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国際特許分類[C21D1/74]の内容

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【課題】(1)開口部の封止を迅速に行うと共に、開口部の封止を継続して確実に行う。
(2)被処理品を遅滞なく一定の雰囲気下で熱処理して、被処理品について所望の性質を得る。
【解決手段】開口部2を有する壁部3と開口部2を閉塞する扉5とを備えた構造を対象として、開口部2を扉5で閉塞した状態において壁部3と扉5との互いに対抗する面のいずれか一方又は双方に開口部2を囲繞する環状溝部11が形成され、該環状溝部11内に内部が流体Aの封入部13sとされた封止部材13が配置され、流体Aを制御することにより封止部材13を変形せしめて、開口部2の封止を行う封止機構において、封止部材13は、少なくとも環状溝部11開放側に肉厚に構成された剛性パッド部13aを備えると共に該剛性パッド部13aに連設し該剛性パッド部13aよりも肉薄に構成されて環状溝部11内で伸縮可能な可撓伸縮部13bを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】短時間で金属材料を表面処理することができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】鍛造加工用の金属材料を表面処理する方法であって、非酸化雰囲気中で金属材料を加熱する焼き鈍し工程と、焼き鈍し工程後の金属材料の表面に潤滑被膜を形成する被膜形成工程を備えている。この表面処理方法によれば、非酸化雰囲気中で金属材料を焼き鈍しするので、焼き鈍し工程で金属材料の表面に酸化膜が形成されない。したがって、焼き鈍し工程後に酸化膜を除去する必要がない。このため、短時間で金属材料の表面処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】窒化処理時におけるフープの周長精度を向上させることができるフープの製造方法を提供する。
【解決手段】ベルトを成すフープ11をフープ形成手段2によって形成する工程と、窒化処理手段5内の雰囲気の状態をセンサー7が測定して、前記雰囲気の状態を演算手段9に入力し、演算手段9が記憶手段8に格納された窒化処理手段5内の雰囲気の状態に応じたフープの補正量を算出する補正式を呼び出して、前記雰囲気の状態に応じた周長補正量を算出し、前記周長補正量を周長補正手段3に出力する工程と、周長補正量に基づいて、フープ11を周長補正手段3によって周長補正する工程と、周長補正されたフープ11を積載手段4によって冶具10に積載する工程と、冶具10に積載されたフープ11を窒化処理手段5によって窒化処理する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 従来よりも低コストでかつ簡易な構造で、チューブ内の2種類の流体の他方への混入を防ぐ流体混入防止装置を提供する。
【解決手段】 流体混入防止装置14のチューブ15bの壁面にはガスカーテンを形成するための不活性ガスを導入する第3成分流体導入口4が設けられ、第3成分流体導入口4の対面には不活性ガスを放出する第3成分流体放出口5が設けられている。
第3成分流体導入口4の周囲には流体遮断壁6が設けられ、流体遮断壁6には第3成分流体供給孔13が形成されている。
このように、第3成分流体導入口4の周囲に流体遮断壁6を設ける構造とすることにより、流体遮断壁6も第1成分流体16と第2成分流体17の他方への流入を防止する。
そのため、不活性ガスの量を従来よりも減少させることができる。
また、流体遮断壁6は整流作用を有するため、極力乱流の発生を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 大径環状の被加熱物を均一に加熱処理することができる加熱炉を提供する。
【解決手段】 本発明の加熱炉1は、上面に環状の被加熱物Wが載置される炉床2と、炉床2の周囲を囲むとともに、被加熱物Wを加熱するためのロッドヒータ3aが内周側に配置された円筒状の炉壁3と、炉壁3の上端開口を開閉自在に塞ぐ上蓋4と、を備えている。炉床2は、炉壁3の円筒軸中心回りに回転駆動される環状の回転床部6と、この回転床部6の内周側に配置され、炉内雰囲気を撹拌する遠心ファン8と、回転床部6の上面に一体回転可能に配置されて被加熱物Wを支持するとともに、遠心ファン8による送風が通過可能な支持部材20とを備えている。 (もっと読む)


