本明細書に開示する方法、装置およびシステムはカーボンナノチューブの規則アレイに関する。本発明の特定の態様では、ナノチューブアレイは、触媒ナノ粒子(140, 230)をポリマー(120, 210)に結合する段階、ポリマー(120, 210)分子を基板に結合する段階、ポリマー(120, 210)分子を脱離する段階および触媒ナノ粒子(140, 230)上でカーボンナノチューブを製造する段階を含む方法によって製造される。ポリマー(120, 210)分子整列法。ナノチューブアレイを基板の選択した領域(110, 310)に結合することができる。選択した領域(110, 310)内において、ナノチューブは非ランダムに分布される。本明細書に開示する他の態様は、基板に結合されている規則的アレイのナノチューブ、主張されている方法によって製造された、基板に結合されている規則的アレイのカーボンナノチューブを含むシステムに関する。ある態様において、2本鎖DNA分子に分子ワイヤーを連結することによって、分子ワイヤーを整列させる方法が本明細書において提供される。 （もっと読む）

被覆シリコン／炭素粒子の製造方法であって、残留炭素形成材料を与えること；シリコン粒子を与えること；前記シリコン粒子を前記残留炭素形成材料によって被覆して被覆シリコン粒子を形成すること；炭素質材料の粒子を与えること；前記炭素質材料の粒子を前記残留炭素形成材料によって被覆して被覆炭素質粒子を形成すること；前記被覆シリコン粒子を前記被覆炭素質粒子に埋め込んでシリコン／炭素複合粒子を形成すること；前記シリコン／炭素複合粒子を前記残留炭素形成材料によって被覆して被覆シリコン／炭素複合粒子を形成すること；及び前記被覆複合粒子に酸化反応を受けさせることによって被覆複合粒子を安定化することを有する方法である。被覆複合粒子は実質的に滑らかな被覆を有する。粒子は多層の残留炭素形成材料によって被覆される。
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本発明は、ナノ粒子成長用マット(30)、マットの製造方法、および、マットを使用した組織化ナノチューブを継続的製造方法に関するものである。マット(30)は、炭素を含む基板を備え、この上に、ナノサイズの触媒粒子を所定のパターンで堆積し、このパターンによって、高度に組織化されたナノチューブが生成する。マット(30)は、マット(30)に電流を通して、ナノチューブが形成、集束され、ナノチューブ束(42)として取り出される温度まで加温することによって担体ガスの存在下で活性化される。

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本発明は、疎水性及び／または疎油性表面を有するデバイスに関し、該表面はカーペット状のナノファイバー（２０）を含むものであって、これらのナノファイバー（２０）は疎水性及び／または疎油性の連続的なフィルムで全て覆われ、これらのナノファイバー間の表面（２２）が、この同じポリマー層で覆われる。
本発明は、そのようなデバイスを作成する方法にも関する。
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粒子ブラスティング技術（サンドブラスティングまたはビーズブラスティングとも呼ばれる）を使用する印刷またはディスペンスされたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィルムの活性化。このプロセスは、粒子が表面に当たるときに、表面の材料のいくらかが取り除かれるように、十分に高い速度で材料の粒子を送りことによって作動する。印刷ＣＮＴフィルムの表面は、粒子銃からの粒子によってゆっくり侵食される。ＣＮＴファイバーは、容易に除去され得ないので、印刷層のいくつかの層に埋め込まれ得る。
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カーボンナノチューブ、マグネシア担体及び触媒金属を含有するカーボンナノチューブ材料は、それを、二酸化炭素と水とを含有する混合物に接触させることによって精製することができる。該マグネシア担体の少なくとも幾らかは、水溶性化合物を形成するように反応させる。
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本発明は、天然の炭化水素貯留層から抽出されたガス状炭化水素を炭素に転換する方法であって、反応器中で、昇温状態で該ガス状炭化水素を、該ガス状炭化水素を炭素と水素に転換可能な触媒と接触させ、未転換の炭化水素から生成した水素を分離し、該水素を燃焼してエネルギーを発生させ、該エネルギーにより、該反応器もしくは該反応器へのガス状炭化水素のガス流を加熱し、または熱量消費装置もしくは電力消費装置に熱もしくは動力を供給する方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、又はＶＩＢ族の少なくとも１つの元素を含む第一中間層と、前記第一中間層の上に堆積した、ダイヤモンド様ナノコンポジット組成物を含む第二中間層と、前記第二中間層の上に堆積したダイヤモンド様炭素層とを備えた積層構造物に関する。本発明は、更に、そのような積層構造物で被覆された基材を高剪断用途及び／又は高衝撃用途に使用することに関するとともに、そのような積層構造物で基材を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

特定の直径および形状を有するカーボン・ナノチューブ（「ＣＮＴ」）を加工する装置およびプロセスであって、真空システム、ＣＮＴホルダ、およびマイクロ波の場をＣＮＴの上に向けて送るように適合されたマイクロ波源を備える装置およびプロセス。形状の選択により、事前に選択された直径構成のサンプルを得ることができ、それにより、任意の合成技法によって生成されるＳＷＮＴのサンプルを取り入れ、所与のナノチューブ・ロープ内において、サンプルが、すべてが導体、すべてが狭いバンド・ギャップの半導体または広いバンド・ギャップの半導体となる形状変化を誘導することが可能になる。
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本発明は、アーク放電法、レーザ気化法、気相蒸着法、気相連続合成法のように固相炭素、黒鉛又は炭化水素のような炭素源から形成された炭素を触媒の存在又は不在下で再結合して炭素ナノチューブを製造する際に、反応系に炭素源を基準として１乃至２０００重量％の水を添加することで、高純度の炭素ナノチューブを製造する方法を提供する。本発明によれば、反応系内に水を添加することで炭化水素それ自体の熱分解による煤の形成を抑制し、生成された煤の水による還元反応を誘導して、触媒の不活性化を防止することで、高純度の炭素ナノチューブを経済的且つ容易に製造することができる。
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