説明

Fターム[5J500DN24]の内容

増幅器一般 (93,357) | 増幅部構成 (1,575) | エミッタ(ソース)回路構成 (671) | 定電流源を具備するもの (401) | 定電流源がカレントミラー構成 (85)

Fターム[5J500DN24]に分類される特許

41 - 60 / 85


【課題】発振動作を起こしにくい。
【解決手段】アンプユニットA1は、2つの入力端子20,21から入力された電圧信号を増幅するとともに、電流信号に変換して出力する。アンプユニットA2は、入力と出力とが帰還抵抗R5,R6を介して接続されることにより、電流信号として入力された入力信号を、電圧信号に変換して2つの出力端子22,23へ出力する。アンプユニットA1は、カレントミラー回路CM1によって電流源CS1からミラーされた電流を動作電流として供給される。アンプユニットA2は、カレントミラー回路CM2によって電流源CS2からミラーされた電流を動作電流として供給される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、増幅出力の歪みや発振を招くことなく、そのスルーレートを任意に可変制御することが可能な増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るアンプA1は、出力段に抵抗(Rc0〜Rc3)と容量(Cc1)から成る位相補償部が組み込まれた増幅部(P3〜P7、N3〜N4)と、前記増幅部のバイアス電流(i2、i3)を生成する基準電流生成部(P1〜P2、N1〜N2、Rb0〜Rb3)と、を有して成る増幅回路であって、前記基準電流生成部は、所定の制御信号(HP、N、PS)に応じてバイアス電流(i2、i3)の電流値を切り換えるスルーレート可変手段(SW11〜SW13)を有して成り、前記位相補償部は、制御信号(HP、N、PS)に応じて、抵抗(Rc0〜Rc3)の抵抗値を切り換える位相補償量可変手段(SW21〜SW23)を有して成る構成とされている。 (もっと読む)


【課題】RF ICで、基準周波数信号の周波数を制御するAFC制御用D/A変換器の出力信号の外部電源電圧の変動による変動を低減すること。
【解決手段】基準周波数発振器314を制御するAFC制御用D/A変換器315は、3個のボルテージフォロワAMP1、2、3を含む電圧ポテンショメータ型D/A変換器で構成される。少なくとも後段のボルテージフォロワAMP3では、NMOS差動入力回路とCMOS出力回路とバイアス回路とは外部電源電圧Vdd_extを供給する一方、PMOS差動入力回路PMOS_DAは基準電圧発生器RVGから生成された内部安定化電源電圧Vdd_intを供給する。PMOS差動のMP1、MP2のペア性のずれがあっても、外部電源電圧Vdd_extの増大によるPMOS電流源のMP3の電流の増大は抑制される。PMOS差動の入力オフセット電圧も増大せず、AFC制御アナログ出力信号の変動を低減できる。 (もっと読む)


【課題】入力電圧範囲を広く取ることを可能とする差動増幅回路の提供。
【解決手段】入力端子に入力対が共通に接続され、出力対が負荷素子(M2、M4)対に共通に接続された第1導電型の第1の差動対(M3、M5)と、第2導電型の第2の差動対(M7、M9)と、第1の電源(VDD)と出力端子(O)間に接続された第1の出力トランジスタ(M11)と、第2の電源と前記出力端子(O)間に接続された第2の出力トランジスタ(M12)と、を備え、前記第1、第2の差動対の各第1の出力電流(I5、I10)に、前記第1、第2の差動対の各第2の出力の電流(I7、I10)をカレントミラー(M6、M8)、(M1,M2)で夫々折り返した電流(I6、I1)を加算した値の電流(I4、I9)を、前記第1、第2の差動対の各第1の出力に接続する負荷素子(M4、M9)に夫々流す構成としている。 (もっと読む)


