【課題】高精度の歪み補償を行って高効率の増幅を行う。
【解決手段】増幅装置は、複数の増幅器、線形結合部および出力算出部を備える。線形結合部は、増幅器の出力が増幅器間のクロスリーケージによって影響を受けた複数のリーケージ信号を受信し、リーケージ信号のレベル値の線形結合を行って、複数の線形結合信号を生成する。出力算出部は、線形結合信号のレベル値から、増幅器の複数の出力増幅信号の実レベル値を求める。歪み補償部は、増幅器の入力信号のレベル値と、出力増幅信号の実レベル値との誤差が所定値となるような補正信号を生成し、補正信号を増幅器の入力に重畳する。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第１端子と、第２端子と、を有する第１トランジスタＴ１と、制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続し、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第２トランジスタの第１端子から前記第１トランジスタの第２端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路１１、１２と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路Ｌ１１、Ｌ１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】容量成分または誘導成分を有する容量性負荷の駆動信号を、安定してしかも電力
消費を抑制しながら生成する。
【解決手段】容量性負荷に印加すべき駆動信号の基準となる駆動波形信号を、パルス変調
することによって変調信号を生成し、得られた変調信号を電力増幅した後、平滑化するこ
とによって、駆動信号を生成する。また、こうして容量性負荷に印加された駆動信号を、
駆動信号の基準となる駆動波形信号に負帰還させる。このとき、駆動信号に含まれる周波
数帯域でのゲイン特性が平坦となるような所定のアナログ補償処理を駆動信号に対して加
えた後、得られた信号をデジタル信号に変換して、駆動波形信号に負帰還させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を超えた電圧の駆動信号を発生させることが可能で、しかも環境温度や
部品の製造ばらつきの影響を受けることなく安定した駆動信号を発生させることが可能な
技術を提供する。
【解決手段】容量性負荷に印加すべき駆動信号の基準となる駆動波形信号を、パルス変調
することによって変調信号を生成し、得られた変調信号を電力増幅した後、平滑フィルタ
ーを用いて駆動信号を復調する。また、こうして得られた駆動信号を負帰還させることに
よって、平滑フィルターの共振ピークを抑制する。このとき、ピークを完全に抑制するの
ではなく、比較的広い周波数帯域でゲインが一定以上（たとえば２以上）となるようにす
ることで、電源電圧を超えた電圧の駆動信号を安定して発生させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、温度変化や抵抗のばらつきに関係なく出力を一定にできる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】入力部２０は、帰還抵抗２２を持つソース接地増幅器で、負荷は２つの出力ノード３５，３６をもつカレントミラー部３０の入力ノード３４に接続される。カレントミラー部３０の出力は、電流電圧変換部４０に接続される。電流電圧変換部４０は、２つのダイオード接続されたトランジスタ４１，４２を有し、それぞれのドレインはカレントミラー部の出力ノードに接続され、トランジスタ４２のソースはノード４７および抵抗４３を介してＧＮＤ８０に接地し、他方のトランジスタ４１のソースは直接ＧＮＤに接地し、さらにノード４５と４７間に抵抗４４が繋がれている。帰還抵抗２２と抵抗４４の値はそれぞれ等しい。ノード４６は電流電圧変換部４０の出力であり、出力回路５０のトランジスタ５１のゲートに入力される。 （もっと読む）

