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国際特許分類[B23K26/12]の内容

国際特許分類[B23K26/12]に分類される特許

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【課題】鋼材の表面の酸化を防止し、強度低下等の悪影響を回避可能な表面改質方法および表面改質装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表面改質装置1には、レーザ照射用の照射口7が設けられて工具鋼Wの表面を覆う覆い部材4と、この覆い部材4の内部に不活性ガスを供給するガスボンベBと、照射口7を通してレーザ光を工具鋼Wに照射するレーザ照射装置の照射ノズル2とが備えられている。表面改質を行う際には、工具鋼W上に覆い部材4を載せ(覆い工程)、ガスボンベBから覆い部材4の内部に不活性ガスを導入しつつ、照射ノズル2から覆い部材4の照射口7を通してレーザ光を照射する(照射工程)。これにより工具鋼Wの表面が改質処理される。このとき、工具鋼Wの表面が不活性ガス雰囲気下とされているから、鋼材表面の酸化による強度低下等の悪影響が回避される。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の短時間の照射で凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化することができ、かつ、使用するレーザ照射装置への負担を軽減することができる新規の方法の提供。
【解決手段】気相中でガラス基板表面にフッ素化剤を接触させることにより、該ガラス基板表面を含む表層にフッ素原子を導入した後、該ガラス基板を構成するガラス材料に対して吸収を有する波長域のレーザ光を該ガラス基板表面に照射することにより、凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化する方法。 (もっと読む)


【課題】SOI基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するSOI構造を形成し、前記ベース基板の温度を500℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、SOI基板を作製する。 (もっと読む)


レーザビーム照射によって固形のシート材料(1)に穴を生成するための装置が記載され、この装置は、レーザ照射源と、使用の際に、穴が形成される固形のシート材料(1)の表面上に、その照射源から、レーザ照射のビームを衝突させるための焦点合わせ装置(11)と、その固形のシート材料(1)を保持するための保持デバイス(7)とを備え、この保持デバイス(7)は、使用の際、弓形の構成にて、そのシート材料(1)を保持するように構造化される。このような弓形の構成を利用する固形のシート材料に穴を生成する方法もまた記載される。 (もっと読む)


レーザ溶接のための装置は、基部(402)、壁(406)、及び壁の開口(414)を含んでいる。基部(402)は、第1の端部(410)、第2の端部(412)、及びチャネル系(404)を有している。チャネル系(404)は、基部の第2の端部より第1の端部の近くに位置している。壁(406)は、基部(402)の一の面から延びてチャネル系(404)を部分的に取り囲む。壁(406)の開口(414)は、第1の端部(410)より第2の端部(412)の近くに位置している。壁(406)は、チャネル系(404)を通して導入されたガスを溶接位置に保持し、このガスを、チャネル系(404)から遠ざけて壁(406)の開口(414)に通すことが可能な形状を有している。 (もっと読む)


【課題】従来のレーザ応用の貫通孔形成方法が持っていた多くの問題点を有せず、かつ、これら従来技術では得られなかった、加工対象物の形状によらず、加工対象物のレーザ光の入射側の径と出射側の径とが等しい貫通孔の形成、また、形成される貫通孔の径が、加工対象物のレーザ光の出射側が入射側よりも大きくなる、いわゆる逆テーパ状の貫通孔の形成など、形成される貫通孔の形状を容易に制御できる新規な貫通孔形成方法を提供する。
【解決手段】加工対象物に貫通孔を形成するレーザアブレーション加工法による貫通孔形成方法において、レーザ光に対して加工対象物の出射面に高分子物質のコロイド溶液、高分子物質の溶液、または、ポリオールを接触させた状態で前記レーザ光を照射する。 (もっと読む)


【課題】この発明は径が細く指向性がきわめて高いレ−ザ光を高精度に安定して位置決めでき、溶接時における溶融部やその周辺を局所的に安定したガスシ−ルド状態に維持できる溶接方法を提案する。
【解決手段】溶接するに当って先端に当接封鎖部材(11)を具えるレ−ザ光照射ノズル(1)においてその当接封鎖部材を重ね合わせた金属材(6)の表面に押付けて内部に封鎖ガス室(7)を形成し、この封鎖ガス室(7)内に封鎖ガスを噴射充満させ、この封鎖ガスの圧力が所定値若しくはそれ以上に達したときにレ−ザ光照射ノズルから封鎖ガス室(7)を経てレ−ザビ−ムを照射し、この封鎖ガス室(7)を通って下向きに指向するレ−ザ光を金属材(6)の表面上の溶接すべき溶接点に照射して溶接する方法である。 (もっと読む)


【課題】ブレークダンウンを抑制し、レーザピーニングの効果を得るために必要なエネルギ密度範囲となるレーザ光の光軸上の処理可能範囲を拡大する。
【解決手段】レーザ光源1と、このレーザ光源から出射されるレーザ光を伝送するレーザ光伝送手段19と、固体材料に対するレーザ光の照射位置を任意に移動させる照射位置移動手段5と、照射されるレーザ光を集光する集光手段12と、レーザ光を固体材料の表面に投影した際のレーザ投影面積を任意に調整する投影面積調整手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】 加工能率が著しく高く、加工時間の短縮、加工エネルギーの節減を図ることができるレーザによる岩石の加工技術を提供する。
【解決手段】 液体10中に浸漬して岩石11の表面に液体10を介在させ、液体10中を通って、岩石11の表面に波長1.2μm以上の液体への吸収能の高いレーザ13を照射し、液体10中に誘起気泡を発生させ、レーザ13照射部のキーホール21内に発生するドロスを飛散させると共に、レーザ照射位置を照射面に沿って連続的に移動させ、レーザ非照射部22が熱応力により割裂破壊するようにレーザ13の照射条件及び移動速度を、岩石の加工部からの情報に基いて制御し、レーザ13を矢印14で示すように移動させ、周縁23、底部24で示すような大口径の孔を効率的に形成する。 (もっと読む)


レーザ加工は、終点決定を使用することによって、またはレーザとともに荷電粒子ビームを使用することによって向上する。終点決定は、基板からの光子、電子、イオン、中性粒子などの放出を使用して、レーザの下の材料がいつ変化したか、またはいつ変化しようとしているか判定する。レーザ光学要素への付着を防ぐため、試料から除去された材料をそらすことができる。 (もっと読む)


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