【解決手段】ＥＵＶ光の反射面において、反射面の中心に位置する原点（Ｏ）及び複屈折測定点（Ａ）を結ぶ直線と、測定点（Ａ）における複屈折の進相軸とによりなす角度（θ）の平均値が４５°より大きいチタニアドープ石英ガラス。
【効果】複屈折の進相軸が同心円状に分布しており、高い平坦性を有し、ＥＵＶリソグラフィ用、特にＥＵＶリソグラフィフォトマスク用として有用なチタニアドープ石英ガラスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリントリソグラフィ用モールド基材として使用した場合に、寸法のばらつきが±１０％以内の凹凸パターンを形成することができるＴｉＯ2含有石英ガラス基板の提供。
【解決手段】１５〜３５℃における熱膨張係数が±２００ｐｐｂ／℃以内であり、ＴｉＯ₂濃度が４〜９ｗｔ％であり、転写パターンを形成する側の基板表面から深さ５０μｍまでの表面近傍領域におけるＴｉＯ₂濃度分布が、±１ｗｔ％以内であることを特徴とするＴｉＯ₂含有石英ガラス基板。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィ用ミラーに適した特性を有する光学部材、および、該光学部材を用いたＡｒＦリソグラフィ用ミラーの提供。
【解決手段】光学面が下記（１）〜（５）を満たし、２２℃における熱膨張係数（ＣＴＥ）が０±２００ｐｐｂ／℃であるＡｒＦリソグラフィ用光学部材。
１ｍｍ≦λ（空間波長）≦１０ｍｍにおけるＲＭＳが０．１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下 （１）
１０μｍ≦λ（空間波長）≦１ｍｍにおけるＲＭＳが０．１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下 （２）
２５０ｎｍ≦λ（空間波長）≦１０μｍにおけるＲＭＳが０．０５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下 （３）
１００ｎｍ≦λ（空間波長）≦１μｍにおけるＲＭＳが０．０１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下 （４）
５０ｎｍ≦λ（空間波長）≦２５０ｎｍにおけるＲＭＳが０．０１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下 （５） （もっと読む）

【課題】
従来、半導体熱処理治具に一般に使用されてきた天然シリカ熔融石英ガラスは金属不純物、特に銅の拡散阻止能を持たない。金属不純物阻止能を有し、高温粘性の高い石英ガラスを提供する。
【解決手段】
高純度の合成シリカ粉を中性不活性雰囲気中結晶化した後に電気炉中溶解やプラズマ溶解することにより、酸素欠乏欠陥ＯＤＣＩＩ含有量を１０×１０^１５個／ｃｍ^３以下にし、かつＳｉ孤立電子対含有量を２×１０^１５個／ｃｍ^３以下にし、さらに含有Ｎａ濃度を０．０３ｗｔ．ｐｐｍ以下に抑えことにより、金属不純物拡散阻止能を有し、半導体熱処理時に粘性率の高い石英ガラスが得られる。 （もっと読む）

【課題】
焼きなまし速度の変化を通じて、透過特性の改善とＣＴＥの絶対値の調整の両方を同時に生じる、ＣＴＥの絶対値を調整する手段。
【解決手段】
１つの実施の形態では、本開示は、３４０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞９０％／ｃｍ、３４０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞９３％／ｃｍ、または、３４０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞９５％／ｃｍの内部透過性を有するシリカ・チタニアガラスを対象とする。別の実施の形態では、本開示は、ガラスでできた光学系部材の全般的な透過性が、３４０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞８４％、３４０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞８６％、または３３０ｎｍ〜８４０ｎｍの波長において＞８８％である、シリカ・チタニアガラスを対象とする。さらなる実施の形態では、シリカ・チタニアガラスは、３重量ｐｐｍ未満のＴｉ⁺³濃度レベルを有する。 （もっと読む）

【課題】
ガラスの［ＯＨ］含有量および仮想温度の変化を通じて、低熱膨張性のシリカ・チタニアガラスの膨張性を調整および改善する。
【解決手段】
ガラスにおける［ＯＨ］濃度は６００〜２５００ｐｐｍの範囲でありうる。仮想温度Ｔ_Fは９００℃未満である。 （もっと読む）

【課題】低レベルのストリエーションを有する極紫外光光学素子及び極紫外光光学素子を製造するためのガラスブールを提供する。
【解決手段】研磨され、整形された表面を有し、０.２メガパスカル（ＭＰａ）より小さい山対谷ストリエーションレベルを有する、チタニア含有シリカガラスを含み、当該ガラスが、５重量％と１０重量％の間のチタニアを含有する。前記ガラスは、２０℃と３５℃の間で＋３０ｐｐｂ／℃から−３０ｐｐｂ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。 （もっと読む）

【課題】より均一な濃度分布を有する金属ドーパントを含有する石英ガラス体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ケイ素化合物と、ドーパントとなる金属を含む化合物と、をバーナーの火炎中で加水分解してガラス微粒子を生成し、生成したガラス微粒子を基材に堆積、成長させる工程を含むガラス体を製造する方法であって、ケイ素化合物のガス、ドーパントとなる金属を含む化合物のガス、並びに、可燃性ガス及び支燃性ガスのうちの一方を含む、原料混合ガスをバーナーの中央に位置する中央ノズル（Ａ）に供給し、可燃性ガス及び支燃性ガスのうちの他方のガスを、バーナーの中央ノズルとは異なるノズル（Ｂ）に供給し、さらにノズル（Ａ）、（Ｂ）とは異なるノズルに、任意に可燃性ガス又は支燃性ガスを供給することからなり、原料混合ガスの流速は、中央ノズル（Ａ）以外のノズルから供給される可燃性ガス又は支燃性ガスのうち、最大の流速のものの５０％以上９０％以下であることを特徴とする、ガラス体を製造する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】光リソグラフィー法等で使われるフォトマスク用合成石英ガラス基板として、平坦度が良く微細な描画を行うことができ、かつ基板表面が低欠陥で面粗さの小さい合成石英ガラス基板を提供する。
【解決手段】表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角の外周から表面外周縁へ向かって傾斜している６インチ角の合成ガラス基板であって、表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角の平坦度が５０ｎｍ以下、表面中央１４８ｍｍ×１４８ｍｍ角内であって表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角部分を除いた額縁部分の平坦度が１５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】多孔質ガラス体へのフッ素の導入を４００℃以下の低温で実施ができ、かつ安定して、最終的に得られる合成石英ガラスのフッ素濃度を１０００質量ｐｐｍ以上とすることができる合成石英ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を、基材に堆積、成長させて、多孔質ガラス体を形成する工程と、（ｂ）多孔質ガラス体を、反応槽内にて、圧力Ｐ_ｂ１および温度４００℃以下のフッ素単体（Ｆ_２）含有雰囲気下に保持し、ついで、同反応槽内にて、前記圧力Ｐ_ｂ１よりも低い圧力Ｐ_ｂ２および温度４００℃以下の条件下に保持して、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、（ｃ）フッ素を含有した多孔質ガラス体を、ガラス化炉内にて、透明ガラス化温度まで加熱して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程とを有する合成石英ガラスの製造方法。 （もっと読む）