国際特許分類［C07F9/54］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 炭素，水素，ハロゲン，酸素，窒素，硫黄，セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式，炭素環式または複素環式化合物 (10,137) | 周期律表の第５族の元素を含有する化合物 (2,968) | リン化合物 (2,849) | １個以上のＰ−Ｃ結合をもつもの (948) | 第四ホスホニウム化合物 (120)
国際特許分類［C07F9/54］に分類される特許
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ハロゲン化物含量を低減した、テトラフルオロホウ酸塩を用いるオニウム塩の製造方法
本発明は、オニウムテトラフルオロホウ酸塩の製造方法であって、オニウムハロゲン化物とオキソニウムテトラフルオロホウ酸塩、スルホニウムテトラフルオロホウ酸塩またはトリフェニルカルボニウムテトラフルオロホウ酸塩との反応によるものに関する。 （もっと読む）
光学活性４，４−二置換オキサゾリジン誘導体とその製造方法
【課題】光学活性４，４−二置換オキサゾリジン誘導体とその製造方法を提供すること。
【解決手段】
一般式（Ｉ）を有する光学活性４，４−二置換オキサゾリジン誘導体。
【化１】
「上記式中、
Ｒ１は、ホルミル基、ヒドロキシメチル基、ＣＯＯＲ、ハロゲン化メチル基、ホスホニウムメチル基等を示し、
Ｒは、Ｃ１−Ｃ６アルキル基等を示し、
Ｒ２は、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ３−Ｃ１０シクロアルキル基等を示し、
Ｒ３は、Ｃ２−Ｃ６アルカノイル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルオキシカルボニル基等を示し、
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ６アルキル基又はＣ２−Ｃ６アルケニル基を示す。」
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帯電防止剤の製造方法
下記一般式（１）のホスホニウムスルホネート塩の製造方法であって、水性媒質中で下記一般式（２）の化合物を下記一般式（３）の化合物と化合させる段階、及び水性媒質から式（１）のホスホニウムスルホネートを分離する段階を含んでなる方法が開示される。また、ホスホニウムスルホネート（１）を含んでなる帯電防止性組成物及びそれで製造した物品も開示される。
【化１】
（式中、各Ｘはハロゲンと水素とのモル比が約０．９０を超えることを条件にして独立にハロゲン又は水素であり、ｑ＋ｒが８未満であると共に、ｐが１であればｒが０を超えることを条件にして、ｐは０又は１であり、ｑ及びｒは０〜約７の整数であり、各Ｒは１〜約１８の炭素原子を含む同一の又は相異なる炭化水素基である。）
【化２】
（式中、ＭはＫであり、Ｘ、ｑ、ｐ及びｒは上記に定義した通りである。）
【化３】
（式中、Ｚはハロゲンであり、Ｒは上記に定義した通りである。）
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発光錯塩
イオン性液体に基づく錯塩は、固体相のときに、（ａ）蛍光、（ｂ）りん光、及び（ｃ）エレクトロルミネセンスから選択される少なくとも１つの発光特性を示し、その融点は、２５０℃未満である。 （もっと読む）
（Ｒ）および（Ｓ）−アミノカルニチンおよびその誘導体のＤ−およびＬ−アスパラギン酸からの合成
所望の化合物と同じ立体配置のアスパラギン酸から出発しての下記式のRまたはS アミノカルニチン、RまたはS ホスホニウムアミノカルニチンおよびRおよびS 3,4 ジアミノブタン酸、ならびにその誘導体の調製方法が記載される：
【化１】
［式中、Yは明細書の定義の通り］。この方法は、用いられる反応体のタイプ、溶媒の体積の減少および中間生成物の精製を避ける可能性の点から工業的に有利である。 
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樹脂用帯電防止剤、帯電防止性樹脂組成物及び帯電防止性樹脂成型品
本発明の樹脂用帯電防止剤は、下記一般式（１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は炭素原子数３〜８の直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｒ４は炭素原子１０〜２２の直鎖状または分岐状のアルキル基を示し、アルキル基はヒドロキシ基またはアルコキシ基で置換されていてもよい。また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれが同一の基であっても異なる基であってもよい。また、Ｘ−は、４フッ化ホウ素イオンもしくは６フッ化リンイオンである。）
で表されるホスホニウム塩を含有する。 
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塩化物含量が低いオニウム塩の製造方法
本発明は、塩化オニウムと酸との反応による塩化物含量が低いオニウム塩の製造方法であって、塩酸の生成を、水と共沸混合物を生成する有機溶媒への配位による共沸蒸留によって排除する、前記製造方法に関する。 （もっと読む）
キラルリン化合物
Ｐ-キラル四配位リン化合物を立体選択的に調製する方法であって、キラルアルコール、キラルアミンまたはキラルチオールからなる群より選択される第１反応物を、Ｐ-キラル三配位リン化合物を含んでなる第２反応物と求電子試薬の存在のもとで反応させることを含んでなる上記方法。 （もっと読む）
５−カルボキシアルデヒド−２−３−ジヒドロベンゾオキセピン調製のための新規な１−メトキシ−２−フェニルエテン
本発明は、一般式（Ｉ）の化合物に関し、式中Ｒ、Ｒ1、Ｒ2は請求項１に記載の通りである。式（Ｉ）の化合物は、３，３−ジメチル−５−ホルミル−２，３−ジヒドロベンゾオキセピン誘導体の調製に特に有用である。 
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帯電防止剤の製造方法
以下の一般式（１）のスルホン酸ホスホニウム塩の製造方法であって、水性媒質中で以下の一般式（２）の化合物を化学量論的過剰量の一般式（３）の化合物と混合する段階、及び媒質から式（１）の生成物を分離する段階を含んでなる方法。
【化１】
（式中、各Ｘは、ハロゲン／水素のモル比が約０．９０超であることを条件として、独立にハロゲン又は水素であり、ｑ＋ｒが８未満であること及びｐが０でないときはｒが０を超えることを条件として、ｐは０又は１であり、ｑ及びｒは０〜約７の整数であり、各Ｒは炭素原子数１〜約１８の同一又は異なる炭化水素基である。）
【化２】
（式中、ＭはＬｉ又はＮａであり、Ｘ、ｑ、ｐ及びｒは上記で定義した通りである。）
【化３】
（式中、Ｚはハロゲンであり、Ｒは上記で定義した通りである。）
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