本発明の蛍光体は、１．５から１５μｍの間の平均径を有する粒子を含む前駆体が還元雰囲気下で熱処理され、前記粒子は鉱質コアおよび場合によりテルビウムでドープされた、前記鉱質コアを３００ｎｍ以上の厚さにわたって均一に被覆しているランタンおよび／またはセリウムの複合リン酸塩を含有するシェルを含み、熱処理が１，０５０℃から１，１５０℃の間の温度および２時間から４時間にわたって多くとも０．２重量％の量の融剤としての四ホウ酸リチウム（Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７）の存在下で行われる方法によって製造できることを特徴とする。
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【課題】本発明では、従来の薄膜蛍光体に比べて、面内での発光むらが生じ難い薄膜蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】チオガレート化合物を含む薄膜蛍光体であって、当該薄膜蛍光体のＸ線回折において、最も大きなピークが得られる結晶面を（ｈ_１ｋ_１ｌ_１）とし、２番目に大きなピークが得られる結晶面を（ｈ_２ｋ_２ｌ_２）としたとき、２つの結晶面（ｈ_１ｋ_１ｌ_１）および（ｈ_２ｋ_２ｌ_２）のなす角度αが８５゜〜９５゜の範囲にあることを特徴とする薄膜蛍光体。 （もっと読む）

本発明の目的は、式Ｌｎ_{x(1-t1-t2-t3-t4)}Ｙｂ_xt1Ｅｒ_xt2Ｔｍ_xt3Ｈｏ_xt4Ｂａ_yＺｎ_zＯ_1.5x+y+zの結晶化合物であって、ＬｎがＹ、Ｇｄ又はＬａであり、ｔ１＋ｔ２＋ｔ３＋ｔ４が０．００１〜０．３、好ましくは０．０１〜０．２であり、ｘ＝２、ｙ＝１及びｚ＝１である場合には、ｔ１＋ｔ３＋ｔ４がゼロではなく、ＬｎがＬａ又はＧｄでありそしてｔ３＋ｔ４がゼロである場合には、ｔ１が０．０５〜０．１であり、ｔ２が０．０２〜０．０７であり、ＬｎがＧｄである場合には、ｔ２＋ｔ４がゼロではない結晶蛍光体を提供することである。
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【課題】高い透明性を維持しつつ安価な材料を用いて中性子線の照射により蛍光を発する蛍光材料と、その製造方法を提供する。また、中性子線の照射の瞬間に発せられる蛍光をリアルタイムで検出する中性子線検出器を提供する。
【解決手段】KClを主成分として希土類元素を添加物として含有した単結晶であって、中性子線照射により蛍光を発する中性子線検出用の蛍光材料。前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。 （もっと読む）

本発明は、青色放射ＬＥＤと、前記ＬＥＤの放射波長で励起される第１の蛍光体層であって、蛍光体が500nm乃至560nmの範囲内の放射波長を有する第１の蛍光体層と、0.24乃至0.35の間の範囲での色点u'及び放射スペクトルのうちのλp＞600nmの蛍光体層のピーク放射を有する第２の蛍光体層と、を含む発光装置に関し、特に、緑色放射ルミネッセンスセラミック材料及び広い放射スペクトルを有する第２の蛍光体材料の組合わせを含む蛍光体変換ＬＥＤに関する。第２の蛍光体材料は、一般式M_1-x-y-zSi_1+zAl_1-zN_3-zO_z :Eu²⁺_xCe²⁺_yの複合物を含み得、MはCa、Sr、及びこれらの混合物からなる群から選択されており、0.0001≦x≦0.005、0.001≦y≦0.05、及び0≦z≦0.25
である。 （もっと読む）

