【課題】低耐熱性電子部品等の実装に適した、高い接合信頼性を有する鉛フリーはんだ及びはんだ接合を低コストで提供する。
【解決手段】Ｓｎ-Ｂｉ-Ｎｉ及びＳｎ-Ｂｉ-Ｃｕ-Ｎｉを基本組成とし、Ｓｎ-Ｂｉの共晶組成に一定量のＮｉ及び／又はＣｕを添加させることで、はんだ接合部及び／又ははんだ接合界面にＮｉＢｉ、Ｎｉ₃Ｓｎ₂及びＣｕ₆Ｓｎ₅のようなＮｉＡｓ型結晶構造に代表される六方最密充填構造を有する金属間化合物を形成させることにより、強固で高い信頼性を有するはんだ接合を可能とした。更に、Ｇｅ、Ｇａ、及びＰから選択される１種又は２種以上を０．００１〜１．０重量％添加することにより、はんだ接合部及び／又ははんだ接合界面にＮｉＡｓ型結晶構造を有する金属間化合物の形成を阻害することなく、はんだ合金溶融中やはんだ接合部の酸化を抑制して、高い信頼性を有するはんだ接合が可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の位置に狂いが生じたり、半田が破壊されたりするといった問題を生じることのない、信頼性の高いレーザモジュールを実現するために、融点の低いＡｕ−Ｓｎ９０％半田を、接合後に、硬質半田として使用し得る接合方法を提供する。
【解決手段】２つの部材Ａと，Ｂと、をＡｕ−Ｓｎ半田で接合する接合方法であって、接合後のＡｕ−Ｓｎ半田Ｓ’におけるＳｎの重量％濃度を、３８．０％以上８２．３％以下としている。 （もっと読む）

【課題】耐疲労性と非焼付性に一層優れた摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動部材は、室温から４５０Ｋにおいて熱伝導率が２００〜４５０Ｗ／（ｍＫ）である第１金属を主成分とする第１層２と、第１金属よりも硬度が低い第２金属を主成分とする第２層３との間に、第３層４を有する。第３層４は、第１金属を母相、第２金属を二次相として有し、第３層中での二次相の面積率が１０〜３０％であり、第３層の厚さは、当該第３層と第１層を合わせた合計厚さの３％以上である。 （もっと読む）

【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの７０％以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】 第１の金属粒子と第２の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第１の金属粒子１００質量部に対し第２の金属粒子が５５〜４００質量部であり、該第１の金属粒子はＣｕ粒子もしくはＣｕ合金粒子であり、該第２の金属粒子は、４．３μｍ以下の粒子の含有率が１６％以下のＳｎ粒子又はＳｎ合金粒子である、金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを主成分とするはんだ材料による接合構造体において、応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止する。
【解決手段】半導体素子１０２をＣｕ電極１０３にＢｉを主成分とする接合材料１０４を介して接合した接合構造体において、接合材料１０４から被接合材料（半導体素子１０２、Ｃｕ電極１０３）に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子１０２とＣｕ電極１０３とを接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保する。 （もっと読む）

【課題】基板のＣｕ表面に有機皮膜処理がなされている場合であっても、通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】第１の金属粒子と第２の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第１の金属粒子１００質量部に対し第２の金属粒子が５５〜４００質量部であり、該第１の金属粒子はＣｕ粒子もしくはＣｕ合金粒子であり、該第２の金属粒子は、ＡｇとＳｎとを含み、かつ当該Ａｇの含有量が０．３〜４質量％のＳｎ合金粒子である金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は、同じ熱処理条件では再溶融しない鉛フリーはんだ材料を提供する。
【解決手段】Ｓｎ１３．５〜１６．５質量％、Ａｇ９〜１１質量％、Ｂｉ４．５〜５．５質量％、Ｇｅ０．１〜５質量％、残部にＣｕを主成分として含むことを特徴とする５元系合金粒子。 （もっと読む）

【課題】従来のＰｂフリーはんだに対して高温保持におけるＡｇとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたＳｎを主成分とするＰｂフリーはんだを提供する。
【解決手段】一方の導体２と他方の導体とをはんだ接合するためのＳｎを主成分とするＰｂフリーはんだ１であって、一方の導体および他方の導体の少なくともいずれか一方はＡｇを主成分とする層をその表面に備えており、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーはんだに、Ｚｎが含まれているものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎを含むＡｌ基軸受合金層を備え、非焼付性に優れるＡｌ合金軸受を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金軸受２１は、基材２２上にＡｌ基軸受合金層２３を備えている。Ａｌ基軸受合金層２３は、摺動表面２８側にＡｌと３０〜７０質量％のＳｎとを含む表面層２７を有している。表面層２７は、ＡｌからなるＡｌ相と前記ＳｎからなるＳｎ相とを有し、隣り合うＳｎ相同士の相間距離の平均値が１０μｍ以下であり、かつＳｎ相のアスペクト比の平均値が４以上である。 （もっと読む）