【課題】 放出装置によってマスク板が加熱されない有機薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】蒸気を放出しながら移動する放出装置３１〜３６を、マスク板１４と対面する位置を通過させ、マスク板１４の貫通孔底面に露出する部分の基板１３の成膜面に有機薄膜を形成する有機薄膜製造装置１０に於いて、高温に昇温される放出装置３１〜３５又は３６は、マスク板１４に近い位置を通過させないようにする。高温の放出装置３１〜３５又は３６が放射する熱によるマスク板１４の加熱が緩和され、マスク板１４が変形しないようになる。 （もっと読む）

【課題】成膜材料を微量に蒸発させることで成膜材料の利用効率を高めることができる蒸発装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、有機材料からなる成膜材料Ｐを収容する容器３と、容器３に収容された成膜材料Ｐに混入される導電性の粒状混合物４と、容器３内の粒状混合物４を誘導加熱する加熱部５と、を備え、粒状混合物４の成膜材料Ｐに対する体積比は、１／１００００以上で１／１００未満の範囲内の値である。 （もっと読む）

【課題】種々の多数の基板に対して真空蒸着法による成膜を効率良く行う技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内において、第１及び第２のマスク３１、３２を介して第１及び第２の基板５１、５２上に蒸着を行う真空蒸着装置である。本発明は、第１及び第２の基板５１、５２を保持する保持手段８０と、第１及び第２のマスク３１、３２をそれぞれ支持するマスク支持部１７、１８と、マスク支持部１７、１８を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６とを有する。第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６は、コ字形状に形成され、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６の端部がそれぞれ対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器の内部の圧力を測定するための第１の圧力計側部Ｍ１と、第２の気化器の内部の圧力を測定するための第２の圧力計側部Ｍ１１と、第１の圧力計側部Ｍ１により測定した第１のデータに基づいて第１の原料ガスの供給量を算出し、第２の圧力計側部Ｍ１１により測定した第２のデータに基づいて第２の原料ガスの供給量を算出し、算出した第１の原料ガスの供給量と算出した第２の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合において、ポリイミド被膜の密着力が低くなることを防止しつつ成膜速度を大きくすることができる成膜基材の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜基材の製造方法は、第１工程と第２工程とを備える。第１工程では、成膜室２０内で、室内温度Ｔを予め設定される基材１０の酸化基準温度（２５０度）より低い第１温度（２２０度）に設定し、室内圧力Ｐを第１温度で原料モノマー３１，４１が気化する第１圧力（１５Ｐａ）に設定して、基材１０の表面にポリイミドの酸化防止用被膜１１ａを形成する。第２工程では、成膜室２０内で、原料モノマー３１，４１の分子数を増加して室内圧力Ｐを第１圧力より大きい第２圧力（９０Ｐａ）に設定し、室内温度Ｔを酸化基準温度より高く且つ第２圧力で各原料モノマー３１，４１が気化する第２温度（３００度）に設定して、酸化防止用被膜１１ａの表面にポリイミドの厚膜用被膜１１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）