セラミック複合積層体は、波長変換層と、非発光層とを含み、セラミック複合積層体は、少なくとも０．６５０の波長変換効率（ＷＣＥ）を有する。セラミック複合積層体は、発光材料と散乱材料とを含む波長変換セラミック層をも含むことができ、ここで、積層複合体は、約４０％〜約８５％の全透過率を有する。波長変換層は、プラズマＹＡＧ：Ｃｅ粉末から形成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出器用のシンチレータにおいて、発光強度が高く、また、Ｘ線照射停止後１〜３００ｍｓ経過後の残光が小さな蛍光材料を提供する。
【解決手段】 Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＲＥを含み、ＲＥがＰｒ、Ｄｙ及びＥｒのうち少なくとも１種類であり、ＭがＭｇ、Ｔｉ、Ｎｉのうち少なくとも１種類であり、下記一般式で表されることを特徴とする蛍光材料。
（Ｇｄ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｌｕ_ｘＲＥ_ｙＣｅ_ｚ）_３＋ａ（Ａｌ_{１−ｕ−ｓ}Ｇａ_ｕＳｃ_ｓ）_５−ａＯ_１２
ここで、
０≦ａ≦０．１５、
０≦ｘ≦０．５、
０＜ｙ≦０．００３、
０．０００３≦ｚ≦０．０１６７、
０．２≦ｕ≦０．６、
０≦ｓ≦０．１
であり、単位質量が１００ｍａｓｓ％であり、
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍの含有率（ｍａｓｓｐｐｍ）は、
０．０５≦Ｆｅ含有率≦１．０、
０．５≦Ｓｉ含有率≦１０、
０≦Ｍ含有率≦５０
である。 （もっと読む）

【課題】低い駆動電圧で発光でき且つエネルギー利用効率に優れた低消費電力タイプの無機ＥＬ素子用蛍光体を提供する。
【解決手段】蛍光体の母結晶となる材料の粉末と、発光中心となる材料の粉末とを混合し、この混合物を焼結又は溶融することにより作製した蛍光体からなる母体粒子表面に、ドナー元素イオンを母結晶内部に多量に固溶せしめた高濃度n型半導体材料からなる薄膜層を設け、前記薄膜層表面に、電子及び正孔（ホール）の供給源となる材料を点在・分散化させる。 （もっと読む）

照明デバイス内で使用する、半導体ナノ粒子に基づいた光学的変換層、および同光学的変換層を含む照明デバイス。様々な実施形態において、球状のコア/シェルシード型ナノ粒子（SNP）またはナノロッドシード型ナノ粒子（RSNP）を使用して、高光学濃度（OD）、低再吸収および小さいFRETの優れた組合せを有する変換層を形成する。いくつかの実施形態において、SNPまたはRSNPは、ホストマトリックスを有さない変換層を形成する。いくつかの実施形態において、SNPまたはRSNPは、ポリマーまたはシリコーンなどのホストマトリックス内に埋め込まれる。変換層を極めて薄く作る一方で、光学特性の優れた組合せを提示することができる。SNPまたはRSNPに基づく変換層を含む照明デバイスは、エネルギー的に効率的で優れた規定の色放射を提示する。 （もっと読む）

【課題】熱蛍光グローピーク温度をより高い温度領域にシフトさせるとともに、結晶欠陥に起因する励起電子の基底状態への遷移を抑制して、放射線の照射直後の励起状態が長時間に亘って維持する。
【解決手段】母材であるＣａＦ_２に、０．１ｍｏｌ％のＴｂＦ_３、０．５ｍｏｌ％のＧｄＦ_３及び０．１ｍｏｌ％のＳｍＦ_３を混合してこれらを溶融し、このＣａＦ_２の単結晶を成長させた。この単結晶にＸ線を照射し、グローピーク強度を評価したところ、８０℃付近（低温領域）に小さいピークと、４００℃付近（高温領域）に大きいピークが確認できた。このように、低温領域のピークを高温領域のピークよりも相対的に小さくすると、添加したＴｂ電子のＦセンタが安定したものとなり、時間経過に伴うＦセンタからの基底状態へのエネルギー遷移が生じにくくなる。このため、Ｘ線等の放射線の照射直後の励起状態が長時間に亘って維持することができる。 （もっと読む）