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国際特許分類[C22C5/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | 貴金属を基とする合金 (952) | 金を基とする合金 (220)

国際特許分類[C22C5/02]に分類される特許

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【課題】Au−Ag−Sn合金のろう材を構成するAuの重量比を少なくしながら融点及びろう付け性を確保する。
【解決手段】組成比(Au(wt%),Ag(wt%),Sn(wt%))が、点1(53.0,23.5,23.5)、点2(65.9,12.3,21.8)、点3(66.1,15.0,18.9)、点4(67.3,19.1,13.6)、点5(45.5,39.0,15.5)、点6(49.6,28.7,21.7)の6点を結ぶ直線で囲まれた領域にあり、残部が不可避成分であるろう材。 (もっと読む)


【課題】1N程度あるいはそれ以上の比較的高い荷重においても耐摩耗性を有し、摺動特性に優れ、耐熱性に優れ、かつ耐食性を有する電気接点材料を提供する。また、そのような特性を有する電気接点材料を製造する方法、及び前記電気接点材料を用いてなる電気接点を提供する。
【解決手段】貴金属ないしはこれを主成分とする合金1からなる表層を有する電気接点材料であって、前記表層の表面上に脂肪族アミン、メルカプタンのいずれかまたは両者の混合物からなる第1の有機皮膜層4を設け、さらに、前記第1の有機皮膜層の表面上に、エーテル結合基を有する有機化合物から形成した耐熱性を有する第2の有機皮膜2を設けてなる、耐食性及び摺動特性に優れた電気接点材料。 (もっと読む)


【課題】 オーミック電極とバリアメタル層の密着強度を向上させる。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、(a1)半導体積層構造を準備する工程と、(b1)前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、(c1)前記オーミック電極層上にAuを含む接着層を成膜する工程と、(d1)前記工程(c1)から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】ワイヤの表面性状、ループの直線性、ループ高さの安定性、ワイヤの接合形状の安定化に優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる面心立方晶の金属を主成分とする表皮層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、前記表皮層の表面における長手方向の結晶方位のうち<100>の占める割合が50%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ボール接合部の形状、サイズの安定化、ループ形状の安定性などに優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装などの半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる金属を主成分とする表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の金属が面心立方晶であって、前記表皮層の表面の結晶面における長手方向の結晶方位<hkl>のうち、<111>と<100>の占める割合が、ともに50%未満であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 (もっと読む)


【課題】宝飾品(身飾品)を成型した際に、割れや巣の発生が少なく、かつ明白色で、照り(鏡面性)を有する白色金合金(ホワイトゴールド)の提供。
【解決手段】Auに対し、Pt,Pd,Ag,及びCuを一定の割合に配合して溶融した後冷却する白色金合金(Au−Pt−Pd−Ag−Cu合金)の製造方法において、下記の(A)工程及び(B)工程を先に行い、更に(C)工程及び(D)工程を順次経ることを特徴とする白色金合金の製造方法。
(A)工程:PtとPdを溶融して、Pt−Pd合金を得る工程
(B)工程:AgとCuを溶融して、Ag−Cu合金を得る工程
(C)工程:Auに前記(A)のPt−Pd合金を溶融して、Au−Pt−Pd合金を得る工程
(D)工程:前記(C)で得られるAu−Pt−Pd合金に、更に前記(B)のAg−Cu合金を溶融して、白色金合金(Au−Pt−Pd−Ag−Cu合金)を得る工程 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、従来存在しなかった美しいブルー色を有する装飾用カラー金合金及びその製造法を提供することである。
【解決手段】Au:35〜55%、In:35〜60%を含有し、さらに必要に応じてCu:0.5〜15%、Ag:0.5〜25%、Zn:0.1〜6%、Pd:0.5〜5%、Ni:0.5〜5%、Co:0.5〜5%, Mn:0.5〜5%の1種または2種以上を合計で0.5〜30%の範囲で含有すること、必要に応じてさらにIr, Ruの1種または2種を合計で0.1〜0.7%の範囲で含有させること。
また上記のような組成の金合金を不活性雰囲気で溶解後、200℃以下に保持された型に鋳造すること。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ強度に優れると共に溶融ボール形成性および圧着ボール形状の真円性に優れ、さらにステッチ接合性に優れた半導体装置用ボールボンディング用金合金線。
【解決手段】マグネシウム(Mg)を15〜50質量ppm、カルシウム(Ca)を10〜30質量ppm、ユーロピウム(Eu)を5〜20質量ppm、イットリウム(Y)を5〜20質量ppm、ランタン(La)を5〜20質量ppm、および残部が純度99.998質量%以上の金(Au)からなり、さらに、金が純度99.98質量%以上、カルシウム添加量が、ユーロピウム及びランタンの合計量以下であり、イットリウム添加量が、カルシウム及びユーロピウムの合計量以下であり、カルシウムの添加量が、ユーロピウム及びランタンの合計以下、かつイットリウム添加量がカルシウム及びユーロピウムの合計量以下であり、さらにマグネシウムの添加量が20〜40質量ppmである金合金線。 (もっと読む)


【課題】高純度金ボンディングワイヤにおいて添加元素酸化物の付着に起因するセカンド接合不良を解消する。
【解決手段】Mg5〜100質量%、In5〜20質量%、Al5〜20質量%、Yb5〜20質量%、残部純度99.995質量%以上の金合金であるボンディンググワイヤであり、さらに、Ca5〜20質量%を加え、また、これらにおいて、La5〜20質量%、Lu5〜20質量%、Sn5〜100質量%、Sr5〜100質量%のうちの一種以上を添加し、或いは、さらにこれらの金合金において、Pd0.01〜1.2質量%含有させた金合金ボンディングワイヤである。
これらの微量元素を含有するボンディングワイヤは、微小放電によるボール形成時及びファーストボンディング時に生じてキャピラリー先端に付着した添加元素酸化物がセカンドボンディング時にワイヤの転写されて蓄積しないため、これら蓄積汚染物質による障害が生じない。 (もっと読む)


【課題】 溶融ボール形成性やステッチ接合性やワイヤ強度に優れている金合金線でありながら、更に圧着ボール形状の真円性に優れた、半導体装置の高密度配線に対応可能な金合金線を提供する。
【解決手段】 マグネシウム(Mg)を10〜50質量ppm、ユーロピウム(Eu)を5〜20質量ppm、カルシウム(Ca)を2〜9質量ppm、および残部が純度99.995質量%以上の金(Au)からなる金合金であって、カルシウム(Ca)はユーロピウム(Eu)の半分以下の質量であるボールボンディング用金合金線である。 (もっと読む)


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