【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装飾部品の表面にＡｕを含有する硬質膜であり、特に金固有の光沢と色調を有し、耐摩耗性の高い高品位であることを特徴とした金色装飾部品を提供すること。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちから一種類以上の金属からなる窒化物、炭化物もしくは炭窒化物で構成された下地層と、Ａｕ、または任意組成のＡｕ−Ｎｉ合金、Ａｕ−Ｃｕ−Ｐｄ合金などＡｕ合金からなる仕上層と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちから一種類以上の金属からなる窒化物、炭化物もしくは炭窒化物から成る保護層とから構成される硬化層を形成させることにより、効果的に金固有の光沢と色調を有し、耐摩耗性に優れた高品位の金色装飾部品が達成される。 （もっと読む）

【課題】装飾部品の表面にＡｕを含有する硬質膜であり、特にＡｕ固有の光沢と色調とを有して明度の高く耐傷性に富んだことを特徴とした装飾部品を提供すること。
【解決手段】表面に硬化層を有し、硬化層はＴｉ、Ｚｒ、またはＨｆのうちから選ばれる一種類以上の金属からなる窒化物、炭化物または炭窒化物で構成された下地層と、ＡｕまたはＡｕ合金からなる仕上層と、下地層と仕上層との間に設けた硬質透明誘電体層によって構成することにより、Ａｕ固有の光沢と色調とを有して明度が高く傷の目立たない高品位な装飾部品を達成できる。硬質透明誘電体層は積層構造を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡用試料ホルダの電子線窓に、薄くかつ反応性の低い薄膜を形成すること。
【解決手段】本発明は、ＢＮ膜を形成すべき基板を冷却する工程Ｓ１２と、スパッタリング法を用い、前記基板上に非晶質ＢＮ膜を形成する工程Ｓ１４と、を有する薄膜形成方法、前記薄膜を用いた電子顕微鏡用試料ホルダおよびその形成方法である。本発明によれば、非晶質ＢＮ膜を均一に形成することができる。よって、反応性の低いＢＮ膜を薄く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式（Ｔｉ_１−Ｘ Ｓｉ_Ｘ ） Ｎ（ただし、Ｘは原子比で、０．０１〜０．３）を満足するＴｉとＳｉの窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１００＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示すＴｉとＳｉの窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、１以上の層を含み、該層のうち少なくとも１の層は、結晶構造が正方晶型である化学式Ｖ_XＮｂ_1-XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子比を示し、Ｘは０．５≦Ｘ≦０．６５であり、Ｙは０．１≦Ｙ≦２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むニオブ含有バナジウム層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粉塵の発生が抑制された歯付ベルト、搬送装置、ならびに、伝動装置の提供を課題としている。
【解決手段】歯付プーリーと噛合状態で用いられるべく、ベルト長手方向に複数の歯部が形成されており、該歯部が弾性体により形成されている歯付ベルトであって、前記歯部の表面にはダイヤモンドライクカーボンが被覆されていることを特徴とする歯付ベルトなどを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、１以上の層を含み、該層のうち少なくとも１の層は、結晶構造が正方晶型である化学式Ｎｂ_1-XＶ_XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子比を示し、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．３であり、Ｙは０．１≦Ｙ≦２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むバナジウム含有ニオブ層であることを特徴とする。 （もっと読む）

本開示は、スパッタリング技術を用いた高純度６Ｈ ＳｉＣ単結晶の成長のための方法および装置に関する。一実施形態において、本開示は、高純度６Ｈ−ＳｉＣ単結晶フィルムを基板に堆積させる方法に関し、この方法は、エッチングされた表面を有するケイ素基板を提供することと、基板およびＳｉＣ供給源を堆積チャンバーの中に置くことと、堆積チャンバーの中で第一の減圧レベルを達成することと、チャンバーをガスで加圧することと、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることとを包含し、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることは、基板をケイ素の融点未満の温度に加熱することと、堆積チャンバーの中で低エネルギープラズマを用いることと、六方ＳｉＣフィルムの層を基板のエッチングされた表面に堆積させることとによる。 （もっと読む）