【課題】 増幅器を有する回路の消費電力を低減する技術を提供する。
【解決手段】 電流供給回路80は、パイプライン型ADコンバータ回路10を構成する演算増幅器30aおよび30bにバイアス電流を供給する。電流切換回路70が、電流制御手段100からの電流制御信号に応じて、出力する電流を切り換えることにより、バイアス回路50からトランジスタ40を介して演算増幅器30に供給される電流が切り換えられる。高周波動作を行う場合は、その動作に十分な電流を供給し、低周波動作を行う場合は、供給する電流の電流値を低く切り換える。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックな(動的な)動作時の負荷への十分な電流供給と、スタティックな(静的な)動作時の消費電力の低減と、オフセットの低減と、歪みの低減とが可能な演算増幅器を提供する。
【解決手段】差動トランジスタ対100の片方のトランジスタに流れる出力電流を電流電圧変換手段120で電圧に変換して第1および第2の電圧出力端より出力する。電流電圧変換手段120の第1および第2の電圧出力端に制御端子が接続された出力トランジスタ130、140の制御端子を出力する。出力トランジスタ130の動作域はA級増幅動作域であり、前記第2の出力トランジスタ140の動作域はB級増幅動作域である。 (もっと読む)


【課題】信号のDutyを一定に保つことができるレシーバアンプ回路を提供する。
【解決手段】閾値電圧出力回路10は、第1のCMOSインバータIV2の閾値電圧を出力する。基準電流制御回路12は、基準電流の大きさを制御する。差動増幅回路16は、2つの入力端子から入力される信号を差動増幅する。カレントミラー回路15は、基準電流制御回路12に基準電流を供給し、基準電流のミラー電流を差動増幅回路16に供給する。第1のCMOSインバータIV2の入力端子C’と、差動増幅回路16の第1の出力端子Cとが接続され、基準電流制御回路12は、閾値電圧出力回路10が出力する閾値電圧と第1のCMOSインバータIV2の入力電圧の差分に基づいて基準電流の大きさを制御する。 (もっと読む)


【課題】データ送信ごとに待ち時間が発生することなくデータ送信を行うことができると共に低消費電力化を図ることができる電流駆動型差動ドライバを備える半導体装置及び電流駆動差動ドライバの動作制御方法を得る。
【解決手段】制御シーケンサ6は、頻繁にデータ送信が行われるときは電流駆動型差動ドライバ5内に捨て電流i2を継続して流させ、データ送信が所定時間T2以上中断されたときのみ、電流駆動型差動ドライバ5内に捨て電流i2が流れないようにした。 (もっと読む)


【課題】演算増幅器(オペアンプ)のオフセット補正を行うことができる増幅回路を提供する。
【解決手段】入力切替部10を介してアンプ部20に入力される電圧信号の入力経路をスイッチ端子50に入力されるスイッチ信号によって切り替えると共に、スイッチ信号による切替前と切替後のアンプ部20の出力をサンプルアンドホールド部30に格納する。そして、それら出力を差動増幅回路部40で足し合わせることで、アンプ部20(特に差動対回路部を構成する各トランジスタ)に生じるオフセットをキャンセルする。 (もっと読む)


【課題】高い利得を有すると共に、バイアス電流の設定を簡単に行うことができるOTA回路を提供する。
【解決手段】OTA回路の差動対を構成する一導電型MOSトランジスタと、当該一導電型MOSトランジスタのドレインに共通接続ノードを介してそれぞれドレインを接続された一対の他の導電型MOSトランジスタとを備え、前記共通接続ノードにそれぞれ接続された出力側回路を有する構成としたOTA回路を得る。このような接続により、一導電型MOSトランジスタによって定まる利得よりも高い利得を得ることが出来ると共に、直流バイアスポイントの変動をなくし、これによって、接続される回路に対する制約を軽減できる。 (もっと読む)


