【課題】簡単に調製でき、低温・低圧条件下にて反応させることができ、溶媒不要で再利用性に優れ、触媒活性の高い非金属系触媒に用いる触媒架橋剤の製造方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素とエポキシ化合物とのカップリング反応による、環状炭酸エステルの合成のための固定化触媒に用いる触媒架橋剤の製造方法において、下記の式で表された三つの置換基（Ｒ_１〜Ｒ_３）のうち、二つがフェニル基で一つがアルキル基とされたリン化合物と３−ブロモプロピルトリエトキシシランとをアセトニトリル中で合成して単離したことを特徴とする、環状炭酸エステルの合成のための固定化触媒に用いる触媒架橋剤の製造方法を提供する。
【化１】
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【課題】安価で簡便に得られる環境低負荷型のキラル誘導体及び新規な溶媒としての低粘性なイオン液体を提供する。
【解決手段】一般式Ｉ：
【化１】


［式中、カチオン部Ｐｈ^＋は、（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４）Ｐ^＋（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、非置換もしくは置換された低級アルキル基）であるか、または１もしくはそれ以上の燐原子を環員として含む、非置換もしくは置換されたヘテロ環の燐原子にプロトンもしくはアルキル基が１つ結合したカチオンであり、アニオン部は、アミノ酸アニオン（ここで、Ｙは、アミノ酸のアミノ基およびカルボキシル基を除いた構成部分）である］
で示される４級燐化合物である有機イオン液体。 （もっと読む）

式(I)を有する化合物であって、式中、R₁、R₂、R₃、およびR₄がそれぞれ独立して、C₆〜C₁₈アリール-、C₅〜C₈シクロアルキル-、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₆〜C₁₈アリール、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₅〜C₈シクロアルキル、C₄〜C₂₀分枝鎖アルキル-、C₁₆〜C₂₀直鎖アルキル-、RO-、-NRR'、-PRR'、-SR、そのフルオロ置換型、およびそのペルフルオロ型であり;かつR₅が、C₆〜C₁₈アリール-、C₅〜C₈シクロアルキル-、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₆〜C₁₈アリール、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₅〜C₈シクロアルキル、C₃〜C₂₀分枝鎖アルキル-、C₂〜C₃₀直鎖アルキル-、そのフルオロ置換型、およびそのペルフルオロ型であり;ここでRおよびR'はそれぞれ独立して、C₆〜C₁₈アリール-、C₅〜C₈シクロアルキル-、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₆〜C₁₈アリール、少なくとも1つのC₁〜C₂₀アルキル置換基を有するC₅〜C₈シクロアルキル、C₄〜C₂₀分枝鎖アルキル-、C₂〜C₃₀直鎖アルキル-、そのフルオロ置換型、およびそのペルフルオロ型であり;Aが、N、P、S、またはOであり、但し、AがSである場合、R₂は存在せず;かつMが、B、Al、Ga、またはInである化合物を提供する。

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【課題】粘性が低く反応基質の拡散や対流を阻害せず、反応基質との反応性が極めて低く、かつ水分含量が極めて低く種々の有機合成反応溶剤として利用できるホスホニウム塩イオン液体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）：


[式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は炭素数１〜６の直鎖アルキル基、分岐アルキル基、脂環状アルキル基、または−（ＣＨ_２）_ｎＯ−Ｒ_５で表されるアルコキシアルキル基(ｎは１〜６の整数、Ｒ_５はメチル基またはエチル基を示す。)等を示し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４のうち少なくとも１つはアルコキシアルキル基である。また、Ｘはアニオンである。]で表される４級ホスホニウム塩からなるイオン液体、及びこれよりなる反応溶媒。 （もっと読む）

【課題】触媒的不斉合成反応の不斉触媒として用いた場合に、高い選択性や触媒活性を示す配位子を提供する。
【解決手段】下式の光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン−ボラン誘導体。（Ｓ）−ｔ−ブチルメチルホスフィン−ボランをブロモ化し、アルキニルリチウムを作用させ、更に脱プロトン化及び酸化的カップリングを行い得られる。脱ボラン化により脱保護することで、光学活性なビス（アルキニルホスフィノ）エタン誘導体が得られる。
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【課題】高い光学収率で且つ工業的に有利な方法で光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルアルキルホスフィンボラン等のホスフィンボラン化合物と光学活性アミンと有機リチウム化合物とを、溶媒の存在下に反応させる第一工程、第一工程の反応生成物に配位性溶媒を加える第二工程、第二工程終了後にモノハロゲン化ホスフィンを加えるか、又はジハロゲン化ホスフィンを加えた後にグリニアル試薬を加える第三工程、及び第三工程で得られた生成物にテトラヒドロフラン−ボラン錯体等を加える第四工程を有することを特徴とする光学活性なジアルキルホスフィノメタン誘導体の製造方法。配位性溶媒はテトラヒドロフランであることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、一般式（１）で示され、その式中のＲ′及びＲ′′が無関係にアルキル基、シクロアルキル基及び２−フリル基から選択され、又はＲ′及びＲ′′は一緒になって結合されて、リン原子と共に、少なくとも３つの炭素原子を含む炭素−リン単環又は炭素−リン二環を形成し、前記アルキル基、シクロアルキル基及び炭素−リン単環は、非置換であるか、又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基及びアリールオキシ基の群から選択される少なくとも１つの基によって置換されており、Ｃｐ^sは、部分的に置換もしくは完全に置換されたシクロペンタジエン−１−イル基であって、縮合環系をもたらす置換を含む基であり、かつ前記シクロペンタジエン−１−イル基の１位での置換は、そのシクロペンタジエン−１−イル基が縮合環系の一部でないか又はインデニル基の一部である場合には必須であるホスフィン化合物に関する。また特許請求の範囲に記載したものは、これらのホスフィンを、触媒反応において配位子として用いる使用並びにこれらのホスフィンの製造である。
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【課題】水と下限臨界溶解温度を示し相分離挙動をとる、新たなイオン液体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される第四級塩化合物であるイオン液体。
【化１】


[式中、Ａ^＋は窒素原子または燐原子を有する第四級カチオンであり、アニオン部は、カルボキシル基を有する疎水性アニオン（Ｙは低級アルキル基）である。] （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、樹脂組成物の表面抵抗値をより低下させ得る、新規なホスホニウム塩、それを有効成分として含む帯電防止剤及び該帯電防止剤を含む帯電防止性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 式（１）：
［（Ｒ^１）_３Ｒ^２Ｐ］^＋・ＣＦ_３ＳＯ_３⁻ （１）
（式中、Ｒ^１は炭素数４〜８のアルキル基を示し、Ｒ^２は炭素数８〜２０のアルキル基を示す。但し、Ｒ^１がヘキシル基であって、かつＲ^２がテトラデシル基である場合を除く。）で表されるホスホニウム塩、式（２）：
［（Ｒ^３）_３Ｒ^４Ｐ］^＋・ＣＦ_３ＳＯ_３⁻ （２）
（式中、Ｒ^３は炭素数４〜８のアルキル基を示し、Ｒ^４は炭素数８〜２０のアルキル基を示す。）で表されるホスホニウム塩を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤並びに該帯電防止剤を含有することを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。 （もっと読む）

本発明は、カルニチンパルミトイルトランスフェラーゼ (CPT) を阻害することができる、式(I)を有する新規なクラスの化合物を提供する。本発明はまた、本発明による少なくとも一つの新規化合物を含む医薬組成物、および糖尿病などの高血糖状態およびそれに関連する病態、例えばうっ血性心不全および肥満症の処置におけるその治療上の使用にも関する。


(I)
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