【課題】所定の温度−粘度関係を有するハンダフラックス及びハンダ材料の提供。
【解決手段】ハンダ付け用フラックスは、第一成分と、溶剤、シックナー及び／又は金属酸化物還元剤から選択される１つ又は複数の第二成分とを含む。フラックスは、フラックスが約２７℃を超える最大保存温度以下の温度において非流動性不活性状態であり、活性化温度で液体活性状態であり、最大保存温度超から活性化温度未満の溶着温度範囲において流動性不活性状態である温度プロフィールを有する。ハンダ材料は、フラックスに分散されたハンダ粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】はんだフィレットの経時劣化を防止しはんだ接合構造の信頼性を向上させる。
【解決手段】はんだ材付きリード部材１０は、リード線１１の表面に、Ｃｕめっき下地層１２を施し、この上にさらに所定濃度以上のＳｎを含有するＳｎ系はんだ層１３を積層した複層構造を有する。Ｓｎ系はんだ層１３を用いてリード線１１に半導体や圧電振動子などの電子素子２０を接合し、はんだ付け後のはんだフィレットに所定の熱処理を施すことで拡散反応を平衡状態にして経時変化を抑制するとともに、はんだフィレットの金属組成をより耐熱性の高温はんだに変化させることを特徴とする。このときリード線１１に施したＣｕめっき下地層１２は、予め充分な厚みを設けてＣｕとＳｎとの相互拡散を平衡状態まで進行させてもＣｕめっき下地層１２が消失しないようにしている。 （もっと読む）

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板２３に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板２３に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板２３とを母相の平均結晶粒径が２０μｍ以上のSn系はんだで接合した構成とした。 （もっと読む）

【課題】長期間の熱サイクルに対しても割れを生じない高寿命の太陽電池用リード線及び太陽電池用リード線の製造方法を提供する。
【解決手段】無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅線と、この銅線に形成された半田めっき層とを有する、太陽電池モジュールのセル間同士を接続する、太陽電池用リード線は、表層部の結晶粒径が１０μｍ以上６０μｍ未満であり、かつ表層部の結晶粒径が銅線の内層の結晶粒径の８０％未満である。その製造方法は、無酸素銅又はタフピッチ銅の鋳塊を冷間圧延後３００〜７００℃で１秒〜１時間の中間焼鈍又は熱間圧延を施した後、１パスの加工率１〜１５％で冷間圧延又は冷間引抜き圧延で銅線に加工し、該銅線を２００〜５００℃で１秒〜１時間の焼鈍し、焼鈍した銅線に半田メッキ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも優れた塑性変形能を備えた太陽電池用電極線材及びその基材を提供する。
【解決手段】基材２の表面に溶融はんだめっきが施された太陽電池用電極線材１のめっき前の基材は、Ｃｕを９９．９０mass％以上含む純銅の圧延材で形成され、圧延方向の結晶方位＜１００＞、＜１１４＞、＜１１２＞のＸ線回折によるピーク強度をそれぞれＰ＜１００＞、Ｐ＜１１４＞、Ｐ＜１１２＞と表すとき、下記式に示す＜１１４＞および＜１１２＞の結晶方位のピーク強度比ＰＲ（％）が５０〜９０％とされ、耐力が１５ＭＰａ以下とされる。
PR（％）＝(P<114>＋P<112>)・100／(P<100>＋P<114>＋P<112>) （もっと読む）

【課題】油中製造法等の液中製造法により造粉された粉末に好適な洗浄剤、及びその洗浄剤を用いて油中製造法等により高い清浄度ではんだ粉末を製造する。
【解決手段】液中ではんだ粉末を造粉する造粉工程と、該造粉工程で得られたはんだ粉末を洗浄剤にて洗浄する洗浄工程とを有し、その洗浄剤として、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピロリドンジメチルスルホキシド、炭酸プロピレン、スルホラン、γ―ブチロラクトンの中から選ばれる一種以上の成分を含む洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】高温での耐熱性を求められるＩＣパッケージや車載モータやその他の電動モータの駆動を制御するための発熱量が大きいパワーモジュール等に使用する際の接合材料として、優れた耐熱特性とスペーサー作用を有した鉛フリーはんだ合金及び当該鉛フリーはんだ合金を簡易な方法にて提供する。
【解決手段】Ｓｎ−Ｃｕを基本組成とする鉛フリーはんだ合金の製造過程に於いて、高温の液相を有する組成のはんだ合金を液相線温度以上に加熱して完全に溶解し、その後、Ｃｕ₆Ｓｎ₅を主とする金属間化合物が生成、成長するように、温度条件をコントロールしながら冷却して、Ｃｕ₆Ｓｎ₅等金属間化合物を生成させた後、当該金属間化合物を含有したはんだ合金を含有するＣｕ₆Ｓｎ₅を主とする金属間化合物が消失しない温度条件にてはんだ接合を行うことにより、当該金属間化合物を含有したはんだ接合部を有するはんだ接合を可能とした。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、内部抵抗が小さく、かつ耐久性に優れたキャパシタ、該キャパシタ用集電体、電極を提供することを課題とする。
【解決手段】三次元網目状構造を有する金属多孔体からなるキャパシタ用集電体であって、該金属多孔体が、少なくともニッケルとスズとを含む合金からなることを特徴とするキャパシタ用集電体。前記キャパシタ用集電体は、前記スズの含有率が１質量％以上、４０質量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低耐熱性電子部品等の実装に適した、高い接合信頼性を有する鉛フリーはんだ及びはんだ接合を低コストで提供する。
【解決手段】Ｓｎ-Ｂｉ-Ｎｉ及びＳｎ-Ｂｉ-Ｃｕ-Ｎｉを基本組成とし、Ｓｎ-Ｂｉの共晶組成に一定量のＮｉ及び／又はＣｕを添加させることで、はんだ接合部及び／又ははんだ接合界面にＮｉＢｉ、Ｎｉ₃Ｓｎ₂及びＣｕ₆Ｓｎ₅のようなＮｉＡｓ型結晶構造に代表される六方最密充填構造を有する金属間化合物を形成させることにより、強固で高い信頼性を有するはんだ接合を可能とした。更に、Ｇｅ、Ｇａ、及びＰから選択される１種又は２種以上を０．００１〜１．０重量％添加することにより、はんだ接合部及び／又ははんだ接合界面にＮｉＡｓ型結晶構造を有する金属間化合物の形成を阻害することなく、はんだ合金溶融中やはんだ接合部の酸化を抑制して、高い信頼性を有するはんだ接合が可能となる。 （もっと読む）