【課題】オフセット電圧の発生を好適に抑制することのできるオペアンプ回路を提供することにある。
【解決手段】出力段回路30のトランジスタP3のドレインにソースが接続され、トランジスタN5のドレインにドレインが接続されるトランジスタP11を備えた。このトランジスタP11のゲートには、トランジスタN12のソースが接続される。このトランジスタN12のゲートには、第1入力信号IPが印加される。すなわち、トランジスタP3,P11間のノードCの電位V3は、第1入力信号IPからトランジスタN12のゲート・ソース間電圧Vgs1分低下し、トランジスタP11のゲート・ソース間電圧Vgs2分上昇した電圧になる。 (もっと読む)


【課題】高速かつ広い入力電圧レンジの入力信号を受け取り、信号品質を悪化させることなく、所定の出力電圧レンジの出力信号に変換して出力する入力バッファを提供する。
【解決手段】本発明の入力バッファは、所定のコモンモード電圧であって、所定振幅の入力信号を受け取り、後段のバッファの入力信号として入力可能な最大のコモンモード電圧を持つ、所定の出力電圧レンジの出力信号を出力する第1のバッファと、第1のバッファの出力信号のコモンモード電圧を段階的に低電位側にシフトして低下させた出力信号を出力する第2のバッファと、第2のバッファの出力信号のコモンモード電圧をさらに低電位側にシフトし、コア電源の電圧レンジで動作するロジック回路のしきい値電圧とほぼ一致する電圧まで低下させた出力信号を出力する第3のバッファとを備えている。 (もっと読む)


【課題】動作範囲の広い増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の増幅器は、互いに直列接続された入力段1および入力段1の後段に配された出力段2と、出力段2からの出力信号Voutp・Voutmを変換して入力段1の後段から出力段2の入力としてフィードバックするフィードバック段3と、を有し、入力段1、およびフィードバック段3は、それぞれNMOSトランジスタ4・5、15・16の差動対を備え、入力段1から入力された入力信号Vinp・Vinmを増幅して出力段2から出力する増幅器において、入力段1およびフィードバック段3が同一の電流源20を共用している。 (もっと読む)


【課題】消費電力増大を抑止しつつスルーレートを向上可能な演算増幅回路を提供すること。
【解決手段】差動増幅器12の出力端(B)に接続されるとともに差動増幅器12の反転入力電圧Vin−及び非反転入力電圧(Vin+)が入力される補助回路11を有する。この補助回路11は、反転入力電圧Vin−と非反転入力電圧Vin+との差が実質的に等しい定常常態において大きな出力インピーダンスをもつ。反転入力電圧Vin−と非反転入力電圧Vin+との差が大きくなると、補助回路11は、差動増幅器12の出力電圧の遷移を促進する方向へ差動増幅器12の出力端(B)と電流を授受する。 (もっと読む)


【課題】小型化および出力信号の波形歪みの低減が可能なアナログマルチプレクサを提供する。
【解決手段】N個(Nは2以上の整数)の主入力端子(2,3)に入力される入力信号のうちの何れか一つを主出力端子(4)に選択的に出力するアナログマルチプレクサであって、N個の主入力端子にそれぞれ接続された第1の入力端子(10a,40a)、主出力端子に電気的に接続された第2の入力端子(10b,40b)および出力端子をそれぞれ有するN個の増幅部(10,40)と、N個の増幅部の出力端子にそれぞれ接続された入力端子(30a,30b,60a,60b)、および主出力端子に接続された出力端子(30c,30d,60c,60d)をそれぞれ有するN個のスイッチ部(30,60)と、N個の増幅部の出力端子と第1の電源線との間にそれぞれ接続されるN個の負荷部(20,50)と、N個のスイッチ部の出力端子と第2の電源線との間に接続される共通負荷部(70)とを備える。 (もっと読む)