【課題】入力されるパルス幅の長短に拘らず、コンパレータにおけるパルス幅歪みおよび誤出力を低減させる光受信回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる光受信回路１０は、入力光に応じて電流を出力する受光手段１２と、入力端子に前記受光手段が接続された反転増幅器１３と、反転増幅器１３の入出力間に接続された帰還回路１４を具備する。この帰還回路１４は、反転増幅器１３のトランスインピーダンス特性がポールとゼロの複数組が設けられるように、一方が反転増幅器１３の入力端子に接続され、他方が抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４と共通接続される抵抗Ｒ１と、他方が反転増幅器１３の出力端子に接続される抵抗Ｒ２と、他方がキャパシタＣ１と接続される抵抗Ｒ３と、他方がキャパシタＣ２と接続される抵抗Ｒ４と、他方が接地されたキャパシタＣ１と、他方が接地されたキャパシタＣ２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流による影響を軽減させることができ、なおかつ、高周波ノイズに対する耐性を向上させることができるカレントミラー回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路は、ミラー元となる第１のＭＯＳトランジスタと、ミラー先となる第２のＭＯＳトランジスタのゲートと、第１のＭＯＳトランジスタのゲートと第２のＭＯＳトランジスタのゲートとの間に、この順序で直列に接続された第４、第２、第１および第３の抵抗と、第１の抵抗および第３の抵抗の間のノード、ならびに、第２の抵抗および第４の抵抗の間のノードを入力とし、第１および第２の抵抗の間のノードを出力とする差動増幅回路とを備える。第３の抵抗は第１の抵抗よりも大きい抵抗値に設定され、第４の抵抗は第２の抵抗よりも大きい抵抗値に設定され、第３の抵抗は第４の抵抗よりも大きい抵抗値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】送信パワーばらつきの低減と高調波歪みの低減を実現可能な高周波信号処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、飽和領域に動作点が定められたプリドライバ回路ＰＤＲと、線形領域に動作点が定められ、高いＱ値を持つインダクタＬ１ａによって線形増幅動作を行う最終段ドライバ回路ＦＤＲとを備える。例えば、電圧制御発振回路ＶＣＯによって直接変調された信号は、その振幅レベルのばらつきがＰＤＲによって抑圧され、ＰＤＲで生じ得る高調波歪み成分（２ＨＤ，３ＨＤ）がＦＤＲのＬ１ａ等によって低減される。 （もっと読む）

【課題】アンプの動作周波数に依存性を有するバイアス電流を供給することにより、消費電流を大幅に低減する。
【解決手段】ＤＬＬ回路２は、入力されたクロック信号ＣＫに基づいて、該クロック信号ＣＫの周波数に比例関係を持つ制御電圧ＶＣＮＴＬを生成する。トランスリニア回路３は、ＤＬＬ回路２が生成した制御電圧ＶＣＮＴＬに基づいて、クロック信号ＣＫの周波数の２乗の関係を持つ電流を生成する。カレントミラー回路５は、トランスリニア回路３が生成した電流からアンプ電流を生成し、アンプ４のテール電流として該アンプ４に供給する。 （もっと読む）

【課題】群遅延特性の入力光パワー依存性を低減し、かつ、ＥＳＤ耐性を有するトランスインピーダンスアンプを提供する。
【解決手段】入力端子から入力される入力電流のインピーダンス変換を行うトランスインピーダンスアンプＴＩＡとして第一の電源端子ＶＣＣＴＩＡと第二の電源端子ＶＥＥＴＩＡとを有し、第一の電源端子ＶＣＣＴＩＡには第二の電源端子ＶＥＥＴＩＡよりも高い電圧が印加され、かつ、第一の電源端子ＶＣＣＴＩＡと第二の電源端子ＶＥＥＴＩＡとの間に、トランスインピーダンスアンプＴＩＡと並列の電流パスを形成する第一の回路素子が接続されている。該第一の回路素子は、第一のダイオードもしくはダイオード列からなっている。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器に関する電力変換効率を改善する。
【解決手段】入力信号を差動増幅器３及びプッシュプル増幅器（８、９）により増幅する電力増幅器で、差動増幅器からの出力をプッシュプル増幅器により増幅し、プッシュプル増幅器からの出力を差動増幅器の入力として帰還する。プッシュプル増幅器を構成する複数の増幅素子８、９の各々の電源電圧生成回路では、直流電圧源１２〜１９とスイッチ２０〜２７とダイオード２８〜３５が直列に接続された閉回路を１つのブロックとして、複数のブロックが、隣接する異なるブロックのうちの一方のダイオードのアノード端子と他方のダイオードのカソード端子とが接続されるように、接続される。電源電圧制御手段３８が、電力増幅器の入力信号の信号レベル又は電力増幅器からの出力信号の信号レベルに応じて、スイッチのオン／オフを制御する。 （もっと読む）

