【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】歪補償の精度を向上させる。
【解決手段】歪補償装置１０は、増幅器で生じる信号の歪みを補償する。記憶部１１は、歪補償に用いられる複数の補償係数を記憶する。選択部１２は、信号の電力レベルを示す指標値に対応する補償係数を複数の補償係数の中から選択する。選択部１２は、電力レベルが閾値を超えるか否か判定し、判定結果に応じて、対数演算を用いずに算出される第１の指標値または対数演算を用いて算出される第２の指標値を使用する。 （もっと読む）

【課題】増幅装置の起動後、送信信号の歪の生じる時間を短縮する。
【解決手段】
処理部１は、入力される信号とフィードバック信号とに基づいて歪補償係数を算出し、歪補償係数を用いて入力される信号に対し歪補償処理を行う。増幅部２は、処理部１から出力される信号を増幅し、アンテナ５に出力する。モニタ増幅部３は、処理部１から出力される信号を増幅する。切替え部４は、増幅装置の起動後、モニタ増幅部３から出力される信号を処理部１にフィードバックし、アンテナ５を介して送信信号を無線送信するときに増幅部２から出力される信号を処理部１にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】線形性の改善されたノイズ指数および低ノイズ増幅器を提供する。
【解決手段】受信信号強度インジケータ２０１の出力に基づく可変ネガティブフィードバック２０３を含む増幅器Ｍ１が開示されている。フィードバックは、高受信信号レベルについて増加され、低受信信号レベルについて減少されるとしてもよい。実施形態において、可変フィードバック２０３は、複数の離散的なインピーダンス設定を含むとしてもよい。振幅および／または時間ヒステリシスは、組み込まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はＮＦ特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 ＴＲ１のコレクタに接続されているコイルＬ２（負荷手段）とＶｃｃとの間に接続された抵抗Ｒ９と、該抵抗Ｒ９に並列接続された制御電圧Ｖｇｃに応じてオン／オフするＴＲ３と抵抗Ｒ８との直列回路とからなるバイアスコントロール部１１を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオフすることにより、ＴＲ１のバイアスが浅くなってＮＦ特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオンすることにより、ＴＲ１のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 （もっと読む）

【課題】感度温度特性調整回路において、センサの感度温度特性を調整した後にゲインを再調整する必要をなくす。
【解決手段】並列に接続された、複数の異なる温度特性を有する同値抵抗５、６のうち、オペアンプ２の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチＳａ、Ｓｂで選択的に切り換えることにより、感度温度特性調整回路１のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整するようにした。これにより、センサの感度温度特性を調整した場合でも、この調整回路１内のオペアンプ２の基準温度における入力抵抗値Ｒ０と帰還抵抗値Ｒが変化しないので、基準温度における感度温度特性調整回路１のゲインの値が変化しない。従って、センサの感度温度特性の調整後に、感度温度特性調整回路１のゲインを調整する必要性を減じることができる。 （もっと読む）

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板と前記Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるＦＥＴ１０からなるパワーアンプ１１と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部１２と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部１４と、を具備する増幅回路 （もっと読む）

【課題】出力電力に応じて高電力モードおよび低電力モードを切り替え可能で、ＦＥＴの製造ばらつきを両モードで補償可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の電力増幅器によれば、高電力モードおよび低電力モードで回路状態を切り替えることによって、バイアス回路部に供給される基準電圧を切り替え、トランジスタのばらつきを補償する。低電力モードでは電源電圧が基準電圧の１／２となるように調整し、高電力モードでは基準電圧をバイアス回路部に伝達する抵抗の値を調整することでアイドル電流の調整を実現する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶
縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、
しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。
【解決手段】本発明は、容量素子の両電極がある特定のトランジスタのゲート
・ソース間電圧を保持できるように配置した電気回路を提供する。そして本発明
は、容量素子の両電極間の電位差を定電流源を用いて設定できる機能を有する電
気回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】中低出力動作時でも動作効率を十分に向上させることができる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅素子Ｔｒ１，Ｔｒ２のベースには入力信号が入力され、コレクタにはコレクタ電圧が印加され、エミッタは接地されている。バイアス回路Ｂｉａｓ１，Ｂｉａｓ２は、バイアス電流を増幅素子Ｔｒ１，Ｔｒ２のベースに供給する。バイアス回路Ｂｉａｓ１，Ｂｉａｓ２は、コレクタ電圧が所定の閾値より低くなるとバイアス電流を低減させるバイアス電流低減回路１２を有する。 （もっと読む）

【課題】低ノイズ電流、多レンジ、高速応答、低回路電源電圧、バイポーラ動作、小規模回路の要件を満足する自動レンジ切り替え可能な電流／電圧変換回路及び集積回路、及びそれらを用いた電子回路基板又は電子機器を得る。
【解決手段】電流入力端子とグランド端子間に入力される入力電流に対し、レンジを複数レンジグループに分けてＩ／Ｖ変換する為に、第１の演算増幅器と各レンジグループ毎のＩ／Ｖ変換部を設け、各Ｉ／Ｖ変換部毎にＩ／Ｖ変換用演算増幅器を設けてレンジグループ内の自動レンジ切り替えを行なうと同時に、レンジグループ間でも自動レンジ切り替え動作を行なう様にして、全体として低ノイズ電流、多レンジ、高速応答、低回路電源電圧、バイポーラ動作、小規模回路の要件を満足する自動レンジ切り替え可能な電流／電圧変換回路を実現する。 （もっと読む）

