冊状の圧電片からなる振動板の両面側に、振動板に電圧を印加するための電極が形成された一対の電極板を夫々当該振動板に対して離間して設け、これら振動板及び一対の電極板を片持ちで支持する。電極は電極板である水晶板の一面側に金属膜を形成して構成される。また前記振動板における振動領域と支持部により支持される支持領域との間に、当該振動領域及び支持領域を弾性的に分離するための貫通孔を形成する。この構成によれば、電極の応力が振動板に影響しないため、長期間に亘って高い周波数安定度が得られ、また加工が容易である。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子に急激な温度変化による熱ストレスが加わることがなく、圧電振動素子の破損や振動特性が不安定となることを防ぐ圧電振動素子の搭載方法を提供する。
【解決手段】圧電振動素子接続用電極パッド上に導電性接着剤を設ける接着剤付着工程S1と、圧電振動素子を導電性接着剤に接触させ、且つ圧電振動素子の主面が凹部内の底面に対して接触しないように平行となる姿勢で凹部内に配置する素子配置工程S2と、導電性接着剤のみにレーザ光を照射し、この導電性接着剤を仮硬化させ圧電振動素子を支持する第1の接着剤硬化工程S3と、仮硬化した導電性接着剤を再度加熱し、導電性接着剤を完全に硬化し、圧電振動素子接続用電極パッドに圧電振動素子を導電性接着剤により導通固着する第2の接着剤硬化工程S4とを備える圧電振動素子の搭載方法。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子が容器体や他の構成物に常に接触するのを防ぎ、周波数を安定させる圧電デバイスを得ることができる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】容器体10の凹部空間11の底面に設けられた圧電振動素子搭載パッド13上に、導電性接着剤40を塗布し、圧電振動素子搭載パッド13に塗布された導電性接着剤40に対して圧電振動素子20を搭載する圧電振動素子搭載工程と、噴出ノズル50を容器体10に近付け、容器体10の凹部空間11内にエアを噴出しながら、導電性接着剤40を加熱硬化させ、圧電振動素子搭載パッド13と圧電振動素子20とを導通固着する圧電振動素子固着工程と、蓋体30と容器体10とを接合するための蓋体接合工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電極が狭ピッチ化されても端子のショート等の不具合を防止することを目的としている。
【解決手段】圧電振動片1は、基部10と基部10に支持された振動腕18とを有する。振動腕18に複数の励振電極26が形成され、基部10に樹脂突起40が設けられ、複数の励振電極26と電気的に接続するように樹脂突起40に端子電極42が形成されている。パッケージ44は、その内部に複数の固定電極46を有し、圧電振動片1を内部に収容する。圧電振動片1の基部10及びパッケージ44は、絶縁性の接着剤48によって接着されている。複数の端子電極42と複数の固定電極46が対向して接触している。樹脂突起40は、弾力性を有し、圧電振動片1とパッケージ44の間で圧縮されている。 (もっと読む)


【課題】振動子の製造過程において振動子に必要以上の熱をかけることなく振動子片と気密端子の接合を確実に行い、信頼性の高い振動子を提供する。
【解決手段】振動子片と気密端子とを接合材で接合した振動子の製造方法において、気密端子に接合材を塗布する工程と、振動子片と前記接合材が塗布された気密端子とを相互に位置決めし支持治具に搭載する工程と、前記振動子片と気密端子とを接合する前に前記支持治具を加熱する工程と、前記接合材を溶融し前記振動子片と気密端子とを接合する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 接着剤の塗布量を正確に測定でき、品質、信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 基板上に配置されている電極部を画像認識し、得られた画像データを平坦部と傾斜部とに2値化して平坦部と傾斜部のそれぞれの面積を算出する工程と、前記電極部に導電性接着剤を塗布する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極部を画像認識し、得られた画像データを平坦部と傾斜部とに2値化して平坦部と傾斜部のそれぞれの面積を算出する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極部の傾斜部面積と導電性接着剤塗布前の前記電極部の傾斜部面積との面積差を算出する工程と、前記面積差が所定の範囲内にあるか否かを判定する工程と、前記判定後に前記導電性接着剤が塗布された電極上に圧電振動片を搭載する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧電素子を所定の姿勢に確実に位置決めすることで信頼性の高い圧電振動子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】基部とこの基部から突出した少なくとも2本の脚部を有し、前記基部と脚部との間に段差部を有する圧電素子を、ベースとカバーからなるパッケージに収容した圧電振動子の製造方法であって、少なくとも、前記基部の少なくとも一部、及び前記脚部の少なくとも一部を位置決めする一対の位置決め部材により前記圧電素子を挟み込み、前記圧電素子を所定の姿勢に位置決めする工程と、前記位置決め部材により位置決めされた前記圧電素子を前記所定の姿勢に保った状態で前記ベースに搭載する工程と、前記ベースにカバーを搭載し、前記圧電素子をパッケージに収容する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体基板の製造方法、半導体基板、および半導体基板を用いた圧電デバイスにおいて、貫通電極部と半導体基板間の浮遊容量は絶縁層の厚みに反比例するため、浮遊容量を低減させる貫通電極形成プロセスを提供する。
【解決手段】半導体基板1上に形成した犠牲層3に沿ってドライエッチングにより貫通微細孔4を形成する工程にて、貫通微細孔4の外側に、少なくとも1つの環状孔5を形成し、貫通微細孔4に熱酸化により絶縁層を形成する工程にて、貫通微細孔4表面の酸化膜と環状孔5を埋める酸化膜、及び、貫通微細孔4と環状孔5との間の半導体基板1の薄肉部に埋めこまれた酸化膜とを一体化した、絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】積層構造とした場合であっても、支持面の面積が極端に狭くなることの無い枕を有するパッケージ構造を提供する。
【解決手段】パッケージ12を構成するパッケージベース16に圧電振動片30を実装するための内部実装電極22と圧電振動片30の自由端を支持するための枕24とを有する圧電デバイス10のパッケージ構造であって、枕24は上面の面積が大きな下層構成部材24aの上に上面の面積が小さな上層構成部材24b
,24cを配置する構成を採り、内部実装電極22と対向する側面に、階段状の段差部を持たせたことを特徴とする。 (もっと読む)


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