【課題】位相余裕の拡大、動作開始時の出力電圧の変化の安定性、過電流防止を図る。
【解決手段】アンプは、入力段増幅回路30Aと、出力段増幅回路30Bと、負帰還回路50とを備えている。回路30Aは、正相入力ノード(NMOS35のゲート)に入力される第1の入力電圧と逆相入力ノード(NMOS34のゲート)に入力される第2の入力電圧とを差動増幅して正相出力ノードN35から出力する。回路30Bは、ノードN35の出力電圧を増幅して出力端子REGOUTから出力すると共に出力電圧Voutに対応した第2の入力電圧を生成してNMOS34のゲートへフィードバック入力する。回路50は、ノードN35の出力電圧により出力電流が変化する電流源用PMOS51と、このPMOS51の出力電流が供給され、第1の入力電圧と第2の入力電圧とを差動増幅するPMOS52,53からなる差動増幅部とを有し、この差動増幅部の出力電流に対応した正相電流を逆相出力ノードN34へフィードバックする。 (もっと読む)


【課題】個々のトランジスタの動作電圧の違いに起因する抵抗負荷差動増幅器の利得のバラつきを抑え、その利得が精度よく一定となるバイアス回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー20は、差動対10を構成している一対のトランジスタM11及びM12の各々のドレインへ同量の電流を流し込む。電流源30は、利得安定化の対象である抵抗負荷差動増幅器の負荷抵抗に反比例している電流を流し出す。この電流は、差動対10の出力点である、トランジスタM12のドレインへ流し込まれる。テール電流調整回路40は、トランジスタM13のゲートに印加する電圧を変化させて差動対10のテール電流Iss1を制御し、差動対10の出力電流を電流源30が流し出す電流に一致させる。更に、利得安定化の対象である抵抗負荷差動増幅器を構成している差動対のテール電流を制御して、このテール電流をテール電流Iss1の変化に比例させる。 (もっと読む)


【課題】差動増幅回路が形成されてなる半導体回路装置であって、回路の動作スピードと安定性を両立させることができると共に、適用回路に制限がなく、安価に製造することのできる半導体回路装置を提供する。
【解決手段】差動増幅回路100aにおける2つの入力トランジスタQ1,Q2にバイアス電流Ibを供給する電流供給トランジスタQ3pが、マルチコレクタのバイポーラトランジスタからなり、電流供給トランジスタQ3pの第1コレクタcが、2つの入力トランジスタQ1,Q2の各エミッタに共通接続され、第1コレクタcと電流供給トランジスタQ3pの第2コレクタcとの間で、寄生抵抗Rpが形成され、第2コレクタcが、2つの入力トランジスタQ1,Q2に入力が無い状態で、第1コレクタcと同電位に設定されてなる半導体回路装置100とする。 (もっと読む)


【課題】入力電圧の比較可能レベルを広げ、かつ比較レベルによる判定時間の変動、入力からみた出力に対する比較精度の変動を抑えられるコンパレータ回路の提供。
【解決手段】第1差動増幅回路11は、入力電圧Vin+、Vin−の差に応じた電流を出力する。ソースフォロワ回路18は、入力電圧Vin+、Vin−を電圧SV+、SV−にレベルシフトする。第2差動増幅回路12は、その電圧SV+、SV−の差に応じた電流を出力する。受け渡し回路16は、入力電圧Vin+、Vin−の動作コモン電位レベルに応じて第1差動増幅回路1と第2差動増幅回路2の動作を切り替える。電流電圧変換回路15は、第1差動増幅回路11の出力電流と第2差動増幅回路12の出力電流とを加算し、その加算に応じた出力電圧Vout を出力する。 (もっと読む)


【課題】低電源電圧でも正常な動作が可能で、温度による利得変動の少ない差動増幅回路を提供する。
【解決手段】調整信号COMで制御されるPMOS51の電流に応じて利得が制御される差動増幅部5に対して、この差動増幅部5と同一構成の差動回路を有し、この差動回路の2つの入力側を微小な電位差V1−V2でバイアスして温度変動に応じて発生した電流差Igmを出力する温度変動検出部2と、微小な電位差V3=V1−V2に応じた比較用の基準電流Irfを生成する比較電流生成部3と、この温度変動検出部2から出力される電流差Igmと比較電流生成部3で生成された基準電流Irfが同じ値となるように調整信号COMを出力する電流調整部4を設ける。 (もっと読む)


41 - 60 / 85