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国際特許分類[B23K26/12]の内容

国際特許分類[B23K26/12]に分類される特許

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【課題】システム構成が簡素で運用が容易となるように、1台の機構に既存の小型のセンサを少数組込み、形状計測、点検、補修をオペレータが効率的に遠隔操縦できる遠隔点検補修システムを提供する。
【解決手段】補修施工用のレーザ発射部4aを有し、施工対象の構造物を監視して補修箇所を検知するテレビカメラ17が取付けられたヘッド部4と、構造物の3次元形状を計測する形状計測センサ6と、形状計測センサ6及びヘッド部4の駆動機構1と、形状計測センサ6からの信号により構造物の補修箇所の3次元形状位置データを得て、ヘッド部4の施工経路に基づいた駆動機構1の駆動データを生成し、駆動機構1を遠隔で制御する制御装置11と、を備える。 (もっと読む)


本発明は、選択的レーザ溶解によって部材を生成する方法およびこの方法を実施するための処理室(11)に関する。本発明では、レーザ(17)による選択的レーザ溶解が、生成中の部材(14)において粉末(16)の組成とは異なる組成をもつ層領域(25)を作り出すためにも使用されることが予定されている。このことは、粉末素材と反応するまたは反応性ガス内に存在する前駆体から部材(14)上に材料を生成する反応性ガス(27)を一時的に導入することによって遂行される。本発明による処理室では、反応性ガスの導入の目的のために、可能な限りレーザ(17)の近傍で反応性ガスを供給することを許す付加的な供給管路(28a、28b)が設けられている。
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【課題】 フェムト秒レーザーによる細管加工装置および加工方法を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザー装置、回転軸を有するチャック、およびビームスプリッタと反射鏡を有する光学系を具備するレーザー加工装置であって、被加工物をチャックの回転軸上に設置すると共に、1つのフェムト秒レーザー光を光学系によって複数に分割し、分割した各フェムト秒レーザー光を反射鏡によって被加工物に照射し、チャックを回転させながら回転軸に平行な方向に移動させることによって、加工を行うレーザー加工装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、健全なセラミックスの複合層を迅速にアルミ基材に対して密着性よく形成することができるアルミ基複合層の形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】アルミ基材13上に、セラミックスと金属との複合層を形成するアルミ基複合層3の形成方法であって、アルミ基材13上にセラミックと金属とを含む混合粉末14を配置する際に、前記混合粉末14から前記アルミ基材13が露出する露出部17を形成し、不活性雰囲気で高密度エネルギ照射を行って前記混合粉末14と前記露出部17とに跨った部分を加熱することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化および複雑化ならびに加工性の低下を招くことなく、CuまたはCu合金で形成された溶接対象を微少な範囲でレーザ溶接し、溶接時のクラックが低減されるレーザ溶接構造およびレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】レーザ光が照射されるリード30は、Niめっきからなるめっき層32を有している。リード30にめっき層32を設けることにより、リード本体31をCuまたはCu合金で形成する場合でも、レーザ光の反射率が低下し、リード30へのエネルギーの吸収率が増大する。また、Niめっきからなるめっき層32は、リード本体31よりも融点が低く、溶融時の種となる部分が容易に形成される。これにより、複雑な工程を経ることなく、レーザ光を用いてCuまたはCu合金からなるリード30と導電部材40とを溶接することができる。 (もっと読む)


【課題】 スラリーを使用せずに所望のスライス加工を施すことのできる半導体インゴットのスライス方法を提供することである。
【解決手段】 半導体インゴットをウエーハ状にスライスする半導体インゴットのスライス方法であって、一端に加工用レーザービームを入射する複数の入射窓を有し、該一端と対向する他端に開口を有する箱体の該他端を半導体インゴット近傍に配置して該箱体を該半導体インゴットに対して略垂直に保持し、箱体内を水で充填し、前記複数の入射窓を介して該箱体内の水中に加工用レーザービームを導入し、該箱体の前記開口から出射するレーザービームによって該半導体インゴットを切削し、該切削によって生じた溝の底面近傍に該箱体の前記他端が配置されるように該箱体を移動する、各工程を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 スラリーを使用せずに所望のスライス加工を施すことのできる半導体インゴットのスライス方法を提供することである。
【解決手段】 半導体インゴットをウエーハ状にスライスする半導体インゴットのスライス方法であって、ガラス板の一端を半導体インゴットを近傍に配置して該ガラス板を該半導体インゴットに対して略垂直に保持し、該ガラス板の他端から該ガラス板内に加工用レーザービームを導入し、該ガラス板の前記一端から出射するレーザービームによって該半導体インゴットを切削し、該切削によって生じた溝の底面近傍に該ガラス板の前記一端が配置されるように該ガラス板を移動する、各工程を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超微細で高アスペクト比の加工孔を高精度でかつ効率的に製造することのできる透明基材のレーザ加工方法と、これによってできる多孔質透明基材を使用してなる電解質膜の製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性の透明基材Wの一側面側を減圧雰囲気とし、かつ、該一側面を光吸収性の不透明液体Fに接触させておき、透明基材Wの他側面側から超短パルスレーザ光の干渉光L3を照射して透明基材Wを透過させ、透明基材Wと不透明液体Fの界面付近に干渉光のレーザエネルギを集中させることで透明基材Wに微細加工孔Pを形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、保護囲いを備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 保護囲い(3)が基本的には保護フード(5)によって形成されており、この保護フード(5)は加工物(7)を取り囲み、この加工物(7)は、レーザヘッド(1)が、ロボットアーム(2)を用いてスリット型開口部(8)を通って保護フード(5)内を移動させることが可能であるように、取付装置(6)に取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を照射することによって気化したり、バーストしたりする有害物質を確実に回収すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、透明基板61と当該透明基板61に設けられた化合物からなる薄膜63とを有する被加工基板60を、レーザ加工する。レーザ加工装置は、被加工基板60の薄膜63側を保持する保持部15と、薄膜63にレーザ光Lを照射するレーザ発振器1と、を備えている。保持部15は、密封部材11を有するとともに、中空構造からなっている。保持部15と保持部15によって保持された被加工基板60の間は、密封部材11によって密封可能となっている。 (もっと読む)


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