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国際特許分類[B24B49/02]の内容

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【課題】本発明の目的は、研磨運転中に、あるいは同様の運転中に、軌道運動により回転するクランクピンの寸法を良好な寸法性能、高い信頼性、低い慣性力で点検する装置を提供することである。
【解決手段】研磨機械の研磨運転中にクランクシャフト(34)のクランクピン(18)の直径を点検する点検装置は、研磨機械の研磨ホイールスライド部(1)上に配置された支持部(5)に対して回転する第1アーム(9)と、第1アームに対して回転する第2アーム(12)と、第2アームによって保持された参照装置(20)と、参照装置に連結された計測装置(16、17、40−45)とを有している。案内装置(21)が、参照装置(20)に固定され、クランクピンの軌道運動の過程で点検装置のクランクピンとの係合を可能にし、制御装置(28−30)が停止位置へ点検装置を移動する時に第1アームの移動と第2アームとの移動との制限を可能にする。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングによる接続なしで研磨量などの加工量検知を実現する技術を提供する。
【解決手段】研磨装置において、被研磨物2上に研磨により体積が変化する伝導性パターンで形成した容量5と、伝導性パターンで形成した被研磨物側インダクタ4を有し、容量5と被研磨物側インダクタ4はLC共振器を構成している。また、研磨量検出器7に接続した検出用基板1に伝導性パターンで形成した検出側インダクタ3を有し、被研磨物側インダクタ4と検出側インダクタ3の電磁結合を介して、検出側から被研磨物側を見たインピーダンスをRF検出する。研磨により被研磨物2上の容量5が変化し、それに応じてLC共振器の共振周波数変量を研磨量検出器7でモニタすることで研磨量を算出する。 (もっと読む)


【課題】事前に多数の研磨試験などを行うことなく、より精密な研磨プロファイル制御を行うことができるようにする。
【解決手段】研磨面52aを有する研磨テーブル22と、研磨対象物Wを保持し研磨面52aに押圧するトップリング24と、研磨面52aに研磨液を供給する研磨液供給ノズル26と、研磨液供給ノズル26の研磨液供給位置26aを研磨面52aの略半径方向に沿って移動させる移動機構70と、移動機構70を制御するコントローラ66と、研磨液供給ノズル26の研磨液供給位置26aと研磨プロファイルとの関係を予測しシミュレーションを行ってコントローラに出力するシミュレータ72とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 複数の被加工物を同時に研削可能な研削方法を提供することである。
【解決手段】 被加工物の研削方法であって、外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に複数の被加工物を貼着する被加工物貼着ステップと、該粘着テープ上に貼着された該複数の被加工物を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持テーブルで保持された被加工物の厚みを厚み測定手段で測定する加工前厚さ測定ステップと、該保持テーブルで保持された該複数の被加工物を研削手段で所定の厚みへ研削する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該被加工物の厚みを厚み測定手段によって測定する仕上げ厚さ測定ステップと、該仕上げ厚さ測定ステップで測定された該被加工物の厚みが該所定厚みに達していない場合に、該複数の被加工物を該研削手段で所定の厚みへ再度研削する再研削ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反りおよび厚みのバラツキの抑制されたウエハを得ることができるウエハの加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるウエハの加工方法は、面内で厚み分布を有するウエハ10aを準備する工程と、ウエハ10aの面内の複数の位置の座標および各前記位置におけるウエハ10aの厚みをそれぞれ計測して、ウエハ10aの厚み分布情報を取得する測定工程と、厚み分布情報に基づき、ウエハ10aの少なくとも厚みの大きい位置を、数値制御加工法により加工し、該位置における厚みを減少させる厚み均一化工程と、を含み、数値制御加工法の加工手段は、ブラスト加工である。 (もっと読む)


【課題】厚み計測機構が正常に作動しているか否かを確認することができる研削装置のチャックテーブルの基準位置確認方法を提供する。
【解決手段】計測ロッドをチャックテーブルの上方である第1の計測位置に位置付けた後に移動レール作動手段を作動して移動レールを退避位置から自重で下降せしめた状態において位置検出手段が出力する第1の位置信号と、計測ロッドをチャックテーブルから離隔した第2の計測位置に位置付けた後に移動レール作動手段を作動して移動レールを退避位置から自重で下降せしめた状態において位置検出手段が出力する第2の位置信号とに基づいて、第1の位置と第2の位置の差が所定値以上の場合は第1の位置をチャックテーブルの基準位置と判定し、第1の位置と第2の位置の差が所定値未満の場合には故障と判定し、判定結果を表示手段に表示する。 (もっと読む)


【課題】
ウェーハの厚みのばらつきや反りに影響されず、精度の高いウェーハ面取り幅を実現する面取り加工方法及び面取り加工装置を提供すること。
【解決手段】
ウェーハW端部の各回転角度における厚さと厚み方向位置に基づき砥石とウェーハWの各回転角度における相対的位置を算出し、加工点における相対的位置に基づき砥石とウェーハWとの位置を調整しながら面取り加工を行う。 (もっと読む)


【課題】研削加工終了後の検査工程を不要としつつ、高精度な加工を行うことができる研削盤および研削加工方法を提供する。
【解決手段】円柱状または円筒状の工作物Wを回転可能に支持する主軸22と、主軸22に対して主軸22の回転軸に交差する方向に相対移動することにより、工作物Wの外周面を研削加工する砥石43と、主軸22の回転角に応じた工作物Wの外周面の位置を測定する測定器50と、研削加工中における測定器50による測定結果に基づいて工作物Wの外周面形状を算出する外周面形状算出部64と、算出された工作物Wの外周面形状に基づいて、測定器50により測定した後に行う研削加工の状態を決定する研削加工状態決定部65を備える。 (もっと読む)


【課題】高精度の半導体ウェハの厚み公差内にて半導体ウェハを研削できる研削加工装置、研削加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る研削加工方法は、基板2の表面に貼り付けられた保護テープ1の厚みを測定する工程と、保護テープ1の厚みが測定された基板2の裏面を粗研削する工程と、基板2及び保護テープ1の厚みが仕上がり厚み設定値となるまで基板2の裏面を仕上げ研削する工程とを具備し、仕上がり厚み設定値は、予め設定されている研削加工後の半導体ウェハの厚みに、前記保護テープの厚みが測定された測定値を加えた厚みとすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドの{110}面等を研磨するに際して、作業者の負担が少なく且つ熟練を要することなく高い寸法精度で研磨が行われるようにする。
【解決手段】研磨に伴ってラップ盤32に接近する単結晶ダイヤモンド10の変位量Xを変位センサ52によって検出し、その変位量Xが予め設定された目標値targetXに達したら単結晶ダイヤモンド10の研磨を自動的に停止するため、研磨方向や個体差等による研磨速度のばらつきに拘らず、常に高い精度で予め設定された目標値targetXだけ単結晶ダイヤモンド10が研磨されるようになる。しかも、作業者は単結晶ダイヤモンド10を保持部46に取り付けて目標値入力キー62により目標値targetXを入力するとともに研磨開始スイッチ64をON操作するだけで良いため、作業者の負担が大幅に軽減されるとともに研磨時間が短縮されて作業効率が向上する。 (もっと読む)


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