【課題】歪除去及び純化を効果的に行うことのできる合成シリカガラス体の熱処理方法を提供し、紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光の照射に対して長期間、優れた光透過性を示す合成シリカガラス製光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物である合成シリカガラス体５０の歪除去及び純化を行う熱処理方法であって、前記被処理物の外表面の全てをＡｌ濃度１０ｐｐｍ〜３０ｐｐｍ、且つＮａ濃度５０ｐｐｂ未満のＳｉＯ_２質粉体２０によって接触状態で被覆し、９００℃〜１３００℃の温度範囲で３０分〜８００時間の熱処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】耐失透性に優れ、各種合成シリカ材料に好適で、特に、放電灯用のバルブ材として好適に用いられる耐失透性合成シリカガラス及びその製造方法を提供することを目的とする。また、ランプ寿命を長く保持できる放電灯用合成シリカガラス製バルブ、該バルブを用いた放電灯装置、及び放電灯用合成シリカガラス製バルブの製造方法を提供する。
【解決手段】２５０ｎｍでの酸素欠損型欠陥量が吸収係数で０．０１〜２／ｃｍ、Ｃｌ含有量が１０ｐｐｍを超え１００００ｐｐｍ以下、ＯＨ基含有量が１０ｐｐｍ以下、アルカリ金属の合計含有量が１０ｐｐｍ以下、水素分子濃度が１×１０^１６分子／ｃｍ^３以下、及び１１００℃での粘度が１０^１４〜１０^１６ポアズであるようにした。 （もっと読む）

【課題】電子基板として適する貫通電極を有するガラス板を製造する方法であって、貫通電極を精度よく、且つ高密度に形成できる方法を提供する。
【解決手段】波長λのレーザパルス１１をレンズで集光してガラス板１２に照射し、レーザパルス１１が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、ガラス板１２に対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも変質部１３をエッチングしてガラス板１２に孔を形成する工程と、貫通電極を構成する導電性材料を前記孔の内部に配置する工程とを含む製造方法とする。レーザパルス１１のパルス幅は１ｎｓ〜２００ｎｓの範囲にあり、波長λは５３５ｎｍ以下、波長λにおけるガラス板１２の吸収係数は５０ｃｍ^-1以下、レンズの焦点距離Ｌ（ｍｍ）をレンズに入射する際のレーザパルス１１のビーム径Ｄ（ｍｍ）で除した値は７以上とする。 （もっと読む）

本発明は、白光ＬＥＤ光源に用いられる発光ナノ微結晶ガラス及びその製造方法を提供することを目的とする。該ガラスは、発光ナノ微結晶が分散された無孔且つ緻密なＳｉＯ_２ガラスであり、前記発光ナノ微結晶の化学式はＹ_ｘＧｄ_３−ｘＡｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（０≦ｘ≦３）である。該ガラスは、安定性がよく、発光が均一である。該製造方法は、化合物原料を溶媒に溶解して混合溶液を調製し、ＳｉＯ_２ナノ微小孔ガラスを混合溶液中に浸漬し、取り出して乾かした後、温度を徐々に１１００〜１３００℃に昇温し１〜５時間焼成して製品を得る工程を含む。該方法は、その製造プロセスが簡単で、作業が便利であり、コストが低い。
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【課題】広い温度範囲において熱膨張係数がほぼゼロとなるＴｉＯ_２を含有するシリカガラスの製造方法の提供。
【解決手段】ＴｉＯ_２を含有するシリカガラスの製造法であって、（ａ）ガラス形成原料であるＳｉ前駆体およびＴｉ前駆体を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、（ｂ）多孔質ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温して透明ガラス体を得る工程と、（ｃ）透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、成形ガラス体を得る工程と、（ｄ）成形ガラス体を５００℃を超える温度にて５時間以上保持した後に５００℃まで１０℃／ｈｒ以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程と、を含む製造法。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲において熱膨張係数がほぼゼロとなるＴｉＯ_２を含有するシリカガラスの製造方法の提供。
【解決手段】ＴｉＯ_２を含有するシリカガラスの製造方法であって、（ａ）ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、（ｂ）多孔質ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、（ｃ）フッ素を含有した多孔質ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程と、（ｄ）フッ素を含有した透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形ガラス体を得る工程と、（ｅ）成形ガラス体を５００℃を超える温度にて５時間以上保持した後に５００℃まで１０℃／ｈｒ以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、室温における熱膨張係数がほぼゼロとなり、ガラスから水素を放出させることで多層膜の物性を長時間維持させることが可能なＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂ガラスの提供。
【解決手段】仮想温度が１１００℃以下であり、水素分子濃度が５×１０^１７分子／ｃｍ^３以上であり、線熱膨張係数が０ｐｐｂ／℃となる温度が１２〜４０℃の範囲にあることを特徴とするＴｉＯ₂を含有するシリカガラス。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ実施時において、光学部材全体の線熱膨張係数がほぼゼロとなるＥＵＶＬ光学部材用基材の提供。
【解決手段】ＴｉＯ₂を含有するシリカガラスからなり、対向する２つの面における、線熱膨張係数（ＣＴＥ）が０ｐｐｂ／℃となる温度（クロスオーバー温度：Ｃｒｏｓｓ−ｏｖｅｒ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ＣＯＴ）の差が５℃以上である、ＥＵＶリソグラフィ光学部材用基材。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度分布が小さい金属ドーパント含有多孔質石英ガラス体の製造方法の提供。
【解決手段】複数のガス供給ノズルが同心円状に配置された多重管バーナーの中央ノズルから、金属ドーパント前駆体、および、ＳｉＯ₂前駆体と、を供給し、該多重管バーナーの酸水素火炎中で加水分解してガラス微粒子を生成し、生成したガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質石英ガラス体を製造する方法であって、前記多重管バーナーは、前記基材のガラス微粒子堆積面に相当する位置における火炎温度の最高点Ｔ₁（℃）が該多重管バーナーの中心軸の延長線上にはなく、前記基材のガラス微粒子堆積面に相当する位置において、該火炎温度の最高点Ｔ₁（℃）となる部位（基端）と該多重管バーナーの中心軸の延長線（先端）とを結ぶ仮想線を引いた場合に、該仮想線の先端方向の延長線上における火炎温度の最高点をＴ₂（℃）とするとき、Ｔ₁−Ｔ₂≧３０℃であり、前記基材の回転軸と、前記多重管バーナーの中心軸と、が一致しないように前記多重管バーナーを配置し、製造される多孔質石英ガラス体におけるドーパント濃度分布に応じて、前記回転軸からの前記Ｔ₁となる部位までの距離と、前記回転軸からの前記Ｔ₂となる部位までの距離と、の大小関係を調整することを特徴とする多孔質石英ガラス体の製造方法。 （もっと読む）