【課題】寄生振動、すなわちパラメータ発振を低減したトランジスタ増幅器を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタセル１５”を有するトランジスタデバイス１２”は複数のフィルタ１８”が設けられる。フィルタのそれぞれ１つは、入力ノード２０”と、複数のトランジスタセルの制御電極１７のうちの対応する１つとの間に結合されている。半導体によって、複数のトランジスタセルの共通活性領域が提供される。フィルタのそれぞれ１つは、導電層と、導電層上に配置された誘電層と、誘電層の上に配置された抵抗層と、抵抗層の第１の部分に電気的に接触するように配置され入力ノードを提供する導電電極と、抵抗層の第１の部分から離れた抵抗層の第２の部分と電気的に接触するコネクタであって、誘電体を通り第１の導体と電気的に接触するコネクタとを含む。 （もっと読む）

【課題】効率の悪化を抑えた増幅器、送信器を提供すること。
【解決手段】実施形態の増幅器は、第１の増幅素子を用いて入力端子に入力された信号を増幅して第１増幅信号を生成する第１の増幅部と、第１の増幅部と直列接続され第１増幅信号を増幅する第２の増幅部とを備えている。また、実施形態の増幅器は、第１の増幅部から第２の増幅部へ第１増幅信号を伝送するトランス部と、第１の増幅素子の電源入力端子に該第１の増幅素子を駆動する電源を供給するインダクタとを備えている。 （もっと読む）

【課題】部品の使用点数を減少させて実装面積を縮小すると共に、信号のスイッチ通過による通過損失を抑制する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】整合回路２３，２５，２６，２７と少なくとも１以上の高周波電力増幅素子２４とを有する高周波電力増幅器２１であって、前記整合回路は２つのリアクタンス素子３７，３８，３９，４０が直列に接続された第１の整合ライン４１及び第２の整合ライン４２が並列に接続された回路と、前記第１の整合ラインの前記リアクタンス素子間及び前記第２の整合ラインの前記リアクタンス素子間とグランドに接続され何れか一方を選択可能なスイッチ４３とを有し、該スイッチを切替えることで前記第１の整合ライン及び前記第２の整合ラインの何れか一方に信号を伝搬させ、他方を前記グランドに接続させる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅された無線信号のＥＶＭの劣化を抑制するＤ級増幅器及び無線通信装置を提供する。
【解決手段】バンドパスΔΣ変調部１０４は、アップコンバート部１０２から出力された信号にバンドパスΔΣ変調を施し、駆動増幅部１０５は、バンドパスΔΣ変調部１０４から出力された信号をＤ級増幅部１０７が動作可能な信号レベルにまで増幅する。スイッチング電圧制御部１０６は、駆動増幅部１０５の出力信号の電力実効値ＲＭＳに基づいて、Ｄ級増幅部１０７のスイッチング電圧閾値を最適なレベルに決定し、Ｄ級増幅部１０７は、スイッチング電圧制御部１０６によって決定されたスイッチング電圧閾値を用いて、駆動増幅部１０５の出力信号をスイッチング増幅する。 （もっと読む）

【課題】演算増幅回路が有限の周波数特性およびスルーレートを有することに起因して発生するグリッチングを抑制し、高調波歪のより少ない出力信号を得ることができるチョッパスタビライズドアンプを提供する。
【解決手段】変調回路ＭＯＤは、所定の周波数を有する矩形波である変調信号を使って、入力信号をデジタル的に第１の被変調信号に変換する。演算増幅回路ＡＭＰは、第１の被変調信号を増幅して、第２の被変調信号に変換する。復調回路ＤＥＭＯＤは、第１の被変調信号と第２の被変調信号の周波数成分の違いに対応する波形をもった復調信号を使って、アナログ的に第２の被変調信号を出力信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止し規格値を超過するドレイン電流が発生することを回避できる増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量４を付加し、当該容量４とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタを構成する。ハイパスフィルタの遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面に絶縁層を設けてこれを誘電体とし、導電部材と基板とで平行平板型の容量４を接続する。 （もっと読む）

【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第１中心周波数有する第１増幅ユニットと、第１増幅ユニットに並列に配置され、第１中心周波数よりも高い第２中心周波数を有する第２増幅ユニットと、第１増幅ユニットの入力と第２増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第１増幅ユニットの出力と第２増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止することにより、規格値を超過するドレイン電流を発生することを回避できる接合形電界効果トランジスタを用いた増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタ５を構成する。ハイパスフィルタ５の遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面にイオン注入によりｎ型不純物層を設け、ｐ＋型半導体基板とｐｎ接合を形成して接合容量をハイパスフィルタ５の容量４とする。 （もっと読む）