【課題】被処理物の窒化後の硬度を確保しつつ、被処理物の表面における、一窒化三鉄や一窒化四鉄等の脆化化合物の生成を低減することができることにより、より精密な制御が可能となる、ガス窒化処理方法、及び、ガス窒化処理装置を提案する。
【解決手段】加熱処理室12内にアンモニアガスと窒素ガスとの混合ガスGを流入させ、攪拌ファン41によって被処理物W周辺に前記混合ガスGを流通させることにより、該被処理物Wに窒化処理を行う窒化処理部21を備えるガス窒化処理装置10であって、前記窒化処理部21は、前記被処理物Wの温度を上げる昇温部31と、該被処理物Wの温度を略均一に保つ均熱部51と、を備え、前記昇温部31、及び、前記均熱部51、のそれぞれにおいて、前記被処理物Wの窒化性の制御は、該被処理物Wの表面における、前記混合ガスGの流速を制御することでなされる、ガス窒化処理装置10。 (もっと読む)


【課題】常圧下での直接浸炭であっても被処理品の浸炭深さを容易に調整できる浸炭深さ制御方法及び浸炭装置を提供する。
【解決手段】常圧下で浸炭される被処理品2の浸炭深さを制御する浸炭深さ制御方法であって、被処理品2が収容された処理室30内に浸炭ガスを導入して被処理品2を常圧下で浸炭する浸炭工程(S110)を有してなり、浸炭工程(S110)の際に、被処理品2の浸炭深さの目標値に応じて処理室30内に導入される浸炭ガスの流速を変化させる。具体的には、予め、浸炭ガスの流速と被処理品2の浸炭深さとの関係を求め、被処理品2の浸炭深さの目標値に応じた浸炭ガスの流速を演算する。 (もっと読む)


【課題】短時間で効果的に結露を防止し、作業効率を向上させて良好な被処理品を得ることができる単室型真空熱処理炉及び単室型真空熱処理炉における被処理品の酸化防止方法を提供する。
【解決手段】炉壁11に水冷ジャケット15が設けられ、該炉壁11により内部に被処理品Wの処理空間Sが形成された炉本体1と、炉本体1内に設置された被処理品Wを加熱する加熱装置2と、処理空間S内に冷却ガスを供給する冷却ガス供給装置3と、処理空間S内に設置された熱交換器52により前記冷却ガスを介して被処理品Wを冷却する第一の冷媒循環系と、前記処理空間内を減圧する減圧装置4と、冷却ジャケット15に冷媒Cを供給する第二の冷媒循環系とを備えた単室型真空熱処理炉Aにおいて、前記第二の冷媒循環系は、冷媒Cを加熱する冷媒加熱部65を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 処理チャンバー内の温度分布を均一化するとともに、処理チャンバー内への不純ガスの流入を効果的に抑制することのできる金属材料の熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理ワーク(W)を収容している処理チャンバー(1)に液体窒素貯蔵槽から供給された液体窒素を噴霧供給して被処理ワークを深冷処理し、この深冷処理が終わった被処理ワーク(W)を無酸素雰囲気で焼き戻し処理する金属材料の熱処理装置であって、処理チャンバー(1)内にファン(2)を配置し、このファン(2)のファン駆動軸(13)を処理チャンバー(1)の壁面から壁面外に導出して駆動装置(3)に連動連結し、このファン駆動軸(13)を相対回転自在に枢支する軸受(21)を介装部材(23)を介して処理チャンバー(1)の器壁に装着し、前記介装部材(23)に生じるファン駆動軸(13)との挿通間隙に不活性ガスを噴出する不活性ガス通路(25)(26)を前記介装部材(23)に形成した。 (もっと読む)


【課題】光輝焼鈍炉へ供給する還元性ガスを廃ガスとして取り出し、再生して再利用する。
【解決手段】水素、窒素ガスを主成分とする還元性ガス雰囲気中にて、ワークを焼鈍する光輝焼鈍炉1のワーク供給口11の近傍および/又はワーク排出口12の近傍から排出される廃ガスを回収し、回収した廃ガスを冷却してから、廃ガス中の酸素を廃ガス中の水素と反応させて水分に変換し、水分を吸着除去して廃ガスを再生する。 (もっと読む)


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