【課題】低出力モードで出力電力を変化させても、ゲインの差が殆ど生じない高周波増幅回路を実現する。
【解決手段】高周波増幅回路１００Ａは増幅用トランジスタ１０を備える。増幅用トランジスタ１０のベースは、バラスト抵抗素子５２を介してエミッタフォロワ用トランジスタ２０のエミッタに接続する。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のベースには、抵抗素子５１を介してバイアス電源が接続されている。エミッタフォロワ用トランジスタ２０のコレクタには、抵抗素子５３を介してモード制御電源が接続されている。抵抗素子５３は固定抵抗値の抵抗素子である。モード制御電源は、可変電圧型であり、モードに応じて直流のモード制御電圧Ｖｍｏｄｅを発生する。モード制御電圧Ｖｍｏｄｅは、低出力モード時には低電圧となり、高出力モード時には高電圧となる。 （もっと読む）

【課題】 温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制する。
【解決手段】 電力増幅器は、信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、各増幅部にバイアス電圧を供給するバイアス供給回路とを有し、バイアス供給回路は、増幅部のトランスコンダクタンスを安定させるための第１モードでバイアス電圧を制御する第１バイアス回路と、増幅部のバイアス電流を安定させるための第２モードでバイアス電圧を制御する第２バイアス回路とを有し、複数の増幅部の少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第１モードで制御可能であり、複数の増幅部の残りの少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第２モードで制御可能である。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズによる受信感度の劣化を防ぐとともに、ダイナミックレンジの減少を防ぐことが可能な半導体集積回路、増幅器および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、供給された第１の電源電圧によって動作する。半導体集積回路１０１は、受けた信号を増幅するための増幅回路２と、第１の電源電圧から第２の電源電圧を生成するための安定化電源５と、第１の電源電圧および第２の電源電圧を受けて、増幅回路２に対して供給する電圧として、第１の電源電圧と第２の電源電圧とを選択可能な電源選択回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯域の歪み補償が行えるようにする。
【解決手段】広帯域増幅器１０の前段に接続され、広帯域増幅器１０から出力される信号の歪みを補償するための歪み補償回路装置であって、入力信号が入力されて、当該入力信号に対して、広帯域増幅器１０で発生する歪みの逆歪みを発生させるための歪み補償回路としてのリニアライザＬＲＺ１，２，３を備え、それらのリニアライザＬＲＺ１，２，３は、互いに異なる周波数帯域に対応させて複数個並列配置され、入力信号の周波数値に応じてそれらを切り替えて用いる。また、広帯域増幅器１０で発生する歪みを逆歪みで効率よく打ち消すために、広帯域増幅器１０の前段に、信号の利得の調整を行って、適切な信号出力に調整するための利得可変増幅器２を用いることにより、さらに、歪み特性の改善効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅用のＦＥＴのドレインに印加されるパルス電圧の安定化を図る。
【解決手段】駆動用電源１１の出力電圧に基づきＭＯＳ−ＦＥＴＱ１を駆動する。Ｑ１はパルス信号源１２から出力される基準パルス信号ｂでスイッチングさせ、Ｑ１オン時は、コンデンサＣ１の電荷を移行させて得られる電圧でＱ１を非飽和状態で駆動する。Ｑ１のスイッチングによりソース電極に得られるパルス電圧を、ゲート電極に供給される高周波信号を増幅する高周波電力ＦＥＴＱ２の駆動電圧としてドレイン電極に印加する。Ｑ２のドレイン電極に発生するパルス電圧ｄと基準パルス信号ｂの電圧をオペアンプＯＰ２で比較し、Ｑ１のゲート電極にフィードバックする。非飽和状態で駆動されるＱ１にフィードバックさせたことで、Ｑ１に印加されるパルス内ドレイン電圧の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制しつつ、歪率の良い音声再生回路を提供する。
【解決手段】音声再生回路は、クロック信号が入力される場合、入力される第１音声信号をクロック信号に同期してパルス幅変調し、入力されない場合、第１音声信号を第１自励発振周波数に同期してパルス幅変調する第１変調回路と、第１ＰＷＭ信号に基づいて、第１スピーカを駆動する第１駆動回路と、クロック信号が入力される場合、第２音声信号をクロック信号に同期してパルス幅変調し、入力されない場合、第２音声信号を第２自励発振周波数に同期してパルス幅変調する第２変調回路と、第２ＰＷＭ信号に基づいて、第２スピーカを駆動する第２駆動回路と、スピーカで消費される電力が所定値より大きいか否かを判定する判定回路と、所定値より小さいと判定されると変調回路に対しクロック信号を入力し、大きいと判定されるとクロック信号の入力を停止するクロック信号発生回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】線形動作領域での歪特性を改善することができる電力増幅器を得る。
【解決手段】電力増幅器は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２にバイアス電流を供給するバイアス回路１０と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２のコレクタに接続されたコレクタ電圧端子Ｖｃとを備える。バイアス回路１０は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２に参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ１のコレクタと接地点との間に接続された可変容量１８と、可変容量１８の容量値を制御するロジック回路２０とを有する。ロジック回路２０は、コレクタ電圧端子Ｖｃに印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも可変容量１８の容量値を大きくする。 （もっと読む）