【課題】コロイド物質の製造方法、コロイド物質およびその光学機器製造での使用
【解決手段】得られるコロイド材料は式Ａ_nＸ_mで表される（Ａは周期表のＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ族から選択される元素であり、Ｘは周期表のＶ又はＶＩ族から選択される金属、（Ａ、Ｘ）のペアの選択においては周期表のＡ及びＸの族はそれぞれ（ＩＩ族、ＶＩ族）、（ＩＩＩ族、Ｖ族）、（ＩＶ族、ＶＩ族）からなる群から選択され、ｎ及びｍはＡ_nＸ_mが中性化合物とするような数。本発明方法で得られるコロイド化合物の例はＣｄＳ、ＩｎＰ、ＰｂＳである。本発明方法は非配位又は弱配位溶媒中でＸと式Ａ（Ｒ−ＣＯＯ）_pで表されるカルボキシレートとの混合液を液相分解する段階と、酢酸塩又は酢酸をこの混合液に加える段階とを含む（ｐは１又は２の整数、Ｒは直鎖または分岐Ｃ_1-30アルキル基）本発明のコロイド材料は例えばレーザーや光電子工学デバイスの製造に用いることができる。 （もっと読む）

緑色発光Ｔｂ³⁺蛍光体、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺蛍光体、Ｓｒ₆ＢＰ₅Ｏ₂₀：Ｅｕ²⁺蛍光体、Ｍｇ₄ＧｅＯ_5.5Ｆ：Ｍｎ⁴⁺蛍光体、及び任意でＢａＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺蛍光体を含むコンパクト蛍光ランプ用蛍光体ブレンドであって、前記ブレンドは、前記Ｓｒ₆ＢＰ₅Ｏ₂₀：Ｅｕ²⁺蛍光体を１〜２０重量％及び前記Ｍｇ₄ＧｅＯ_5.5Ｆ：Ｍｎ⁴⁺蛍光体を５〜３０重量％含有する前記ブレンドが記載されている。前記蛍光体ブレンドを含有する蛍光体コーティングを有するコンパクト蛍光ランプは、標準的なコンパクト蛍光ランプによって発生する光より心地よいと感じる光を発生する。
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【課題】容易に製造することができ、３９０ｎｍ程度の短波長領域で発光する発光素子を提供するものである。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１及び第２電極間に設けられゲルマニウム微粒子を含む担持体を備え、前記ゲルマニウム微粒子は、酸化ゲルマニウムを含み、前記酸化ゲルマニウムは、少なくとも一部が酸素欠損を有し、前記担持体に対して電子線を５ｋeＶで照射した際のカソードルミネッセンスの波長のピークが３４０〜４４０ｎｍの範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、パッケージ化されたＬＥＤに関する。本デバイスは、表面領域、表面領域を覆って形成される一つ以上のＬＥＤデバイス、基板部材から構成される。本発明では、少なくともひとつのＬＥＤデバイスが、基板を含む半極性あるいは非分極性のＧａＮの上に、形成されている。一つ以上のＬＥＤデバイスは、一つ以上の第一の波長で、実質的に偏光された発光で光を放出している。そして、少なくとも一つのＬＥＤデバイスは、電子波動関数と正孔波動関数によって、特徴付けられる量子井戸領域から構成されている。電子波動関数と正孔波動関数は、予め決められている量子井戸領域の空間的な領域で実質的に重なり合っている。本デバイスでは、一つ以上のＬＥＤデバイスを覆って形成される、一つ以上の構成部材は厚みを有している。一つ以上の構成要素は、実質的に偏光された発光と、一つ以上の第二の波長の電磁気放射の発光により励起されている。 （もっと読む）

【課題】ケイ酸窒化物ベースの深赤色蛍光体の提供。
【解決手段】式Ｍ_ａＭ_ｂＭ_ｃ（Ｎ，Ｄ）：Ｅｕ^２＋（式中Ｍ_ａは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのような２価のアルカリ土類金属であり；Ｍ_ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ及びＳｍのような３価の金属であり、Ｍ_ｃは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ及びＢのような３価の元素であり；Ｎは、窒素であり、Ｄは、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒのようなハロゲンである。）を有する蛍光体で、微量のハロゲンを含有すると共に、酸素含有量が約２重量パーセント未満である特徴を有する。例示的化合物は、例えばＣａＡｌＳｉ（Ｎ_１−ｘＦ_ｘ）：Ｅｕ^２＋である。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れ、発光強度が安定した半導体ナノ粒子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に成膜された半導体ナノ粒子含有膜において、成膜された膜の化学的処理の前後におけるｎｄ値（半導体ナノ粒子含有膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ）の変化率が０．３〜２０．０％であることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜。 （もっと読む）

【課題】色むらの発生が防止され、色再現域の広い、優れた画像を表示することができ、かつ、耐久性に優れる画像表示装置を、環境への負荷を小さく提供すること、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子を環境への負荷を小さく提供すること、前記画像表示装置を備えた電子機器を提供すること、また、上記画像表示装置、発光素子等に好適に適用することができる吐出液、吐出液セット、薄膜パターン形成方法、薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明の吐出液は、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法に用いられるものであって、微粒子状の量子ドットと、量子ドットを分散させる分散媒とを含み、量子ドット中におけるＣｄ、Ｐｂ、Ｃｒの含有率の総量が、１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い輝度と優れた安定性を示す蛍光体および発光装置を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ（０）_ａＭ（１）_ｂＭ（２）_{ｘ−（ｖｍ＋ｎ）}Ｍ（３）_{（ｖｍ＋ｎ）−ｙ}Ｏ_ｎＮ_ｚ−ｎで示される組成の蛍光材料を有する蛍光体により、上記課題を解決できる。但し、Ｍ（０）はＬｉ、Ｎａ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕから選ばれ、Ｍ（１）はＭｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれ、Ｍ（２）はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒから選ばれ、Ｍ（３はＢｅ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎから選ばれ、Ｏは酸素であり、Ｎは窒素であり、３３≦ｘ≦５１，８≦ｙ≦１２，３６≦ｚ≦５６、３≦ａ＋ｂ≦７、０．００１≦ｂ≦１．２、ｍｅ＝ａ＋ｂ、０．８・ｍｅ≦ｍ≦１．２・ｍｅ、０≦ｎ≦７、ｖ＝｛ａ・ｖ（０）＋ｂ・ｖ（１）｝／（ａ＋ｂ）のすべてを満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】４価のマンガン付活フッ化４価金属塩蛍光体を用いても、白色の明るさの低下の少ない、色度の変動の小さい発光装置であって、色再現性（ＮＴＳＣ比）の優れた発光装置を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂中に、ＭＩ₂（ＭＩＩ_1-aＭｎ_a）Ｆ₆で実質的に表わされる４価のマンガン付活フッ化４価金属塩赤色系発光蛍光体を少なくとも含有し、前記蛍光体がシリコーン樹脂中で沈降せず、分散状態が保持される粘度に調製した蛍光体調製物、ならびに、一次光を発する発光素子と、発光素子から発せられた一次光の一部を吸収して、一次光の波長よりも長い波長を有する二次光を発する波長変換部とを備える発光装置であって、上記波長変換部が上記蛍光体調製物を用いて形成されたものである発光装置。 （もっと読む）