【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】様々な特有の優れた性状・特性・機能を示すナノ粒子は、超臨界・亜臨界水反応場を利用して、有利に合成できるが、超臨界水条件の反応場では水の酸化力のため、金属酸化物系ナノ粒子の合成に限られるという問題があり、これを解決することが求められていた。
【解決手段】高温高圧水存在条件の反応場で、ナノ粒子前駆体からナノ粒子を合成するにあたり、その反応場に、有機修飾剤及び硫黄源又は硫化水素源を共存せしめて、ナノ粒子合成反応及びナノ粒子表面修飾反応を行い、生成ナノ粒子の表面に有機基が結合している金属硫化物ナノ粒子を得る。これにより、簡単な手法で、表面修飾硫化物ナノ粒子が得られる。 （もっと読む）

【課題】溶媒分散性の高い、基板等への固定化が容易なシリカ被覆ナノ粒子を提供する。
【解決手段】シリカ被覆ナノ粒子は、ナノ粒子からなるコアと、前記コアの周囲に前記コアを被覆するように設けられた珪素化合物からなるシェルと、前記シェルの周囲に付着した炭素数７以上の第１のシランカップリング剤と、を有し、前記第１のシランカップリング剤は、一端は前記シェル中のＳｉ元素と結合し、他端は反応性官能基を具備することを特徴とする。
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【課題】従来よりも高く、特に周囲温度において５０％を超える蛍光量子収率を有し、光酸化に対して高い安定性を有するＩｎＰ／ＺｎＳ コア／シェルナノ結晶を合成する新規な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ｉ）＋ＩＩＩ酸化状態での金属または非金属を表すＡおよび−ＩＩＩ酸化状態での元素を表すＢを含む半導体を含むコアを有し、このコアが、（ｉｉ）外側部分が式ＺｎＳ_１−ｘＥ_ｘを有する半導体を含むシェルでコーティングされているナノ結晶を調製するための方法を含む。ここで、Ｅは−ＩＩ酸化状態の元素を表し、ｘは０≦ｘ＜１となるように少数である。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物系のナノ粒子だけでなく、金属酸化物以外のナノ粒子にも適用でき、且つ、均一な粒子径を持つナノ粒子を、簡単な手法で合成する技術の開発。
【解決手段】ナノ粒子前駆体と界面活性剤とを含有する液状混合系からナノメーターサイズの粒子を形成させる反応場に、有機溶媒を共存せしめ、該有機溶媒存在下に該ナノメーターサイズの粒子形成を行うことで、均一な形状とその粒子径が比較的均一であるナノ粒子を簡単に合成できる。 （もっと読む）

【課題】噴霧熱分解法を用いた金属硫化物粒子の製造方法において、熱分解生成物の影響などにより半導体特性（例えば蛍光特性）を著しく低下させることなく、金属硫化物の粒子を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】少なくとも一種の金属塩と少なくとも一種の硫黄化合物を含む溶液を液滴化し、液滴を加熱し、これにより金属塩及び硫黄化合物を熱分解させつつ反応させて金属硫化物を得る方法において、熱分解によって酸化性物質を発生しない金属塩を用いることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】優れた発光特性を有する高品質の蛍光体の製造に適した、硫化亜鉛系化合物半導体からなる蛍光体前駆体を提供すること。
【手段】亜鉛化合物、発光中心としてドープされる金属の塩、共付活剤、および、硫黄含有化合物を混合し、１３０℃以上２４０℃以下で反応させ、硫化亜鉛母材中に発光中心金属がより均質に分散された硫化亜鉛系化合物半導体からなる高結晶性蛍光体前駆体粒子を製造することによって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、十分な偏心精度で芯出しされた光学部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光学レンズ１は、光が入射する面である第１レンズ面１２Ｂと、第１レンズ面１２Ｂの反対側の面である第２面としての第２レンズ面１１を備えている。第１レンズ面１２Ｂは非球面形状を有しており、第２レンズ面１１は、曲率半径Ｒ_１の球面形状を有している。そして、光学レンズ１は、光学レンズ１の光軸αを含む断面において、第１レンズ面１２Ｂおよび第２レンズ面１１に、傾斜関数Ｄの値が０．１以上となる部位である点Ｐ_２および点Ｐ_１をそれぞれ有している。
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【課題】表面の色調を黒色化し、遠赤外光の高い透過率および可視光から近赤外光の高い遮光性を維持し、はく離を防止する、硫化亜鉛の焼結体および硫化亜鉛の焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】硫化亜鉛の焼結体１０は、少なくとも１の表面１０ａに炭素元素を含有している。硫化亜鉛の焼結体１０は、表面１０ａからの厚みが０．１μｍ以上１０００μｍ以下である表面層１２を有し、表面層１２は、０．００１ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下の炭素元素を含有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高温・高圧条件下で実施される水熱合成法ではなく、より穏和な反応条件の下で、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体を製造する方法を開発すること。
【手段】キレート剤またはキレート剤溶液の存在下、アモルファスII-VI族化合物半導体を０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度に加熱することにより、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体結晶を生成させる方法を開示する。該製造方法では、腐食性の高い原料や、高温高圧の製造条件の使用によって生じる製造プロセスの安全面、コスト面での問題を回避することができる。 （もっと読む）