【課題】 被研磨部材の研磨前後の膜厚から研磨時間を設定する方法と、研磨その場計測により終点を検出する方法とを相互に連携させた研磨制御方法及びこの方法を用いた研磨装置及び半導体デバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る研磨制御方法は、被研磨部材の研磨加工において、研磨加工の終了を判断するものであり、所定の条件により設定された予測研磨時間Ｔ_Eと、研磨加工中に測定された被研磨部材の研磨中厚さ情報に基づいて研磨加工の終点を検出するＥＰＤ部からの終点情報とを互いに連携させて研磨加工の終了を判断する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面に保護テープを貼着して裏面を研削しても、保護テープの厚さのバラツキに影響されることなく、被加工物を所定の仕上がり厚さに研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するハイトゲージを具備する研削装置であって、被加工物の厚さを検出する厚さ測定器と、厚さ測定器とハイトゲージからの検出データに基づいて研削手段および研削送り手段を制御する制御手段具備している。制御手段は、厚さ検出器によって検出された加工前の被加工物の厚さと被加工物の仕上がり厚さデータから目標研削量を算出し、ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から目標研削量に相当する高さ位置に達するまで研削する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨する。
【解決手段】基板研磨装置では、膜厚測定部にて基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第１膜厚が取得され（ステップＳ１２）、研磨部にて基板が所定の初期研磨時間だけ研磨される（ステップＳ１３）。初期研磨時間の研磨が終了すると、基板の膜の第２膜厚が取得され（ステップＳ１４）、第１膜厚、第２膜厚および初期研磨時間から研磨レートが導かれる（ステップＳ１５）。研磨レートは補正係数を用いて補正され（ステップＳ１６）、第２膜厚と目標膜厚との差と、補正後の研磨レートとに基づいて追加研磨時間が求められる（ステップＳ１７）。そして、追加研磨時間だけ基板がさらに研磨される（ステップＳ１８）。これにより、基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨することができる。 （もっと読む）

【目的】 研削工程である程度に仕上がったワークの内径面の寸法を、任意の設定値に高精度に仕上げることができ、しかも熟練を必要とせず、しかも小型で安価な内径寸法修正装置を提供する。
【構成】 内径加工機４によりワーク９の内径面を加工後の該ワーク９の内径に内径寸法調整装置１４の拡張式ラッピングリーマの挿通部を挿通することにより、前記ワークの内径寸法を修正し、前記ワーク９の修正すべき内径寸法及び修正後の内径寸法のいずれか一方から選択される修正内径寸法が内径寸法測定手段１５により測定され且つ該修正内径寸法に応じた信号が出力され、該出力信号を受けてインプロセスゲージ１２及び外径寸法制御手段２４の少なくも１つに対して演算回路１６から加工指令が与えられる。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウエハ等のワークに超平坦精度の加工を施す。
【構成】 基台１と、バキュームチャック２と、左右摺動機構を介設した担持台４と、前後摺動機構を介設した保持体６と、主ポリッシングヘッド７と、補ポリッシングヘッド８と、非接触計測部９と、表示部１０とを具備する。主加工部でワークの全面ポリッシング加工を施し、ワーク加工面を非接触計測部９で計測すると共に表示部１０へ表示させ、補加工部で部分的に修正ポリッシング加工する。 （もっと読む）