【解決手段】Ｓｉ−Ｈ基を持つケイ素化合物を鉄錯体触媒の存在下、有機溶媒中で光照射又は加熱することを特徴とするＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物の製造方法。
【効果】本発明によれば、フォトレジスト材料、プレセラミックス材料、あるいは導電性材料用の素材などとして有用なＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物を工業的有利に効率よく製造することができる。 （もっと読む）

式２の化合物と、少なくとも１種の式３のアルカリ金属シアン化物および式４の化合物とを接触させる工程を含む式１の化合物を調製する方法が開示されている。
【化１】


式中、Ｒ^１はＮＨＲ^３またはＯＲ^４であり；Ｒ^２はＣＨ_３またはＣｌであり；Ｒ^３は、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、シクロプロピル、シクロプロピルシクロプロピル、シクロプロピルメチルまたはメチルシクロプロピルであり；Ｒ^４はＨまたはＣ_１〜Ｃ_４アルキルであり；Ｘは、Ｂｒ、ＣｌまたはＩであり；ならびに、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は本開示中に定義されているとおりである。
また、ＹがＣｌ、ＢｒまたはＩである式５の化合物と、シクロアルカジエン二座リガンド、少なくとも１種の金属還元剤およびニトリル溶剤とを接触させる工程を含む、Ｒ^９およびＲ^１０が一緒になってシクロアルカジエン二座リガンドである式４の化合物を調製する方法もまた開示されている。
また、式５の化合物と、シクロアルカジエン二座リガンドおよび少なくとも１種の金属還元剤とを接触させることにより式４の化合物を調製する工程、次いで、式４の化合物を含むこの反応混合物と式２の化合物および式３の少なくとも１種のアルカリ金属シアン化物とを接触させる工程を含む式１の化合物を調製する方法も開示されており；ならびに、式１の化合物を上記に開示の方法により調製することを特徴とする、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７およびＺが式１の化合物を用いて本開示中に定義されているとおりである式６の化合物を調製する方法がさらに開示されている。
【化２】

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【課題】少ない量の消光剤で電気化学発光剤の励起を阻害することにより、ＤＮＡとのハイブリに影響を与えない標識剤を提供する
【解決手段】電気化学発光標識と電気化学発光消光部分を直鎖構造にすることによって、効率良く電気化学発光剤の励起を阻害し、ＤＮＡのハイブリに影響を与えない標識剤を提供することが可能となる。このときに、電気化学発光標識と電気化学発光消光部分が、距離によって発光量が異なるように構成する。また、この電気化学発光消光部分が、フェノール基、キノン基、ベンゼンカルボン酸基、及びフェロセン基からなる群から選択される少なくとも一の基を含む直鎖化合物である。 （もっと読む）

【課題】光学活性アルコール化合物を製造する際に有用な不斉還元触媒、及びその不斉還元触媒を利用した光学活性アルコール化合物の製法の提供。
【解決手段】有機金属化合物は、下記一般式（１）


一般式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、シクロアルキル基類、またはＲ^１とＲ^２とが結合して形成された脂環式環であり、Ｒ^３は水素原子またはアルキル基であり、ＣｐはＭ^１とπ結合を介して結合している、置換基を有していてもよいシクロペンタジエニル基であり、Ｘ^１はハロゲン原子またはヒドリド基であり、Ｍ^１はロジウムまたはイリジウムであり、＊は不斉炭素を示す、で表される。 （もっと読む）

有機金属前駆体が提供される。前駆体は構造が式Ｉに対応する。
Ｃｐ（Ｒ）_ｎＭ（ＣＯ）_２（Ｘ） （式Ｉ）
式中、ＭはＲｕ、ＦｅまたはＯｓ、ＲはＣ_１−Ｃ_１０−アルキル、ＸはＣ_１−Ｃ_１０−アルキル、ｎは１、２、３、４または５である。前駆体は化学気相成長法（ＣＶＤ）または原子層成長法（ＡＬＤ）のような化学的相成長工程に有用である。 （もっと読む）

【課題】（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムは、高温処理することにより（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム類縁構造化合物を形成する。両者は、分子量が近く、化学的及び物理的性質が極めて類似しているため、分離が困難である。その混合物を原料として薄膜の製造に使用した場合、ルテニウム含有薄膜が安定して得られなかった。
【解決手段】（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムと（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム類縁構造化合物とを分離することにより、（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを得、それを原料としてルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体特性の良好な有機化合物または有機金属化合物を提供する。また、これらの化合物を用いることにより半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の有機化合物または有機金属化合物は、複素芳香環または縮合複素芳香環に酸化還元点を有する少なくとも一つの骨格を導入している。また、芳香環と複素芳香環の縮合環に酸化還元点を有する少なくとも一つの骨格を導入している。上記複素芳香環、縮合複素芳香環または芳香環と複素芳香環の縮合環は、電子共役系であり、動き回れる電子をもっていることから、全体として半導体特性を有する。さらに、これらに酸化還元点を有する少なくとも一つの骨格を導入することで、ドナー性もしくはアクセプター性が向上し、移動度を大きくすることができる。上記複素芳香環は、例えば、チオフェンのような含カルコゲン複素５員環であり、上記骨格は、例えば、メタロセン（フェロセン）である。 （もっと読む）

【課題】安定した機能を発揮できる、または、高機能の単分子トランジスタの提供。低コストで合成できるフラーレン誘導体を用いた単分子トランジスタの提供。さらに、例えば、これらの単分子トランジスタに用いられるフラーレン誘導体の提供。
【解決手段】フラーレンＣ₇₀の特定の位置に金属を結合させたフラーレンＣ₇₀誘導体および当該誘導体を用いたトランジスタにより上記課題を解決する。
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本発明は、ルテニウムの酸化状態が（＋ＩＩ）であり、かつキラルなフェロセニルジホスフィン配位子がルテニウムに対して二座のＰ−Ｐ配位を有する、キラルなフェロセニルジホスフィン配位子を有するルテニウム錯体に関する。該ルテニウム錯体は環状であり、かつフェロセニルジホスフィン配位子と共に少なくとも８員環を有する。フェロセニルジホスフィン配位子は、タニアフォス配位子、タニアフォス−ＯＨ配位子、およびワルフォス配位子からなる群から選択する。このＲｕ錯体の製造方法を記載する。該Ｒｕ錯体は、有機化合物を製造するための均一系不斉触媒反応のための触媒として使用する。 （もっと読む）

【課題】吸収波長特性及び耐光性に優れ、特に、画像表示装置用の光学フィルター及びレーザ光による光学記録材料に用いられる光学要素に適した化合物及び該化合物を含有する光学フィルター及び光学記録材料を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるシアニン化合物。
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