【課題】基板Ｗの裏面に傷が発生したり、コンタミが付着したりすることを十分に抑えて、基板Ｗの品質を維持する。
【解決手段】テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面に割断予定線ＰＬに沿ってレーザ光ＬＢを照射するレーザ光照射ユニット２５が設けられ、テーブル１５の上方位置に基板Ｗの表面にレーザ光ＬＢを照射した直後に冷媒Ｍを噴射する冷媒噴射ユニット３３が設けられ、テーブル１５は、支持フレームに配設されかつエアの圧力を利用して基板を浮上させる複数の浮上ユニット４５と、基板Ｗをテーブル１５の長手方向へ搬送する複数の搬送ローラユニット５９とを備えたこと。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を格子状にスクライブ及びブレイクによって分断する場合に、割断面の突起や割れを小さくすること。
【解決手段】半導体基板１０に対してスクライブ及びブレイクしてチップに分断する場合に、あらかじめスクライブ予定ラインの下方にＶ字形の溝１２を形成する。そしてスクライブ予定ラインに沿ってスクライブライン１４を形成し、ブレイク装置によって分断する。こうすれば半導体チップの裏面に突起や割れが生じにくく、垂直断面性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 先のスクライブ後、次のスクライブ時に残留冷媒の影響を受けないようにしたスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 テーブル１と、スクライブヘッド９と、スクライブヘッド９をテーブル１に対し相対的に移動する移動機構６、８、Ｍとを備え、スクライブヘッド９は、テーブル１上の脆性材料基板Ｗにレーザビームを照射して加熱領域となるレーザスポットを形成するレーザ照射部１０、および、レーザスポットの移動方向後方位置に向けて液体を含む冷媒を噴射して冷却領域となる冷却スポットを形成する冷媒噴射部１１を有し、基板Ｗに想定したスクライブ予定ラインに沿って、レーザスポットおよび冷却スポットをこの順で移動させて、熱応力によるスクライブラインを形成するスクライブ装置Ａであって、スクライブヘッド９は、レーザスポットの移動方向前方位置に向けて気体を噴射する気体噴射部１２をさらに備えるようにしている。 （もっと読む）

【課題】スクライブ装置等において基板までの距離を検出する場合にスクライブヘッドの上部位置を原点とすると、スクライブ装置毎に原点位置が異なり、共通したレシピテーブルを作成できないという欠点があった。
【解決手段】非接触センサを用いてテーブルまでの距離ｄ１を算出し、基準ブロックまでの距離ｄ２を算出し、その差Δｄを保持すると共に、スクライブヘッドを降下し基準ブロックに当接させて刃先とテーブルとの差を検出し、テーブルの上面を零点の位置としてスクライブヘッドの位置を表現できるようにする。これによってテーブルの上面を零点として基板の厚さを含むスクライブ方法を記述したレシピテーブルを作成しておくことで、スクライブ装置の種類にかかわらず同一種類の脆性材料基板に対してスクライブ加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なガラス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すガラス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきガラス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたガラス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）