【課題】シリコンカーバイドからなるウェハの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成して分割することができるチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンカーバイドからなるウェハに無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をウェハの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってウェハの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。次いで、損傷を形成されたウェハに機械的応力を印加して、切断予定ラインに沿ってウェハを分割する。 （もっと読む）

【課題】 装置サイズが大型化することなく、回転刃の刃先にかかる荷重の微調整ができると共に、スクライブ工程でパーティクルが発生した場合であっても、基板の表面へのパーティクルの付着を防止することができるスクライブ装置を提供するものである。
【解決手段】 スクライブ装置１００は、基板２００に対向させる開口１２ａを有し、回転刃１の刃先１ａが当該開口１２ａから露出する位置に当該回転刃１を内包する筒状の吸込口部１２と、吸込口部１２に連通され、吸込口部１２を陰圧にする減圧装置７０と、吸込口部１２の内部の圧力を検出する第１の圧力検知部８１と、第１の圧力検知部８１の検出結果に基づいて吸込口部１２の内部の圧力を調整する第１の圧力制御部８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ加工とブレイク加工とにより、マザー基板から短冊状基板を切り出し、次いで単位基板に分割する加工を、効率よく実行するのに適した基板分断システムを提供する。
【解決手段】 第一方向にマザー基板Ｍを搬送するとともに、搬送路に第一スクライブ機構１０２、第一ブレイク機構１０４を備えた第一搬送機構１００と、第一搬送機構１００と平行に配置され、第一方向と逆方向に短冊状基板Ｍｘを搬送するとともに、第二スクライブ機構２０２と第二ブレイク機構２０４とを備えた第二搬送機構２００と、第一搬送機構１００から短冊状基板Ｍｘを吸着して表裏反転させる第一アーム３０１と、第一アーム３０１により反転された短冊状基板Ｍｘを吸着して９０°旋回し、第二搬送機構２００の搬送路に載置する第二アーム３０４とを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造することのできる溝加工ツールおよびスクライブ装置を提供する。
【解決手段】 棒状のボディ８１と、ボディ８１の先端に形成された直方体状の刃先領域８２からなり、刃先領域８２は、一対の短辺と一対の長辺とで囲まれる長方形の底面８３と、底面８３の２つの短辺側でそれぞれ底面８３に対し直交する前面８４および後面８５と、底面８３の２つの長辺側でそれぞれ底面８３に対し直交する右側面８９および左側面８８からなる５つの平面で形成され、前面８４と右側面８９との角部９４、および、前面８４と左側面８８との角部９３に縦方向の刃先が形成され、前面８４と底面８３との角部に横方向の刃先が形成され、底面８３と前面８４との角部に傾斜面９０が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】長尺な脆性板材であるワークが、スクライブ加工により幅方向において横断する複数のスクライブ線のみに沿って分断される場合に、スクライブ工程に要する時間を短くできる簡素化及び小型化された分断装置を提供する。
【解決手段】分断装置において、第一支持台移動機構１４は、ワーク９を主経路Ｒ１における所定位置Ｐ１から主経路Ｒ１の方向に対し交差する装置幅方向において往復移動させる。ビーム１２は、複数のスクライブ加工端１１各々を、主経路Ｒ１の方向に沿って間隔を空けて支持する。昇降機構１５は、第一支持台移動機構１４により移動中の第一支持台１３に固定されたワーク９に対してスクライブ線を形成可能な加工位置で保持する。 （もっと読む）

【課題】長尺な脆性板材であるワークが、スクライブ加工により幅方向において横断する複数のスクライブ線のみに沿って分断する装置において、ワークを上下反転させるとともにワークを押す各機構を効率的に配置でき、装置を簡素化及び小型化できること。
【解決手段】分断装置１において、反転装置２０は、主経路Ｒ１の方向に交差する装置幅方向に横断する複数のスクライブ線Ｌｓが形成されたワーク９を、主経路Ｒ１上の反転位置Ｐ２で上下反転させる。第二支持台横移動機構３４及び第二支持台縦移動機構３５は、反転後のワーク９が固定された第二支持台３３を、反転位置Ｐ２から主経路Ｒ１に並列する副経路Ｒ２へ移動させ、さらに副経路Ｒ２に沿って移動させた後、副経路Ｒ２から主経路Ｒ１上の送出位置Ｐ３まで移動させる。ブレイク装置３０は、第二支持台３３が副経路Ｒ２に沿って移動する途中において、ワーク９をスクライブ線Ｌｓに沿って押す。 （もっと読む）

【課題】刃先と脆性基板との間のグリップ性が良好であり、スクライブした脆性基板の端面強度を向上させることができるスクライビングホイールを提供する。
【解決手段】本発明のスクライビングホイール１０は、ディスク状ホイールの円周部に沿ってＶ字形の刃の稜線部が連続する刃先１２ａとなるように形成され、かつ、Ｖ字形の刃の傾斜面１２に刃先１２ａから所定距離離間した位置から切欠凹部１３が形成され、Ｖ字形の刃の先端部分に薄肉部１２ｂと厚肉部１２ｃが交互に形成され、切欠凹部１３は、刃先１２ａの角度をθ１、切欠凹部１３を形成する面の刃先側部分と刃の傾斜面１２との間の角度をθ２としたとき、１８０°＞θ２＞１８０°−（θ１）／２となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ブレイク後のＬＥＤチップに加工変質層の残存しないＬＥＤパターン付き基板の加工方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に複数のＬＥＤ単位パターンを２次元的に繰り返し配置してなるＬＥＤパターン付き基板を加工する方法が、ＬＥＤパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、ＬＥＤパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、スクライブ工程を経たＬＥＤパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、エッチング工程を経たＬＥＤパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する際のスループットを向上可能であると共に材料のロスを低減可能な加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】切断予定面５Ａに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定面５Ａに沿って改質領域７を形成する。レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチを、改質領域７から生じた割れがｃ面割に沿って延びるピッチＰＴとする。そのｃ面割れが、インゴット１の切断予定面５Ａに沿っての切断を容易化するため、スループットを向上させることができる。また、切断予定面５Ａに沿ったｃ面割れが生じているので、切断予定面５Ａに沿って正確にインゴット１を切断することができる。このため、切断面を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）