本発明は、式ＬＭＬ’（式中、Ｍは金属又はメタロイドであり、Ｌは、置換又は無置換シクロペンタジエニル基又はシクロペンタジエニル類似基、置換又は無置換ペンタジエニル基又はペンタジエニル類似基、又は置換又は無置換ピロリル基又はピロリル類似基であり、Ｌ’は、置換又は無置換ピロリル基又はピロリル類似基である）により表される有機金属化合物、前記有機金属化合物を製造するための方法、及び前記有機金属化合物から膜又は被覆を製造するための方法に関する。この有機金属化合物は、膜堆積物のための化学蒸着又は原子層堆積前駆物質として半導体用途に有用である。 （もっと読む）

本発明は、ビス-ジフェニルホスフィン-フェロセン・リガンドを含むシクロパラジウム化化合物およびそれらの相似体に関し、それらは、例えば甲状腺の、悪性腫瘍の成長及び転移に関係するタンパク質および酵素、例えばセリン-ペプチダーゼ、システイン-プロテアーゼ、メタロ-プロテアーゼおよびエンドペプチダーゼ・ファミリーの活性阻害剤である。典型的な化合物を図面に示す。当該化合物は、それらの酵素へ作用およびそれらのDNA分子との相互作用によって免疫系を調節することができる。
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炭素−ヘテロ原子二重結合を接触的に、特に単純ケトンを接触的に不斉水素化するための方法であって、基質と水素とを水素化触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を含み、水素化触媒が５配位ルテニウム錯体であり、該錯体はいずれもが、モノホスフィン配位子及びＰ−Ｎ二座配位子を有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

第８（VIII）族メタロセン又はメタロセン状化合物を製造するための方法は、対イオンと一緒に、シクロペンタジエニド又はシクロペンタジエニド状塩中に見出されるようなＣｐ′陰イオンを含む化合物を用いる。一つの態様として、その方法は、金属塩、置換又は非置換シクロペンタジエン又はインデンのような（Ｃｐ）化合物、及びリガンド（Ｌ）を反応させて中間体化合物を形成し、その中間体化合物をＣｐ′化合物、例えば、シクロペンタジエニド又はシクロペンタジエニド状塩と反応させることを含み、その場合、金属塩はルテニウム、オスミウム、又は鉄ハロゲン化物又は硝酸塩にすることができ、Ｌは電子対供与体である。非置換、一置換、及び対称性又は非対称性ジ−又は多−置換メタロセン又はメタロセン状化合物を製造することができる。別の態様として、非置換又は対称的に置換されたメタロセンが、ＭＸ_２（ＰＰｈ_３)_ｍと、Ｃｐ′化合物（ここでｍ＝３又は４である）とを反応させることにより形成される。この方法は、薄膜を化学蒸着させるための前駆物質を形成するのに用いることができる。
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不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化、不斉共役付加及び不斉有機金属付加のような種々の反応を行うために触媒活性金属と組合せて使用できる新規ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物が開示される。また、ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の製造方法、少なくとも１種のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物と触媒活性金属を含む金属錯体化合物、並びに前記金属錯体化合物を使用する水素化方法が開示される。 （もっと読む）

式Ｉ（式中、Ｒは、例えばメチルまたはフェニルを表す）で示されるフェロセンジホスフィンにおいて、対応する金属錯体の触媒特性は、多くの場合、ＣＰ環の一方または両方の構造変化により明確に影響を受け、選択した基材に関する触媒反応が最適化され顕著に改善され得る。この型のジホスフィン配位子は、新規な製造法を用いることにより利用し易くなる。
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ラセミ体、ジアステレオマーの混合物、または純粋なジアステレオマーの形態の式Ｉ（式中、Ｒ₀およびＲ₀₀は、それぞれ互いに独立して、水素、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₄−アリール、またはＯ、ＳおよびＮからなる群から選択されるへテロ原子を有するＣ₃〜Ｃ₁₂−ヘテロアリールであり、非置換であるか、またはＣ₁〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₅〜Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₅〜Ｃ₈−シクロアルコキシ、フェニル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキルフェニル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシフェニル、Ｃ₃〜Ｃ₈−ヘテロアリール、Ｆもしくはトリフルオロメチルにより置換され；基：Ｒ₁は、それぞれ互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、またはＣ原子、Ｓ原子、Ｓｉ原子、Ｐ（Ｏ）もしくはＰ（Ｓ）基を介してシクロペンタジエニル環に結合した置換基であり；Ｒ₂およびＲ₀₂は、それぞれ互いに独立して、水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₄−アリール、またはＯ、ＳおよびＮからなる群から選択されるへテロ原子を有するＣ₃〜Ｃ₁₂−ヘテロアリールであり、非置換であるか、またはＣ₁〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₅〜Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₅〜Ｃ₈−シクロアルコキシ、フェニル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキルフェニル、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルコキシフェニル、Ｃ₃〜Ｃ₈−ヘテロアリール、Ｆもしくはトリフルオロメチルにより置換され；２個の指数：ｍは、それぞれ互いに独立して、１、２または３であり；ｎは、０または１であり；Ｘ₁は、第二級ホスフィン基または環式ホスホナイト基であり；Ｘ₂およびＸ₃は、それぞれ互いに独立して、第二級ホスフィン基である）で示される化合物。式Ｉで示される化合物は、プロキラル不飽和化合物の水素化のためのエナンチオ選択性触媒の貴重な配位子である。
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式（Ｉ）又は（Ｉ'）：［式中、Ｒ₁は、水素原子又はＣ₁−Ｃ₄−アルキルであり、かつＲ'₁は、Ｃ₁−Ｃ₄−アルキルであり；Ｘ₁及びＸ₂は、それぞれ相互に独立に、第２級ホスフィン基であり；Ｒ₂は、水素、Ｒ₀₁Ｒ₀₂Ｒ₀₃Ｓｉ−、Ｃ₁−Ｃ₁₈−アシル（ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁−Ｃ₈−アルコキシ又はＲ₀₄Ｒ₀₅Ｎ−により置換されている）、又はＲ₀₆−Ｘ₀₁−Ｃ（Ｏ）−であり；Ｒ₀₁、Ｒ₀₂及びＲ₀₃は、それぞれ相互に独立に、Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル、非置換又はＣ₁−Ｃ₄−アルキル−若しくはＣ₁−Ｃ₄−アルコキシ−置換のＣ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであり；Ｒ₀₄及びＲ₀₅は、それぞれ相互に独立に、水素、Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル、Ｃ₃−Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであるか、あるいはＲ₀₄及びＲ₀₅は、一緒になってトリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン又は３−オキサペンチレンであり；Ｒ₀₆は、Ｃ₁−Ｃ₁₈−アルキル、非置換又はＣ₁−Ｃ₄−アルキル−若しくはＣ₁−Ｃ₄−アルコキシ−置換のＣ₃−Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであり；Ｘ₀₁は、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり；Ｔは、Ｃ₆−Ｃ₂₀−アリーレンであり；ｖは、０又は１〜４の整数であり；Ｘ₁は、Ｔ−Ｃ^*結合に対してオルト位に結合しており；そして^*は、ラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーの混合物、又は純粋なラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーを意味する］で示される化合物は、プロキラルな有機不飽和化合物のエナンチオ選択的水素化のための金属錯体における優れたキラル配位子である。
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本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物に関する。本発明はまた、前記核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を生成するのに十分な反応条件下で、ビス（置換ペンタジエニル）ルテニウム化合物を置換シクロペンタジエン化合物と反応させることを含む核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を製造する方法に関する。本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物前駆体を分解し、これにより被膜、コーティング又は粉末を製造することにより、被膜、コーティング又は粉末を製造する方法にさらに関する。 （もっと読む）

新規な高酸化状態のメタロセン化合物、それらの化合物を調製するプロセスおよびそれらの化合物の使用であって、メタロセン化合物は、化学式（１）で表され、Ｍが４族〜１０族（ＩＵＰＡＣ、１９９０）から選択された遷移金属であり、Ｒ_ａが水素または選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、ｙが１または２の整数であり、Ｒ_ｂが水素、または、化学式（ＩＩ）、化学式（ＩＩＡ）若しくは化学式（ＩＩＢ）で表されるビニル基であって、Ｒ_ｃが水素若しくは選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、Ｒ_１およびＲ_２が選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基から別々に選択され、Ｒ_３およびＲ_４が水素若しくは選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基から別々に選択され、ｎが２若しくは３の整数である。 （もっと読む）